Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 29

PDF-файл Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 29 Технические науки (20009): Диссертация - Аспирантура и докторантураДиссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов) - PDF, страница2018-01-18СтудИзба

Описание файла

Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.

Просмотр PDF-файла онлайн

Текст 29 страницы из PDF

f tCharacteristics for Different Types of Si-based RF Bipolar Transistors// SiGe Technology and DeviceMeeting, 2006. ISTDM 2006. Third International. – IEEE, 2006. – С. 1-2.145. C. Schippel, F. Schwierz, J. Fu. On the fmax vs. ft characteristics for different types ofSi-based RF bipolar transistors// Internationales Wissenschaftliches Kolloquium Technische Universitat Ilmenau, – 2006146. Schippel C., Fu J., Schwierz F. The influence of collector dopant profile on breakdownvoltage and cutoff frequency of Si‐based RF bipolar transistors// Physica status solidi (c).

– 2006. –Т. 3. – №. 3. – С. 494-498.147. Pruijmboom A., Timmering C. E., Hageraats J. 18 ps ECL-gate delay in laterally scaled30 GHz bipolar transistors// Electron Devices Meeting, 1994. IEDM'94. Technical Digest.,International. – IEEE, 1994. – С. 825-828.148. Ugajin M. et al. Very-high fT and fmax silicon bipolar transistors using ultra-highperformance super self-aligned process technology for low-energy and ultra-high-speed LSI's//Electron Devices Meeting, 1995. IEDM'95., International. – IEEE, 1995. – С. 735-738..152149. Tsai C. et al.

A double-spacer technology for the formation of very narrow emitter (0.3μm) double-polysilicon bipolar transistors using 0.8-μm photolithography// Bipolar/BiCMOS Circuitsand Technology Meeting, 1995., Proceedings of the 1995. – IEEE, 1995. – С. 97-101.150. R.

Li, Y. Zhong, W. Xian, Y. Liu Studies on SIC Process for the Improvement of VPNPPerformance// Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2010 10th IEEE InternationalConference on. – 2010. – C. 132-134151. Wilson M. C. et al. New high-performance complementary bipolar technology featuring45-GHz NPN and 20-GHz PNP devices// Microelectronic Manufacturing '99. – International Societyfor Optics and Photonics, 1999. – С.

94-101.152. Palestri P. et al. A better insight into the performance of silicon BJTs featuring highlynonuniform collector doping profiles// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 2000. – Т. 47. – №.5. – С. 1044-1051.153. Ponomarev Y. V.

et al. A 34 GHz fT Bipolar Process with High-Energy-ImplantedCollector// Solid-State Device Research Conference, 1997. Proceeding of the 27th European. – IEEE,1997. – С. 408-411.154. Appels J. A. et al. Local oxidation of silicon and its application in semiconductor-devicetechnology// PHILIPS RESEARCH REPORTS. – 1970.

– Т. 25. – №. 2. – С. 118-132.155. Gan T. Modeling of chemical mechanical polishing for shallow trench isolation: дис. –Massachusetts Institute of Technology, 2000.156. Tsai H. H., Yu C. L., Wu C. Y. A bird's beak reduction technique for LOCOS in VLSIfabrication// Electron Device Letters, IEEE. – 1986. – Т. 7. – №. 2. – С.

122-123.157. Shaneyfelt M. R. et al. Challenges in hardening technologies using shallow-trenchisolation// Nuclear Science, IEEE Transactions on. – 1998. – Т. 45. – №. 6. – С. 2584-2592.158. Burghartz J. N. et al. Self-aligned bipolar epitaxial base npn transistors by selectiveepitaxy emitter window (SEEW) technology// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1991. – Т.38. – №.

2. – С. 378-385.159. Konaka S. et al. A 20-ps Si bipolar IC using advanced super self-aligned processtechnology with collector ion implantation// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1989. – Т. 36.– №. 7. – С. 1370-1375.160. Mikoshiba H., Homma T., Hamano K. A new trench isolation technology as areplacement of LOCOS// Electron Devices Meeting, 1984 International. – IEEE, 1984. – Т. 30.

– С.578-581.161. Fuse G. et al. A practical trench isolation technology with a novel planarization process//Electron Devices Meeting, 1987 International. – IEEE, 1987. – Т. 33. – С. 732-735.153162. Chen C. et al. A novel 0.25/spl mu/m shallow trench isolation technology// ElectronDevices Meeting, 1996.

IEDM'96., International. – IEEE, 1996. – С. 837-840.163. Pan J. T. et al. Planarization and integration of shallow trench isolation// VLSI MultilevelInterconnect Conference. – 1998. – С. 467-472.164. Ho A. P., Horng C. T. Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process: пат.4381953 США. – 1983.165. Sakai T. et al. High speed bipolar ICs using super self-aligned process technology//Japanese Journal of Applied Physics. – 1981. – Т. 20. – №. S1. – С. 155.166. Sakai T. et al.

Gigabit logic bipolar technology: advanced super self-aligned processtechnology// Electronics Letters. – 1983. – Т. 19. – №. 8. – С. 283-284.167. Yamamoto Y., Sakuma K. SDX: a novel self-aligned technique and its application tohigh-speed bipolar LSIs// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1988. – Т. 35. – №. 10. – С.1601-1608.168. Nakamura T. et al. 63 ps ECL circuits using advanced SICOS technology// ElectronDevices Meeting, 1986 International. – IEEE, 1986. – Т. 32. – С.

472-475.169. Glenn J. L., Neudeck C. W. High-speed fully self-aligned single-crystal contacted siliconbipolar transistor// Electronics Letters. – 1990. – Т. 26. – №. 20. – С. 1677-1679.170. Neudeck G. W., Bashir R. Triple self-aligned bipolar junction transistor: пат. 5286996США. – 1994.171. Kobayashi Y. et al. SST-BiCMOS technology with 130 ps CMOS and 50 ps ECL// VLSITechnology, 1990. Digest of Technical Papers. 1990 Symposium on. – IEEE, 1990. – С. 85-86.172. Shiba T. et al. SPOTEC-a sub-10 um2 bipolar transistor structure using fully self-alignedsidewall polycide base technology// 1991 Int.

Electron Devices Meeting Tech. Dig. – 1991. – С. 455 –458.173. Van Zeijl H., Nanver L. K. Base-contact proximity effects in bipolar transistors withnitride-spacer technology// Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005.Proceedings of 35th European. – IEEE, 2005. – С.

461-464.174. Inoh K. et al. Limitations of double polysilicon self-aligned bipolar transistor structure//Solid-State Device Research Conference, 1997. Proceeding of the 27th European. – IEEE, 1997. – С.528-531.175. Hunt P. C. Bipolar device design for high density high performance application// ElectronDevices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International.

– IEEE, 1989. – С. 791-794.176. Shiba T. et al. In situ phosphorus-doped polysilicon emitter technology for very highspeed, small emitter bipolar transistors// IEEE Transactions on Electron Devices. – 1996. – Т. 43. – №.6. – С. 889-897.154177. Van Zeijl H. W., Nanver L. K. LPCVD silicon nitride-on-silicon spacer technology//Proceedings 20th international symposium on microelectronics technology and devices.

Brazil. – 2005.– С. 153-162.178. Miwa H. Structure of complementary bipolar transistors: пат. 5955775 США. – 1999.179. Chen W. K. (ed.). VLSI technology. – CRC Press, 2003. – Т. 8.180. Barson F., Kemlage B. M. Method of producing shallow, narrow base bipolar transistorstructures via dual implantations of selected polycrystalline layer: пат. 4431460 США. – 1984.181. Lanzerotti L. D. et al. Suppression of boron outdiffusion in SiGe HBTs by carbonincorporation// Electron Devices Meeting, 1996. IEDM'96, International.

– IEEE, 1996. – С. 249-252.182. Desilets B. H., Hsieh C. M., Hsu L. L. Vertical bipolar transistor with recessed epitaxiallygrown intrinsic base region: пат. 5137840 США. – 1992.183. Patton G. L., Bravman J. C., Plummer J. D. Physics, technology, and modeling ofpolysilicon emitter contacts for VLSI bipolar transistors// Electron Devices, IEEE Transactions on. –1986. – Т. 33. – №. 11. – С. 1754-1768.184.

Maritan C. M., Tarr N. G. Polysilicon emitter pnp transistors// Electron Devices, IEEETransactions on. – 1989. – Т. 36. – №. 6. – С. 1139-1144.185. Milanović V. et al. CMOS foundry implementation of Schottky diodes for RF detection//Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1996. – Т. 43. – №. 12. – С.

2210-2214.186. Cowley A. M. Titanium-silicon Schottky barrier diodes// Solid-State Electronics. – 1970.– Т. 13. – №. 4. – С. 403-414.187. А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, Д.Л. Ануфриев, О.В. Мильчанин. Особенностиформирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники// ДокладыБГУИР. – 2006. №4 (16).

С. 53 - 58.188. Lee J. W., Lee B., Kang H. B. A High Sensitivity, CoSi–Si Schottky Diode VoltageMultiplier for UHF-Band Passive RFID Tag Chips// Microwave and Wireless Components Letters,IEEE. – 2008. – Т. 18. – №. 12. – С. 830-832.189. Sankaran S. et al. Schottky diode with cutoff frequency of 400 GHz fabricated in 0.18 μmCMOS// Electronics letters. – 2005. – Т. 41.

– №. 8. – С. 506-508.190. Shim D. et al. Complementary Antiparallel Schottky Barrier Diode Pair in a 0.13-LogicCMOS Technology// Electron Device Letters, IEEE. – 2008. – Т. 29. – №. 6. – С. 606-608.191. Pfeiffer U. R. et al. Schottky barrier diode circuits in silicon for future millimeter-waveand terahertz applications// Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on. – 2008.

– Т. 56.– №. 2. – С. 364-371.192. Rassel R. M. et al. Schottky barrier diodes for millimeter wave SiGe BiCMOSapplications// 2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. – 2006.155193. Stribley P.R., Subramaniam S.C. Schottky diode: пат. 2012/0211859 A1 США. – 2012.194. http://www.xfab.com/195. Amon S. et al. Compact BJT/JFET PTAT// Electronic Materials and Packaging, 2001.EMAP 2001. Advances in. – 2001. – С. 96-102.196. Misiakos K., Kavadias S. A silicon drift detector with a P-type JFET integrated in the Nwell anode// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators,Spectrometers, Detectors and Associated Equipment.

– 2001. – Т. 458. – №. 1. – С. 422-426.197. Levinzon F. A. Ultra-low-noise high-input impedance amplifier for low-frequencymeasurement applications// Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on. – 2008. – Т.55. – №. 7.

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5250
Авторов
на СтудИзбе
422
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее