Отзыв на авторефферат МИЭТ (1091190)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

отзыв на автореферат диссертации Дроздова Дмитрия Геннадьсвича «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах В диссертационной работе Дроздова Д.Г. с использованием средств приборно- технологического моделирования проведено исследование и разработка комплементарного биполярного технологического процесса, включающего в себя сверхвысокочастотные комплементарные биполярные транзисторы, п- и р-канальные полевые транзисторы с управляющим р-и переходом и диоды Шоттки. Исследование выполнено с целью создания отечественного технологического процесса изготовления современных биполярных аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем, что делает его важным и актуальным.

При разработке современных технологических маршрутов с помощью методов приборно-технологического моделирования крайне важным является выбор и калибровка моделей. В данной работе представлен подробный анализ моделей различных технологических операций, а также режимов их проведения с учетом специфики использования отечественных производственных мощностей. С помощью разработанного метода оценки качества моделей проведен их выбор и настройка параметров для решения задач конкретной работы — разработки процесса формирования транзисторов с граничными частотами 10 — 15 ГГц. Проанализировано влияние шага конечно-разности ой сетки для технологического и приборного моделирования; выбраны модели ионной имплантации и диффузии примесей при формировании эмизтера, в том числе и модель диффузии из легированного поликремния, проведена настройка моделей расчета электрофизических параметров.

Представленные методы использованы при оптимизации высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса, мощных СВЧ транзисторов и могут применяться для других полупроводниковых приборов подобного класса. С учетом предложенных методов приборного-технологического моделирования автором проведены исследования влияния режимов формирования коллектора и базы и-р-и- и р-п-р-биполярных транзисторов на граничную частоту и пробивное напряжение приборов и определены режимы, обеспечиваюгцие согласование электрических характеристик транзисторов, формируемых в одном технологическом маршруте.

Также на базе маршрута создания комплементарных биполярных транзисторов разработаны маршруты создания диодов Шоттки и транзисторов с управляющим р-ппереходом. Средствами приборно-технологического моделирования исследовано влияние режимов формирования на электрические характеристики диодов Шоттки с р+-охранными кольцами и комплементарных Л" ЕТ.

Результаты моделирования согласуются с результатами измерений экспериментальных кристаллов. В качестве замечания к работе стоит отнести недостаточно подробное описание вопросов повышения скорости расчетов, а также экономии вычислительных мощностей, что являлось критерием выбора расчетов с помощью аналитических моделей. Также в автореферате недостаточно полно приведено сравнение результатов моделирования и измерений, в частности не показано влияние технологического разброса на измеряемые электрические характеристики. Несмотря на замечание, считаю.

что диссертационная работа «СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов», соответствует требования ВАК РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. К.т.н., доцент каф.

ИЭМС МИЭТ Красюков А.Ю. .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации