Диссертация (1090210), страница 28
Текст из файла (страница 28)
– pp. 1-7.50. Zaitsev, A.M. Optical Properties of Diamond. Data Handbook. A.M. Zaitsev. Springer Science & Business Media, 2001, p. 12951. Bennet, K.E. Development of Conductive Boron-Doped Diamond Electrode: A microscopic, Spectroscopic, and Voltammetric Study./ K.E. Bennet et al.//Materials, 2013. – 6. – рр. 5726-5741.52. Справочник по лазерам/ под. ред. А.М. Прохорова. В II томах, Том. 1//М.: Советское Радио, 1978 г. – 503 с.53.
Алтухов, А.А. Алмазные фотоприёмники ультрафиолетового диапазо-на [Текст]./ А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко [и др.]// Технология иконструирование в электронной аппаратуре. – 2007. – №4. – С. 29 – 31.54. Алтухов, А.А. Ультрафиолетовые фотоприемники на основе природ-ных алмазов [Текст]./ А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко [и др.]// Радиотехника и электроника. – 2007. – т.52. – №3.
– С.381 – 384.19855. Броудай И. Физические основы микротехнологии [Текст]: [Пер. сангл.] / И. Броудай, Дж. Мерей. – М.: Мир, 1985. – 496 с.56. Киреев, В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехно-логии [Текст] /В.Ю.
Киреев – М.:ФГУП «ЦНИИХМ», 2008. – 432 с.57. Алтухов, А.А. Система радиационного контроля на основе алмазногодетектора ионизирующих излучений [Текст]./ А.А. Алтухов, А.О. Герасимов,В.С. Фещенко [и др.]// Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. – 2009. – №12. – С.41 – 44.58. Березин, Г.Н. Оптические основы контактной фотолитографии[Текст]./ Г.Н. Березин, А. В. Никитин, Р. А.Сурис. – М.: Радио и связь, 1982. –104 с.59. Древинг, В.П. Правило фаз. С изложением основ термодинамики /В.П. Древинг, Я. А. Калашников.
– 2-е изд. перераб. и доп. – М.: Издательствомосковского университета, 1964. – 456с.60. Gippius, A.A. Defect-induced graphitisation in diamond implanted withlight ions [Text]/ A.A. Gippius, R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravm at all// Physica B. –2001. – 308-310. – pp. 573-57661. Field, J.E. Properties of Natural and Synthetic Diamond [Text]/ J.E.
Field. –London: Elsevier-Academic Press, 2010. – 400 p.62. Jian, X.G. Precise and Quantitative Evaluation of the Adhesive Strength ofDiamond Thin Films by Bulge/Blister Test [Text]/ X. G. Jian, M. Chen, F. H. Sun at.all.//Key Engineering Materials. – 2004. – V. 259-260. - P. 91-96.63. Naidich, Yu.I. Strength of the Diamond-Metal Interface and Soldering ofDiamonds [Text]/ Yu I.
Naidich, V. P. Umanskii, I. A. Lavrinenko. – London: Cambridge Int Science Publishing, 2007. – 160 p.64. Арцимович, Л.А. Плазменные ускорители [Текст]./Л. А Арцимович. –М.: Машиностроение, 1973. – 126 с.65. Волков, В.А. Сборка и герметизация микроэлектронных устройств[Текст]./В.А. Волков. – М.: Радио и связь, 1982. – 144 с.19966.
Алтухов, А.А. Автоматизированный стенд для измерения параметровфоточувствительных структур ультрафиолетового диапазона [Текст]./ А.А. Алтухов, А.М. Клочкова, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко [и др.]// Приборы и техника эксперимента. – 2010. – № 3. – С. 159 – 160.67. ГОСТ 17772-88. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлек-трические и фотоприемные устройства.
Методы измерения фотоэлектрическихпараметров и определения характеристик [Текст]. – Введ.1989-07-01. – М.: Издво стандартов, 1988. – 64 с.: ил. 21 см.68. Тревис, Дж. LabVIEW для всех [Текст]./ Дж. Тревис. – М.:ДМК Пресс:ПриборКомплект, 2005. – 544 с.69. Алтухов, А.А. Спектры фоточувствительности структур на основеприродного алмаза [Текст]// А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко и др./Materialy VII mezinarodni vedecko-prakticka conference «Aktualni vymozenosti vedy – 2011».
– Dil. 19. Technichke vedy: Praha. Publishing Hause «Education andScience». – P. 57 – 65.70. Фещенко, В.С. Спектры фоточувствительности структур на основеприродного алмаза [Текст]./ В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин [и др.]// Materialy VII mezinarodni vedecko-prakticka conference «Aktualni vymozenostivedy – 2011». – Dil. 19. Technichke vedy// Praha: Publishing Hause «Education andScience».
– 2011. – pp. 57 – 65.71. Алтухов, А.А. Исследование процессов в алмазных датчиках УФ-излучения на основе спектрально-вольтамперных характеристик. [Текст]. / А.А.Алтухов, В.С. Фещенко, В.А. Шепелев // Х Научно-техническая конференция«Молодёжь в науке» 1-3 ноября 2011г., г. Саров, Россия, Аннотации докладов//Саров. – 2011. – С.139.72. Шепелев, В.А. Cолнечно-слепые датчики УФ излучения на основеприродного алмаза 2а-типа [Текст]// В.А. Шепелев, А.А.Алтухов, В.С.
Фещенко/Сборник докладов X научно-технической конференции «Молодёжь в науке». –г. Саров. – 2011. – С.500-502.20073. Гуревич, М.М.Фотометрия[Текст]/М.М. Гуревич;М:Энергоатомиздат, 1983. – 268 с. – 7500 экз.74. Howell, S.B. Handbook of CCD Astronomy [Text]/S.B.
Howell// Cambridge, New York, Melbourne, Madrid, Cape Town, Singapore, São Paulo: Cambridge University Press. – 2006. -208 p.75. Гуляев, Ю.В. Двухспектральные алмазные гибридные фотоприемники[Текст]// Ю. В. Гуляев, А.Ю. Митягин, В.С. Фещенко и др. / Доклады Академиинаук. – 2013. – т. 450. – № 4. – С. 401 – 405.76. Shepelev, V.A. Manifestation of diffraction effects in multiband multipixeldiamond-based photodetectors. [Text]/ V.A. Shepelev, A.A.
Altukhov, V.S. Feshchenko// The 21th annual International Conference on Advanced Laser TechnologiesALT’13 Budva, Montenegro September 16–20, 2013, Book of abstracts. – P.5677. Clark, B. UV Spectroscopy: Techniques, instrumentation and data handling.[Text]/ B. Clark, T. Frost, M.Russell // London, N. Y.: Chapman & Hall: Springer,1993. – 146 p.78.
Фещенко, В.С. О возможности управления спектральными характери-стиками алмазного фотодетектора и его применение в анализе многокомпонентных смесей [Текст] / В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, В.А. Шепелев [и др.]//Нано-и Микросистемная техника. – 6(179). – 2015. –С.33-3379. Фещенко, В.С. Оптоэлектронное устройство для бесконтактного экс-пресс – анализа степени загрязнения сточных вод нефтепродуктами [Текст]/В.С. Фещенко, А.А. Алтухов, В.А. Шепелев [и др.]// Тезисы докладов Научногофорума БРИКС, Международной научно практической конференции «Вода:Оборудование, технологии, материалы в промышленности и энергетике», 21-22сентября 2015г., СПБ.: Информационно-образовательный центр ГУП «Водоканал Санкт-Петербурга».
– С. 33-3580. Алтухов, А.А. Разработка алмазного фотодетектора ультрафиолетово-го диапазона [Текст]/ А.А. Алтухов, В.С. Фещенко, В.А. Шепелев [и др.]// Измерительная техника. – 2016. – №1. –С.30-32.20181. Тришенков, М.А. Твердотельная фотоэлектроника: Сегодня и завтра.Первая часть [Текст]/ М. А. Тришенков, И. И. Таубкин, А. М. Филачев. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы.
– 2008. – С. 65-74.82. Тришенков, М.А. Твердотельная фотоэлектроника: Сегодня и завтра.Вторая часть [Текст]/ М. А. Тришенков, И. И. Таубкин, А. М. Филачев. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2009. – С. 3-19.83. Тришенков, М.А. Твердотельная фотоэлектроника: Сегодня и завтра.Третья часть [Текст]/ М. А.
Тришенков, И. И. Таубкин, А. М. Филачев. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2010. – С. 31-44.84. Алтухов, А.А. Алмазные многоэлементные фотоприемные устройстваУФ диапазона [Текст]./ А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, А.М. Клочкова [и др.]//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – №3. –С.3-6.85. Тришенков, М.А. Фотоприёмные устройства и ПЗС.
Обнаружение сла-бых оптических сигналов [Текст]/ М. А. Тришенков. – М.: Радио и связь. –1992. – 400 с.86. Климов, А.Э. Многоэлементные фотоприемные устройства дальнегоИК−диапазона на основе гетероэпитаксиальных пленок PbSnTe, легированныхIn, на BаF2/ А.Э. Климов, В.Н. Шумский // В кн. Матричные фотоприемныеустройства инфракрасного диапазона. Под ред. С.П. Синицы.
Новосибирск:Наука,− 2001 г. – 375 с.87. Бейкер, В.Д. Приборы с зарядовой связью [Текст]/В.Д. Бейкер, Д.Ф.Барб, Х.К. Бурке [и др.]/ Под. ред. Д.Ф.Барба// М.: Мир. – 1982. – 240 с.88. Богомолов,П.А.ПриемныеустройстваИКсистем[Текст]/П.А.Богомолов, В.И.Сидоров, И.Ф.Усольцев // М.: Радио и связь. – 1987. – 147с.89. Masek, J. Monolithic Photovoltaic PbS-on-Si Infrared-Sensor Array [Text]/J. Masek, A.Ishida, Hans Zogg [at.
al.] //IEEE Electron Device Letters. – 1990. –V.11, № 1. – p.12-14.90. Audebert, P. 640 x 480 MCT 3 5 /im snapshot focal plane array [Text]/P. Audebert, D. Giotta, Е. Mottin et. all. // PROC. SPIE. – 1998. – V. 3379. – P. 577585.20291. Destefanis, G. High performance LWIR 256 x 256 HgCdTe focal plane array operating at 88K [Text]/ G. Destefanis, P.
Audebert, E. Mottin at all. // PROC.SPIE. – 1997. – v. 3061. – P. 111-115.92. Kanno, T. A 256 x 256 Element HgCdTe Hybrid IR FPA for 8-10 /im Band[Text]/ T. Kanno, H. Wada, M. Nagashima et. all // PROC. SPIE. – 1995. – V. 2552.– P. 384-391.93. Балиев, Д.Л. Матричное фотоприёмное устройство на основе антимо-нида индия формата 640х512 с шагом 15 мкм [Текст]/ Д.Л. Балиев, К.О. Болтарь, П.В. Власов [и др.] // Прикладная физика. – 2014. – №2. – P.41-44.94. Осипов, В.В. Новая гибридная фокальная матрица ИК диапазона[Текст]/ В.В.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
