Список публикаций Официального оппонента Ключников А.С. (1091196)
Текст из файла
Список публикаций Ключникова Алексея Сергеевича
-
В.Д. Евдокимов, А.Г. Балашов, А.С. Ключников Исследование эмиттерно-базового узла SiGe ГБТ с целью повышения динамических характеристик прибора методами приборно-технологического моделирования// XXXIX Гагаринские чтения. Научные труды Международной молодёжной научной конференции в 9 томах. – М.: МАТИ, 2013. – Т. 3. – С. 17–18.
-
В.Д. Евдокимов, А.Г. Балашов, А.С. Ключников Оптимизация эмиттерного узла SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с целью повышения частотных характеристик методами приборно-технологического моделирования// 20-я Всероссийская межвузовская научно- техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2013» – М.: МИЭТ, 2013. – С. 89.
-
А.Г. Балашов, А.С. Ключников, В.Д. Евдокимов Подходы к масштабированию N-P-N SiGe ГБТ// XL Гагаринские чтения. - Международная молодежная научная конференция. – 2014. – Т. 3. – С. 24–26.
-
Е.А. Артамонова, А.С. Ключников, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Н.А. Шелепин Настройка численной модели для исследования транзисторных МОП-структур КНИ-типа с проектными нормами 180 нм в среде TCAD// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2014 (МЭС-2014). С. 151-154.
-
А.С. Бенедиктов, П.В. Игнатов, А.С. Ключников, А.Н. Смирнов, Т.Ю. Егорова Исследование работы МОП-транзисторов на структурах кремний на изоляторе при высоких температурах// Нано- и микросистемная техника. – 2015. № 6. с. 53- 56.
-
Ю.А. Чаплыгин, А.Г. Балашов, В.Д. Евдокимов, А.С. Ключников, Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2016 (МЭС-2016). С. 32-36.
-
К.А. Панышев, А.С. Ключников Эффект радиационно-индуцированной защелки в 90 нм КМОП-технологии в зависимости от угла и места падениятяжелой заряженной частицы// Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2016. – №. 3. – С. 4-9.
-
Г.В. Баранов, А.С. Ключников Физические особенности использования POLYSI затвора в Tri-gate транзисторе//
Тезисы докладов 2-ой научной конференции форума «Микроэлектроника-2016» . 2016. С. 186-187. -
С.Н. Орлов, Е.С. Горнев, А.С. Ключников, В.П. Тимошенков, О.А. Греков Матрица транзисторов для 3D – элементов микросистемной техники, формируемых внутри канавок в кремниевой пластине Тезисы докладов 2-ой научной конференции форума «Микроэлектроника-2016» .2016.С. 469-474.
-
В.А. Нагнойный, А.Ю. Красюков, Г.В. Баранов, А.С. Ключников Влияние размерного фактора на проявление короткоканальных эффектов в Tri-gate транзисторе// Тезисы докладов конференции «Кремний 2016». – 2016. С. 103
Ученый секретарь
диссертационного совета Д212.131.02
кандидат физико-математических наук Л.Ю. Фетисов
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
