Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 27
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 27 страницы из PDF
Johnson E. Physical limitations on frequency and power parameters of transistors// 1958IRE International Convention Record. – IEEE, 1966. – Т. 13. – С. 27-34.14433. Larson L. E. Silicon bipolar transistor design and modeling for microwave integratedcircuit applications// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1996., Proceedings of the1996. – IEEE, 1996. – С. 142-148.34. Gradinaru D., Ng W. T., Salama C. A.
T. High Voltage High Frequency Silicon BipolarTransistors// Power Semiconductor Devices and ICs, 1999. ISPSD'99. Proceedings., The 11thInternational Symposium on. – IEEE, 1999. – С. 293-296.35. Inou K. et al. 52 GHz epitaxial base bipolar transistor with high early voltage of 26.5 Vwith box-like base and retrograded collector impurity profiles// Bipolar/BiCMOS Circuits andTechnology Meeting, 1994., Proceedings of the 1994. – IEEE, 1994.
– С. 217-220.36. Ng K. K., Frei M. R., King C. A. Reevaluation of the ft*BVceo limit on Si bipolartransistors// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1998. – Т. 45. – №. 8. – С. 1854-1855.37. Rieh J. S. et al. A doping concentration-dependent upper limit of the breakdown voltage–cutoff frequency product in Si bipolar transistors// Solid-State Electronics. – 2004. – Т. 48. – №.
2. – С.339-343.38. Cressler J. D. SiGe BiCMOS technology: An IC design platform for extreme environmentelectronics applications// Reliability physics symposium, 2007. proceedings. 45th annual. IEEEinternational. – IEEE, 2007. – С. 141-149.39. Jung W. G. Op Amp applications handbook. – Newnes, 2005.40. Feindt S. et al. XFCB: A high speed complementary bipolar process on bonded SOI//Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1992., Proceedings of the 1992. – IEEE, 1992. –С. 264-267.41. Информационный бюллетень компании Analog Devices, № 8, август, 2010.42. Balster S.
et al. A 5 V complementary-SiGe BiCMOS technology for high-speed precisionanalog circuits// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2003. Proceedings of the. – IEEE,2003. – С. 211-214.43. Schwartz W. et al. BiCom3HV-a 36V complementary SiGe bipolar-and JFET-technology//2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. – 2007.44. Bashir R. et al.
A 40 volt silicon complementary bipolar technology for high-precision andhigh-frequency analog circuits// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1994.,Proceedings of the 1994. – IEEE, 1994. – С. 225-228.45. http://www.ti.com/46. Babcock J. A. et al. CBC8: A 0.25 µm SiGe-CBiCMOS technology platform on thick-filmSOI for high-performance analog and RF IC design// Bipolar/BiCMOS Circuits and TechnologyMeeting (BCTM), 2010 IEEE. – IEEE, 2010.
– С. 41-44.14547. Kwon T. et al. 0.25μm, 20 V high performance complementary bipolar transistor with dualEPI and oxide-filled deep trench isolation for high frequency DC-DC converters// PowerSemiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2011 IEEE 23rd International Symposium on.
– IEEE, 2011.– С. 172-175.48. Davis C. et al. UHF-1: A high speed complementary bipolar analog process on SOI//Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 1992., Proceedings of the 1992. – IEEE, 1992. –С. 260-263.49. High-Frequency Bipolar Products Reliability Report// Maxim Integrated Products, 1996.50. http://www.plesseysemiconductors.com/51. Speyer C. J., Krutsick T. J., Moriarty J. K. A 30 V complementary bipolar technology forxDSL line drivers// 2009 IEEE International Conference on IC Design and Technology.
– 2009.52. Harrington S. J. et al. A high performance 36 V complementary bipolar technology on lowthermal resistance compound buried layer SOI substrates// Bipolar/BiCMOS Circuits and TechnologyMeeting (BCTM), 2010 IEEE. – IEEE, 2010. – С. 37-40.53. http://www.micro.dibe.unige.it/download/erratico1.pdf54. http://cmp.imag.fr/aboutus/slides/slides2007/04_KT_ST.pdf55.
Introducing the P52H 0.6 μm CBiCMOS Process Technology. CX-news, vol. 25.2001.[электронный ресурс]: (http://www.sony.net/Products/SC-HP/cx_news/vol25/pdf/ p52htw.pdf).56. Tamaki Y. et al. Evaluation of high-performance SOI complementary BiCMOS devices byusing test structures// Microelectronic Test Structures, 2001. ICMTS 2001.
Proceedings of the 2001International Conference on. – IEEE, 2001. – С. 245-249.57. Tominari T. et al. A 10 V complementary SiGe BiCMOS foundry process for high-speedand high-voltage analog applications// 2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.– 2007.58. Heinemann B. et al. A complementary BiCMOS technology with high speed npn and pnpSiGe:C HBTs// Electron Devices Meeting, 2003. IEDM'03 Technical Digest. IEEE International. –IEEE, 2003. – С. 5.2.1-5.2.4.59.
Thibeault T. et al. A high performance, low complexity 14 V complementary BiCMOSprocess built on bulk silicon// Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2010IEEE. – IEEE, 2010. – С. 45-48.60. Виноградов Р. Н. Комплементарность биполярных транзисторов – преимуществополупроводниковой электроники// Электронная промышленность N. – 1997. – Т. 4.61.
Виноградов P.H., Корнеев C.B., Ксенофонтов Д.Л., Савченко Е.М. Широкополосные,быстродействующие аналоговые интегральные микросхемы// Обмен опытом в областисоздания сверхширокополосных РЭС 2008. Омск, ЦКБА, 2008.14662. Хохлов М.В., Демин А.А, Морозов В.Ф. Разработка комплементарной биполярнойтехнологии для реализации аналоговых ИМС высокого быстродействия// «Пульсар-2008».Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА. Материалы VII научнотехнической конференции. – Москва, 2008, c. 62-63.63.
http://www.vsp-mikron.com/64. Кокорева И. Импортозамещение электронной компонентной базы как элементмодернизации экономики// Электроника: Наука, технология, бизнес. – №8. – 2015.65. Cressler J. D. (ed.). Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices,Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. – CRC press, 2005.66. Hemment P. L. F. et al.
Ge+ ion implantation – a competing technology?// Journal ofcrystal growth. – 1995. – Т. 157. – №. 1. – С. 147-160.67. Cressler J. D. Silicon-germanium as an enabling technology for extreme environmentelectronics// IEEE transactions on device and materials reliability. – 2010. – Т. 10. – №. 4. – С. 437448.68. Dunn J. S. et al.
Foundation of RF CMOS and SiGe BiCMOS technologies// IBM Journalof Research and Development. – 2003. – Т. 47. – №. 2.3. – С. 101-138.69. Kim J. H. et al. A high performance complementary bipolar process using PBSOItechnique// Power Semiconductor Devices and ICs, 2002. Proceedings of the 14th InternationalSymposium on. – IEEE, 2002. – С.
85-88.70. Kim J. H. et al. A novel high speed and high voltage complementary bipolar process using1st base-poly silicon collector and SOI technique// Advanced Semiconductor ManufacturingConference and Workshop, 2005 IEEE/SEMI. – IEEE, 2005. – С.
200-204.71. Kim J. H. et al. A high performance complementary bipolar process controlling base polySi over-etching in emitter region and using SOI or PBSOI technique// Power Semiconductor Devicesand ICs, 2005. Proceedings. ISPSD'05. The 17th International Symposium on. – IEEE, 2005. – С.
167170.72. M. C. Wilson, S. Nigrin, S. J. Harrington, A. J. Manson, S. Thomas, S. Connor. A ModularApproach to the Manufacture of a High Performance Complementary Bipolar Technology Family//White paper, July, 2004.73. Савченко Е.М., Виноградов Р.Н., Корнеев С.В., Ксенофонтов Д.Л., Анохин И.С.Результаты исследования экспериментальных образцов ИМС операционных усилителей,изготовленныхэлектроника.привзаимодействииСложныесфункциональныезарубежнойблокиконференции. – М.: МНТОРЭС им.
А.С.Попова, 2008.foundry-фабрикой//РЭА:материалыТвердотельнаянаучно-технической14774. Э.Н. Вологдин, С.В. Корнеев, Е.М. Савченко, Д.С. Смирнов. Исследованиедеградации параметров биполярных интегральных микросхем операционных усилителей привоздействииионизирующегоэлектроника.СложныеизлученияфункциональныекосмическогоблокиРЭА:пространства// Твердотельнаяматериалынаучно-техническойконференции.
– М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова, 2011, С. 149 – 152.75. Будяков А.С., Вагин А.В., Васильев А.Г., Мельничук С.А., Савченко Е.М.Кремниевые СВЧ смесители на основе диодов Шоттки в монолитном и гибридном исполнении// Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. – 2010. – № 2. – С. 28 – 33.76. Будяков А.С., Савченко Е.М. Оптимизация схемно-топологического решения рядаИМС СВЧ делителей частоты// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блокиРЭА: материалы научно-технической конференции. – М.: МНТОРЭС им.
А.С.Попова. – 2008. –С. 46 – 49.77. Будяков А.С., Вагин А.В., Завьялов И.А., Савченко Е.М. Статические делителичастоты с переменным коэффициентом деления с диапазоном рабочих частот до 3 ГГц//Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научнотехнической конференции. – М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова.
– 2010, – С. 23 – 25.78. БудяковА.С., СавченкоЕ.М., ПронинА.А., КозынкоП.А. СВЧмонолитнаяинтегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходноймощностью 1 Вт на частоте 800 МГц// 4 Всероссийская научно-техническая конференция"Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010" (МЭС - 2010),Истра, 4-8 окт., 2010: Сборник трудов.– 2010.– С.
