Отзыв ФГУП РНИИРС (1091187)
Текст из файла
УТВЕРЖДАЮ Первый заместитель директора Федерального государственного унитарного предприятия Ростовскийна-Дону научно-исследовательский т-;,„ радиосвязи» Федерального :",нау",~ц1~.ирооз~одственного центра ~ ' '- ':,!' '-"'-~,„..~, '~.;-„:.' Ф.;~ф~ В.П. КОМОР 'ж'.;:". ' "" ' „;"'.:.")' «А5» ~ ~~ 2017 г.
ОТЗЫВ на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьевича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01— «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ ДИССЕРТАЦИИ Диссертационная работа Дроздова Д.Г.
посвящена научно-технической задаче разработки отечественного технологического процесса, обеспечивающего создание комплементарных биполярных транзисторов с граничными частотами более 10 ГГц. Данный процесс актуален не только для использования в быстродействующих и прецизионных операционных усилителях. С помощью такого процесса возможна разработка СВЧ МИС 1.-, Б-, С- диапазонов частот, способных конкурировать с МИС на основе кремний-германиевых и арсенид-галлиевых технологических процессов в указанных диапазонах частот за счет меньшей стоимости изготовления интегральных схем.
ДОСТОВЕРНОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ В ДИССЕРТАЦИИ РЕЗУЛЬТАТОВ Достоверность полученных в диссертации результатов подтверждается результатами экспериментальных исследований интегральных элементов комплементарных биполярных технологических процессов, БиКМОП процессов, а также мощных СВЧ биполярных транзисторов, адекватностью используемых моделей, корректным применением математического аппарата, результатами рецензирования опубликованных основных положений диссертации в ведущих научных изданиях. НОВИЗНА ОСНОВНЫХ ВЫВОДОВ И РЕЗУЛЬТАТОВ ДИССЕРТАЦИИ Новизна основных выводов и результатов диссертации состоит в том, что автором определены параметры моделей ионной имплантации, диффузии и окисления для режимов формирования областей кремниевых комплементарных биполярных транзисторов, для формирования активной базы без применения низкоэнергетической имплантации и быстрого термического отжига.
Показана возможность повышения симметрии динамических параметров транзисторов за счет градиентного профиля распределения примеси в коллекторе р-п-р-транзистора, сформированного двойной имплантацией в эпитаксиально-план арном технологическом процессе с толщиной пленки 2 мкм и комбинированной изоляцией элементов ИМС. Разработана последовательность технологических операций СВЧ комплементарного биполярного технологического процесса, для которой определены режимы формирования областей пассивной и активной базы, обеспечивающие повышение симметрии динамических параметров.
Предложена конструкция диода Шоттки с охранными кольцами р-типа проводимости, интегрированная в исследуемый технологический процесс, и обеспечивающая значение частоты среза ~с > 260 ГГц при 1.1п~оь > 15 В. Предложен метод дополнительного «тормозящего» легирования, позволяющий управлять процессом обратной диффузии из скрытых слоев коллектора, и способный обеспечить в рамках исследуемого технологического процесса симметрию значений не только динамических, но и статических параметров и- и р-канальных полевых транзисторов с управляющим р-и переходом.
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ Теоретическая значимость полученных результатов состоит в том, что для определения режимов проведения технологических операций при формировании интегральных элементов технологического процесса, автором исследование моделей приборно-технологического выполнено моделирования современного САПР Беп1аигив ТСАВ. С учетом результатов исследований проводилось моделирование технологического маршрута в целом, а также отдельных интегральных элементов. Для повышения значений граничной частоты как п-р-п-, так и р-и-ртранзисторов автор рассматривает оптимизацию профилей распределения примеси, а также элементов конструкции транзисторов. Особо стоит отметить, что при оптимизации параметров не применяется сокращение проектных норм (не менее 1 мкм), что могло бы существенно сократить величины паразитных емкостей, влияющих на значения граничной частоты.
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ Результаты исследований использованы при оптимизации элементов ИМС, применяемых при разработке быстродействующих ИМС в ОКР «Двинянин», «Лисица-Ку», «Липтон-Ку», исследованиях конструктивно- технологических базисов ИМС, разрабатываемых в НИР «Пеликан-Б», ОКР «Изотопия», «Цифра-5», «Цифра-8», «Цифра-16», «Высотка-13», СЧ ОКР «Победа-П», «Вихрь». Результаты работы внедрены в процесс разработки и производства ИМС (1324УВб, 1348ЕТ2, 1324МП2, 1324ПС5 (А4505)), освоенных в серийном производстве. ЗАМЕЧАНИЯ И РЕКОМЕНДАЦИИ ВЫВОДЫ 1.
Несмотря на сделанное замечание, судя по автореферату, диссертация Дроздова Дмитрия Геннадьевича выполнена на высоком научно-техническом уровне и соответствует специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника„радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. 2. Диссертация Дроздова Дмитрия Геннадьевича представляет собой научно-квалификационную работу, в которой изложены новые научно обоснованные технические и технологические решения и разработки, имеющие существенное значение для развития страны. Геннадьевича «СВЧ 3. Диссертация Дроздова Дмитрия комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов» удовлетворяет требованиям пункта 9 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 года №842, предъявляемым к кандидатским диссертациям.
В качестве замечания к автореферату стоит отметить, что в нем не представлены значения и зависимости для максимальной частоты генерации СВЧ комплементарных биполярных транзисторов, что является важным параметром при разработке целого класса СВЧ МИС. 4. Дроздов Дмитрий Геннадьевич заслу>кивает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Начальник сектора ФГУП Толстолуцкий Сергей Иванович 4> «Ростовский-на-Дону научноисследовательский институт «Г»;.- 2017 г. радиосвязи», к.т.н. (специальность 05.12.21), доцент Адрес: 344038, г. Ростов-на-Дону, ул, Нансена, 130 электронный адрес: го1з1о1ыМсу зц ®гпа11.го, тел.; +7 (Зб3) 250-99-68 .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.