Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 28
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 28 страницы из PDF
577-582.79. http://www.mikron.ru/80. https://www.niisi.ru/81. http://www.angstrem.ru/82. http://www.appliedmaterials.com/83. http://www.voshod-krlz.ru/84. http://www.nzpp.ru/85. http://www.daleks.ru/86. http://www.integral.by/87. svet.kremny.ru88. http://www.okbexiton.ru/89. http://www.npoit.ru/90. http://www.tcen.ru/91. http://www.zntc.ru/14892. В.Б. Пономарев, А.Б. Лошкарев. Оборудование заводов материалов электроннойтехники.// Учебное электронное текстовое издание. – Екатеринбург, 2008.
– 87 с.: ил.93. Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов. Учебное пособие длястудентов высших учебных заведений. – Мн.: Белгосуниверситет, 1988. – 209 с.: ил.94. http://www.belstu.by/95. http://www.minpromtorg.gov.ru/96. http://www.ksystec.ru/97. http://www.epiel.ru/98. Jung S. Optimization of SiGe HBT BiCMOS analog building blocks for operation inextreme environments: дис. – Georgia Institute of Technology, 2015.99. КорнеевС.В.Статическиепараметрыбыстродействующихоперационныхусилителей на комплементарных СВЧ биполярных транзисторах// Электронная техника. Серия2: Полупроводниковые приборы. – 2010.
– №. 2. – С. 42-45.100. Jung S. et al. An investigation of the temperature dependent linearity of weakly-saturated,electrically-matched SiGe NPN and PNP HBTs// Silicon Monolithic Integrated Circuits in Rf Systems(SiRF), 2014 IEEE 14th Topical Meeting on. – IEEE, 2014. – С. 86-88.101. Научно-технический отчёт по СЧ НИР «Высота-П», Москва, 2015.102. Diez S.
et al. IHP SiGe: C BiCMOS technologies as a suitable backup solution for theATLAS upgrade front-end electronics// IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2009. – Т. 56. – №.4. – С. 2449-2456.103. Diez S. et al. Radiation hardness evaluation of a 130 nm SiGe BICMOS technology forthe ATLAS electronics upgrade// Nuclear Science Symposium Conference Record (NSS/MIC), 2010IEEE. – IEEE, 2010. – С. 587-593.104. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах.// Москва, «Мир», 1984.105. Su S.
C., Meindl J. D. A new complementary bipolar transistor structure// IEEE Journal ofSolid-State Circuits. – 1972. – Т. 7. – №. 5. – С. 351-357.106. Monroy A. et al. BiCMOS6G: a high performance 0.35 μm SiGe BiCMOS technologyfor wireless applications// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1999. Proceedings ofthe 1999. – IEEE, 1999. – С.
121-124.107. Е.М. Савченко. Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратнойсвязью и высоким уровнем динамической точности.// Диссертация на соискание ученой степеникандидата технических наук, 2011.108. Warner R. M., Baum J. R., Fordemwalt J. N. Integrated Circuits: Design Principles andFabrication.
– McGraw-Hill, 1965.149109. Sakurai T. et al. A dielectrically isolated complementary bipolar technique foranalog/Digital compatible LSI's// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1983. – Т. 30. – №. 10. –С. 1278-1283.110. Margail J., Stoemenos J. Process for the production of an insulating layer embedded in asemiconductor substrate by ionic implantation and semiconductor structure comprising such layer:пат. 4975126 США. – 1990.111. Golland D.
I., Craven R. A., Bartram R. D. Process for stripping outer edge of BESOIwafers: пат. 5668045 США. – 1997.112. http://www.soitec.com/113. Bruel M. The history, physics, and applications of the Smart-Cut process// MRS bulletin.– 1998. – Т. 23. – №. 12. – С. 35-39.114. Sato N. et al. High resistive ELTRAN SOI-Epi wafers for RF application// SOIConference, 2001 IEEE International. – IEEE, 2001. – С.
67-68.115. Celler G. K., Cristoloveanu S. Frontiers of silicon-on-insulator// Journal of AppliedPhysics. – 2003. – Т. 93. – №. 9. – С. 4955-4978.116. Feng T. et al. Material properties of plasma-thinned bonded SOI wafers// SOIConference, 1993. Proceedings., 1993 IEEE International. – IEEE, 1993. – С. 62-63.117. Nigrin S., Armstrong G.
A., Kranti A. Optimisation of trench isolated bipolar transistorson SOI substrates by 3D electro-thermal simulations// Solid-State Electronics. – 2007. – Т. 51. – №. 9.– С. 1221-1228.118. Ю.А. Концевой, К.Л. Енишерлова, Ю.И. Завадский, Б.Л. Гуськов. Контрольтолщины слоя кремния в КНС- и КНИ-гетероструктурах// Электронная техника. Серия 2:Полупроводниковые приборы. 2009. № 2. С. 56-61.119.
http://www.analog.com/120. Chow P. Method for forming electrically-isolated regions in integrated circuits utilizingselective epitaxial growth: пат. 3998673 США. – 1976.121. Bondur J. A., Pogge H. B. Reactive ion etching method for producing deep dielectricisolation in silicon: пат. 4139442 США. – 1979.122. Hayasaka A. et al. U-groove isolation technique for high speed bipolar VLSI's// ElectronDevices Meeting, 1982 International.
– IEEE, 1982. – Т. 28. – С. 62-65.123. Brown K. C. et al. Trench isolation technology for high-performance complementarybipolar devices// Microelectronic Manufacturing 1996. – International Society for Optics andPhotonics, 1996. – С. 48-61.150124. Nigrin S. et al. A complementary bipolar technology on SOI featuring 50 GHz NPN and35 GHz PNP devices for high performance RF applications// IEEE International SOI conference.
–2002. – С. 155-157.125. Strachan A. et al. A trench-isolated power BiCMOS process with complementary highperformance vertical bipolars// Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting. – 2002. – С. 41-44.126. Yu Y. C. S. et al. Planarized Deep‐Trench Process for Self‐Aligned Double PolysiliconBipolar Device Isolation// Journal of the Electrochemical Society. – 1990. – Т.
137. – №. 6. – С. 19421950.127. Katsumata Y. et al. Stress analysis of trench isolation structure in advanced bipolar LSIs// Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1991., Proceedings of the 1991. – IEEE, 1991. – С. 271274.128. Lo T. C. et al. Planarization of deep trench with locos for silicon monolithic microwaveintegrated circuit// Electron Devices and Materials Symposium, 1994. EDMS 1994.
1994International. – IEEE, 1994. – С. 11-51-208-11-51-211.129. Lo T. C., Huang H. C., Zhang J. S. Self-planarized deep trench process for self-alignednitride bipolar device isolation// Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1995 4th InternationalConference on. – IEEE, 1995. – С. 233-237.130. Kitahara H. et al. A deep trench isolation integrated in a 0.13 um BiCD processtechnology for analog power ICs// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2009. BCTM2009. IEEE. – IEEE, 2009. – С.
206-209.131. Parthasarathy V. et al. A 0.25 μm CMOS based 70 V smart power technology with deeptrench for high-voltage isolation// IEDm: international electron devices meeting. – 2002. – С. 459-462.132. Matsuda S. et al. A low-stress trench isolation structure and its electrical characteristics ofsub 20 ps high-speed ECL// VLSI Technology, 1993. Digest of Technical Papers.
1993 Symposiumon. – IEEE, 1993. – С. 73-74.133. Teng C. W., Slawinski C., Hunter W. R. Defect generation in trench isolation// ElectronDevices Meeting, 1984 International. – IEEE, 1984. – Т. 30. – С. 586-589.134. Itoh N. et al. Optimization of shallow and deep trench isolation structures for ultra-highspeed bipolar LSIs// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1992., Proceedings of the1992. – IEEE, 1992. – С. 104-107.135. H. Rueda H. A.
Modeling of mechanical stress in silicon isolation technology and itsinfluence on device characteristics: дис. – University of Florida, 1999.136. Voldman S. H. The effect of deep trench isolation, trench isolation and sub-collectordoping on the electrostatic discharge (ESD) robustness of radio frequency (RF) ESD STI-bound P+/N-151well diodes in BiCMOS silicon germanium technology// 2003 Electrical Overstress/ElectrostaticDischarge Symposium. – 2003.137. M.C. Wilson, S. Nigrin, S.
J. Harrington, A. J. Manson, S. Thomas, L. Benton, S.Connor, P. H. Osborne. A 12 Volt, 12 GHz complementary bipolar technology for high frequencyanalogue applications// Solid-State Device Research Conference, 2002. Proceeding of the 32ndEuropean. – 2002. – С. 375-378.138. Lapham J. F., Scharf B. W. Integrated circuit with complementary junction-isolatedbipolar transistors: пат. 5065214 США. – 1991.139. Технология СБИС: В 2-х кн. Под ред.
С. Зи. – М.: Мир, 1986. – 404 с. Ил.140. Ashburn P., El Mubarek H. A. W. Properties and benefits of fluorine in silicon andsilicon-germanium devices// Journal of Telecommunications and Information Technology. – 2007. –С. 57-63.141. Rucker H. et al. Dopant diffusion in C-doped Si and SiGe: Physical model andexperimental verification// Electron Devices Meeting, 1999. IEDM'99. Technical Digest. International.– IEEE, 1999. – С. 345-348.142.
Pollock L. J., Bayman A. Bipolar sinker structure and process for forming same: пат.5001538 США. – 1991.143. Peter M. S., Hurkx G. A. M., Timmering C. E. Selectively-implanted collector profileoptimisation for high-speed vertical bipolar transistors// Solid-State Device Research Conference,1997. Proceeding of the 27th European. – IEEE, 1997. – С. 308-311.144. Schippel C., Schwierz F., Fu J. The Influence of the Collector Design on the f max vs.
