ЗУ (1039363), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной ёмкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в составе одного ЭП и, следовательно, более плотным размещением ЭП в полупроводниковом кристалле. Однако микросхемы динамических ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации, в дополнительном оборудовании, в усложнении устройств управления.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ROM), полупостоянные запоминающие устройства (ППЗУ, PROM).
Постоянные и полупостоянные ЗУ предназначены для хранения информации, которая не изменяется в процессе решения задачи: различные константы, таблицы, программы специализированных ЭВМ. Постоянные (или долговременные) ЗУ предназначены только для считывания информации в процессе работы устройств ЭВМ. Скорость считывания в ПЗУ должна быть сравнима со скоростью работы узлов процессора. Структурная схема ПЗУ приведена на рис. 3.
|
|
| |||||||||||||||||||||||
……. | |||||||||||||||||||||||||
РгА | |||||||||||||||||||||||||
|
|
| |||||||||||||||||||||||
……. | Блок местного управления (БМУ) | ||||||||||||||||||||||||
ДшА |
| ||||||||||||||||||||||||
ФТА | |||||||||||||||||||||||||
|
|
|
| ||||||||||||||||||||||
НИ |
| ||||||||||||||||||||||||
БУСч |
| ||||||||||||||||||||||||
|
|
|
| ||||||||||||||||||||||
РгИ | |||||||||||||||||||||||||
Рис. 3. Структурная схема ПЗУ.
Постоянная, не изменяемая в процессе работы ЭВМ информация записана в накопителе информации (НИ). Как правило, ПЗУ строятся по принципу внешней выборки. Код адреса числа принимается в регистр адреса РгА и дешифрируется дешифратором адреса ДшА. Выходной сигнал с ДшА используют для возбуждения одного из формирователей адресного тока ФТА. Выходные сигналы с НИ усиливаются блоком усилителей считывания БУСч и заносятся в виде кода в выходной информационный регистр РгИ. Необходимая последовательность управляющих сигналов формируется с помощью блока местного управления (БМУ).
Накопители информации строятся с использованием различных запоминающих элементов. По характеру занесения и возможностям замены информации, накопители информации ПЗУ можно разделить на накопители с фиксированной записью информации, электрической перезаписью информации, механической перезаписью информации.
В накопителях первой группы, невозможно изменить информацию. В накопителях второй и третьей группы, называемых иначе полупостоянными (перепрограммируемыми) ЗУ или ЗУ с неоперативной сменой информации, возможно изменение информации вне машины или при нахождении блока внутри машины, но со скоростью меньшей скорости работы машины.
Наибольший интерес представляют электрически программируемые ПЗУ, поскольку электрическая перезапись обеспечивает неоднократную перепрограммируемость содержимого накопителя ПЗУ.
Широкий диапазон применения ПЗУ (ROM) в вычислительной технике обусловлен тем, что они сохраняют данные при выключении питания. Побочным эффектом оказывается невозможность записи. Существует довольно много типов микросхем ROM. В обычные ROM запись осуществляется в ходе технологического процесса производства и в дальнейшем изменить их содержимое невозможно.
Микросхемы программируемых ROM (PROM) выпускаются «чистыми» и допускают запись с помощью программатора. После того как PROM запрограммировано, стереть его содержимое невозможно.
Микросхемы стираемых PROM (EPROM) имеют небольшое окно, через которое их содержимое можно стереть ультрафиолетовым светом. После стирания их можно перепрограммировать с помощью программатора. Эти EPROM получили широкое применение в вычислительной технике.
Внешние запоминающие устройства (ВЗУ).
Внешние ЗУ, работающие со сравнительно малой скоростью, предназначены для хранения больших массивов информации. Для построения внешнего ЗУ с большой информационной ёмкостью, высокой надёжностью и малыми аппаратурными затратами, широко используется носитель информации, выполненный в виде тонкого слоя магнитного материала. Этот слой имеет толщину от нескольких единиц до десятков микрометров. Для практического использования он наносится на соответствующую основу в виде ленты, диска, барабана и т. д.
В ЗУ с накопителем на магнитной ленте носитель информации наносится на тонкую ленту из какого-либо полимерного материала. Обычно магнитная лента хранится в кассетах (катушках). Для увеличения информационной ёмкости используют катушки с лентами до нескольких сотен метров. (Например, в аппаратуре магнитной записи АСУ 73Н6 используется магнитная лента длинной 1000 метров.)
Работа запоминающего устройства на магнитной ленте сводится, в простейшем случае, к записи или чтению магнитной головкой импульсов соответствующих символам информационного слова и тактов синхронизации; при этом слова записываются и считываются последовательным кодом.
Достоинства ЗУ с накопителем на магнитных лентах следующие:
-
практически неограниченная информационная ёмкость при наличии сменных катушек;
-
возможность обмена катушками между вычислительными средствами;
-
наиболее низкое отношение стоимости к информационному объёму из всех внешних устройств.
Недостатками являются:
-
малая надёжность из-за возможности механического нарушения покрытия ленты и его физического износа, а также износа головок вследствие контактной записи;
-
малое быстродействие.
В ЗУ с накопителем на магнитных дисках магнитный носитель информации (ферромагнитный слой) может быть нанесён с двух сторон на поверхность диска. На концентрических магнитных дорожках таких дисков возможна запись информации подобно записи на граммофонных пластинках. Некоторое количество дисков можно насадить на одну ось. Запись и считывание осуществляют магнитными головками. Может использоваться одна пара плавающих головок во всём устройстве, либо столько пар головок, сколько дисков в устройстве.
Достоинством ЗУ с накопителем на магнитных дисках является:
-
значительно большая информационная ёмкость;
-
возможность замены части или всех дисков для обмена информацией между ЭВМ;
-
небольшая стоимость хранения одного бита информации.
Недостатки:
-
более сложное техническое исполнение.
В ЗУ с накопителем на магнитном барабане используют покрытый слоем магнитного материала цилиндр, который вращается вокруг своей оси и блок магнитных головок, производящих запись и считывание информации параллельным кодом вдоль образующей. Число магнитных головок в блоке равно числу блоков, записываемых или считываемых параллельно.
Достоинства:
-
компактность и надёжность при величине информационной ёмкости до нескольких миллионов битов и времени выборки в десятки миллисекунд;
-
параллельная запись и выборка кодов со считыванием без разрушения информации, запись кодов чисел;
-
цикличность (периодичность) считывания.
Недостатки:
-
ограниченная информационная ёмкость;
-
значительная стоимость;
-
сложность эксплуатации.
В современных ПЭВМ в качестве внешних ЗУ могут использоваться носители информации на дискетах и компакт-дисках. В первом случае используется всё тот же ферромагнитный слой, нанесённый на полимерную основу. Во втором случае, для записи больших массивов информации с высокой плотностью, применяется оптический принцип модуляции светового луча, позволяющий фиксировать информацию на носителе.
Стоимость хранения одного бита информации в этих устройствах значительно ниже, а информационная плотность в единице объёма (ёмкость ЗУ) значительно выше.
Буферные запоминающие устройства (БЗУ).
Буферные ЗУ – ЗУ, предназначенные для промежуточного хранения информации при её обмене между устройствами, работающими с разной скоростью. Роль буферных ЗУ, как правило, выполняют регистровые схемы (например, в унифицированных адаптерах сопряжения) или ОЗУ с малой ёмкостью памяти (например, в аппаратуре передачи данных).
1.2. Характеристики запоминающих устройств.
Для сравнения запоминающих устройств различных типов рассматривают их следующие основные параметры:
-
информационная ёмкость;
-
быстродействие;
-
надёжность.
Информационной ёмкостью ЗУ называют наибольшее количество данных, которое может храниться в запоминающем устройстве. Ёмкость ЗУ измеряется количеством ячеек памяти (N), содержащихся в нём, с указанием их размерности n или в двоичных единицах (М) – битах. Очевидно, ёмкость ЗУ в битах определяется выражением: M = N n (бит)
Иногда ёмкость ЗУ указывают в байтах (1байт = 8 бит), килобайтах (1 кбайт = 210 байт), мегабайтах (1 Мбайт = 210 Кбайт = 220 бит). Ёмкость ЗУ – одна из важнейших характеристик ЭВМ. Она в значительной мере определяет класс решаемых задач и производительность машины.
Быстродействие ЗУ оценивается временем выборки информации (tв) и циклом обращения (tц).
Временем выборки (tв) называется интервал времени между моментом начала операции считывания и моментом выдачи считанной информации:
tв = tп + tсч , где
-
t п – время поиска ячейки по заданному адресу (признаку);
-
t сч – время считывания информации из ячейки ЗУ.
Циклом обращения (tц) называется интервал времени между двумя последовательными обращениями к памяти. Обычно tц > tв, так как дополнительно включает в себя еще и время восстановления информации в ячейке после считывания.
Надежность ЗУ – определяют числовыми значениями параметров конструктивной и информационной надежности.
Конструктивная надежность представляет собой вероятность безотказной работы всех элементов и компонентов ЗУ в заданном интервале времени при определенных условиях эксплуатации.
Информационная надежность определяет способность устройства сохранять, принимать и выдавать требуемую информацию без ее искажения при воздействии различного рода помех и допустимых неблагоприятных отклонениях параметров элементов (устройств) от номинальных значений при изменении условий эксплуатации.
Примечание: При разработке специальных средств вычислительной техники большое значение имеют такие параметры ЗУ, как габариты, масса, мощность потребления. Кроме того, к специальным ЗУ предъявляются особые требования по параметрам механических и климатических воздействий.