Диссертация (1090210), страница 29
Текст из файла (страница 29)
Осипов, В.П. Пономаренко, А.Ю. Селяков // Микроэлектроника. –1997. – Т. 26, № 1. – С. 12-20.95. Акимов, В.М. Методы повышения надёжности гибридизации кристал-лов [Текст]/ В.М. Акимов, К.О. Болтарь, Л.А. Васильева [и др.]//Успехи прикладной физики. – 2015. – т.3,№3. – 281-286.96. Тришенков, M.А.Фотоприемныеустройстваи ПЗС[Текст]/M.А. Тришенков // М.: Радио и Связь. – 1992. – 400с.97. Алтухов, А.А. Линейные фотоприемные устройства ультрафиолетово-го диапазона на природных алмазах [Текст]./ А.А. Алтухов, А.Ю.
Митягин,В.С. Фещенко [и др.]// Инженерная физика. – 2007. – №6. –С. 36 – 40.98. Altukhov, A.A. A 128х128 Pixel Ultraviolet Photodetector Based on a Diamond Sensor [Text]// A.A. Altukhov, A.Yu. Mityagin, N.Kh. Talipov, V.A. Shepelev, V.S. Feshchenko / Journal of Communications Technology and Electronics. –2010. – v. 55, № 6. – P.764 – 768.99.
Алтухов, А.А. Техническое зрение в УФ-диапазоне излучения на осно-ве алмазных материалов [Текст]./ А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко// Chip News. – 2008. – №7 (131). – С. 26 – 29.100. Фещенко, В.С. Матричный фотоприемник для регистрации изображе-ний в ультрафиолетовой области спектра [Текст]./ В.С. Фещенко, А.А. Алтухов,А.Ю. Митягин [и др.]// Датчики и системы. – 2010.
– № 1. – С. 50 – 53.203101. Алтухов, А.А. Солнечно-слепые датчики УФ-излучения на основеприродного алмаза 2-А типа [Текст]. / А.А. Алтухов, В.С. Фещенко, В.А. Шепелев // Х Научно-техническая конференция «Молодёжь в науке» 1-3 ноября2011г., г. Саров, Россия, Аннотации докладов// Саров. – 2011.
– С.139.102. Фещенко, В.С. О возможности создания комплексированного инте-грального матричного фотоприемника для ИК и УФ диапазонов спектра на основе микроболометров и карбида кремния. [Текст]/ В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин [и др.]// Известия академии Инженерных Наук им. А.М.Прохорова. – 2013. – №3. – С.84 – 88.103. Фещенко, В.С. Многоспектральный фотоприeмник на основе алмаза.[Текст]/ В.С.
Фещенко, А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин [и др.]// Известия акаде-мии Инженерных Наук им. А.М. Прохорова. – 2013. – №3. – С.89 – 93.104. Алтухов, А.А. Одноэлементные и многоэлементные детекторы УФизлучения на основе широкозонных (алмаз и карбид кремния) материалов.[Текст]/ А.А. Алтухов, В.А. Буробин, В.С. Фещенко [и др.]// Труды XXIII Меж-дународной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборамночного видения, 28-30 мая 2014г.,/ М.: ОАО «НПО «Орион». – С.
237-240.105. Фещенко, В.С. Комплексированный ИК+УФ интегральный фотопри-ёмник на основе микроболометров и SiC [Текст]/ В.С. Фещенко, А.А. Алтухов,Ю.В. Гуляев [и др.]// Тезисы докладов Российской конференции по актуальнымпроблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника» 12-16 октября2015г., Новосибирск. – С. 113.106. Бородин, Д.В. Матричный мультиплексор с кадровым накоплениемдля фотоприемных устройств [Текст]./ Д.В. Бородин, Ю.В. Осипов // Прикладная физика, 2003.
– №6. – C.98-99).107. Harman, G. Wire Bonding In Microelectronics [Text]/ G. Harman // NewYork etc.: McGraw-Hill Professional. – 2010. – 446 p.108. Лабусов, В.А. Многокристальные сборки линеек фотодиодов дляатомно-эмиссионного спектрального анализа [Текст]/ В.А. Лабусов// Заводская204лаборатория. Диагностика материалов. Специальный выпуск. – 2007. – т.73. 1317.109. Акимов, В.М. Модифицированная топология индиевых микроконтак-тов [Текст]/В.М. Акимов, К.О. Болтарь, Л.А. Васильева [и др.]// Прикладнаяфизика.
– 2015. – №1. – 51-55.110. Пат. США US 4930001 A, МПК H01L21/60, H01L21/603, H01L23/485,C25D3/48, C25D7/12, C23F1/00 Alloy bonded indium bumps and methods ofprocessing same [Text]/ Williams Ronald L.: патентообладатель Hughes AircraftCompany. – US 07/327,867; заявл. 23.03.1989; опубл. 29.05.1990. – 9 с. с ил.111. Пат. США US5186379 A МПК H01L23/485 Indium alloy cold weldbumps [Text]/ Carlyle L., Helber Jr.: патентообладатель Hughes Aircraft Company.- US 07/904,917; заявл. 25.06.1992; опубл.
16.02.1993. – 3 с. с ил.112. Болтарь, К.О. Твердотельная фотоэлектроника ультрафиолетовогодиапазона (обзор) [Текст]/К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.П. Пономаренко [идр.]//Успехи прикладной физики. – 2014. – т.2,№6. – С.623-633.113. Аксененко, М.Д. Микроэлектронные фотоприемные устройства[Текст]./ М. Д. Аксененко, М.Л. Бараночников, О.В.
Смолин. – М.: Энергоато-маздат, 1984. – 208 с.114. Бараночников, М.Л. Фотоприемные устройства на основе фоторези-сторов из природного алмаза [Текст]./ М.Л. Бараночников, Н.А. Гладкова, Ф.В.Скрипник // В сборнике Алмаз в электронной технике: сб. н. тр/ М.: Энергоатомиздат, 1990. – С. 128 – 139.115. Электронные приборы на основе природного алмаза [Текст]: Про-спект: разработчик и изготовитель ЗАО АЛРОСА. – М., 2001. – 18 с.: 29 см.
–500 экз.116. Фещенко, В.С. Фотоприёмное устройство УФ диапазона спектра наоснове алмазного одноэлементного фотодетектора. [Текст]/ В.С. Фещенко, А.А.Алтухов, А.Ю. Митягин, [и др.]// Датчики и системы. – 2011. –№ 5. – С. 44 – 47.205117. Altukhov, A.A. An UV-range Photodetector Based on a Diamond Photosensor. [Text]/ A.A. Altukhov, Yu. A.
Mityagin, V.S. Feshchenko [at. all.]// Automation and Remote Control, Vol. 74, No. 2, 2013, pp. 282 – 287.118. Exploring the Atmosphere [Text]. /By G. M. B. Dobson// Oxford:Clarendon Press, 1963. – 188 p.119. Фещенко, В.С. Прибор наблюдения в УФ диапазоне спектра на осно-ве матричного алмазного многоэлементного фотодетектора [Текст]./ В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, [и др.]// Датчики и системы.
– 2011. –№ 8. – С. 47 – 49.120. Pace, Emanuele. UV-induced photoconduction in diamond [Text] / Emanuele Pace, Antonio De Sio and Salvatore Scuderi //Carbon. Topics in Applied Physics. – 2006. – v. 100. – P. 463-504.121. Поршнев, С.В. MATLAB 7. Основы работы и программирования.Учебник. [Техт]/ С.В. Поршнев, М.: Бином. Лаборатория знаний, 2006г. – 320 с.122. Гонсалес, Р. Цифровая обработка изображений в среде MATLAB[Техт]/ Р. Гонсалес, Р. Вудс, С. Эддинс М.: Техносфера, 2006. – 616 с.123. Фещенко, В.С. Высокоскоростной четырёхканальный детектор ульт-рафиолетового излучения [Текст]./ В.С.
Фещенко, А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, [и др.]// Датчики и системы. – 2011. – № 2. – С. 37 – 40.124. Тымкул, В.М. Отражение оптического излучения телами с направ-ленно-рассеивающим покрытием [Техт]/ В.М. Тымкул, Л.В. Тымкул, К.В. Кудряшов // Известия высших учебных заведений/ Приборостроение. – 2007. – т.50. – № 10. – С. 58 – 63.125.
Gray, N.F. Water Pollution [Text] / N.F. Gray// Water Technology: ThirdEdition. – 2010. – P.117-148.126. Elkins, H.B Industrial Health Hazards in Treatise of Analytical Chemistry[Text] / H.B. Elkins, L.D. Pagnotto / Ed. I.M. Kolthoff, P.J. Elving// Part III, Vol.
4,Section B, Wiley-Interscience (1980).127. Water treatment handbook [Text] / Degremont. – 5.ed. - New York etc. :Wiley. – 1979. – 1186 с. : ил..206128. Бланк, Т.В. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи дляультрафиолетовой области спектра [Текст]/ Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг//ФТП.−2003.−т.37.−вып.9.−с.44.129. Анисимова, И.Д. Фотоприемники ультрафиолетового диапазона наоснове широкозонных соединений А3В5 [Текст]/ И.Д. Анисимова, В.И. Старбеев //М.: Прикладная физика, 1999.
– 230 с.130. Omnès, F. Wide bandgap UV photodetectors : A short review of devicesand applications [Text]// F. Omnès, E. Monroy, E. Muñoz et all. – Proc. of SPIE. –V. 6473. – 2007. – 64730E – 1-15.131. Ральченко, В. CVD-алмазы: Применение в электронике [Текст] // В.Ральченко, В. Конов/ Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2007. – № 4. –С. 58-67.132. Фещенко, В.С. Новые направления использования природных алма-зов для создания устройств экологического мониторинга для промышленности[Текст]/В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, Т.Б. Теплова [и др.]// СТИН.
– 2015.-№11. – С. 37—40.133. Соловьёв, А.М. Использование оптических датчиков видимого, ульт-рафиолетового и инфракрасного диапазонов для определения ориентации наноспутника [Текст]// А.М. Соловьёв / Вопросы электромеханики. – 2011. –Т.121. – С. 35 – 38.134. ГОСТ 8.207-76. Прямые измерения с многократными наблюдениями.Методы обработки результатов наблюдений. Основные положения. –Введ.1977-01-01. – М.: Изд-во стандартов, 1986. – 10 с.135. Бастль, В.
Измерения в промышленности: Справочник [Текст].: в 3 т./В. Бастль, Г. Бендит, П. Бервегер [и др.].– М.: Металлургия, 1990. – 1220 с.207ПРИЛОЖЕНИЕ А. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК АЛМАЗНЫХОДНОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТОДЕТЕКТОРОВА.1 Общие требования к условиям, обеспечению и проведениюисследованийА.1.1 Место проведения испытаний.Испытания производятся в ООО «ПТЦ «УралАлмазИнвест»А.1.2 Условия проведения испытанийВсе испытания и измерения изделия, если нет особых указаний, должны бытьпроведены в нормальных климатических условиях по ГОСТ РВ 20.57.416 иГОСТ 17772 с дополнениями и уточнениями, приведенными в данном подразделе.Исследование изделий проводят при нормальных климатических условиях,установленных ГОСТ РВ 20.57.416, п.4.7.Климатические условия:нормальные климатические условия:температура окружающей среды: 297±30К (24±30С);относительная влажность воздуха: 63% - 70%;атмосферное давление: (746 – 754) мм рт.ст.Напряжение смещения, подаваемое на чувствительный элемент – 30 – 100 В.Напряжение питания мультиплексора –5 В.А.2 Методика измерения темнового токаВ соответствии с [67] измерение темнового, общего тока и фототока алмазных одноэлементных фотодетекторов УФ диапазона (АОФД) осуществляетсяпри немодулированном излучении от источника.Измерение следует проводить на измерительной установке, функциональнаясхема которой приведена на рисунке А.1.208АОФД следует поместить в посадочное место измерительной установки,подключить его к измерительной цепи, закрыть светозащитным экраном и установить режим измерения в соответствии с требованиями ТУ на АОФД конкретного типа.
Источник излучения при этом не включаютают.Рис. А.1 Функциональная схема измерительной установки (1 – источник излучения;2 – АОФД; А – измеритель тока; V – измеритель напряжения; G - источникпитания; (пунктиром показан светозащитный экран)Для измерения темнового тока АОФД устанавливают напряжение питанияАОФД в соответствии, с требованиями ТУ на АОФД конкретного типа и по показаниям измерителя тока регистрируют значение темнового тока АОФД.Если в ТУ на АОФД конкретного типа предусмотрено проводить измерениетемнового тока после предварительного освещения его световым потоком, тоуровень освещенности, время освещения и промежуток времени между снятиемосвещенности и измерением темнового тока должны соответствовать ТУ наАОФД конкретного типа,Погрешность измерения темнового тока, общего тока и фототока не должнавыходить за пределы интервала ±5% с заданной вероятностью P=0,95.Результаты измерений, выполняемых при определении каждого параметра(характеристики), заносят в протокол, подписанный исполнителем измерений,по произвольной форме.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
