Диффузия (987306), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

В методе проекционной платы эти повреждения полностью исключены. Высокий уровень разрешения (около 1,5 мкм) допускается с последующим его перемещением по поверхно­сти пластины.

Волновые эффекты при экспонировании

Рассматривая волновые эффекты при экспонировании сле­дует прежде всего остановиться на явлениях дифракции и интерференции.

Р
ис. 11.4.7. Типичная дифракционная картина для различных методов литографии

К
ак известно, дифракцией называется явление огибания излучением препятствий. Это явление приводит к проникно­вению излучения в область геометрической тени. На рис. 11.4.7 представлена типичная дифракционная картина для трех ви­дов проекционной печати. Распределение энергии падающего на фоторезист излучения пропорционально его интенсивно­сти, и, следовательно, край изображения на резисте опреде­ляется краями дифракционной картины. В идеальном случае при контактном экспонировании дифракция отсутствует, одна­ко это не всегда так. Расстояние между шаблоном и пласти­ной редко бывает менее длины волны излучения (последнее условие соответствует нахождению пластины в области гео­метрической тени). Кроме того, кремниевые пластины могут иметь волнистую поверхность; во избежание дифракционной картины при экспонировании используются проекционные си­стемы с автоматическим фокусированием при отображении каждого кристалла.

Рис. 11.4.8. Возникновение стоячей волны в пленке резиста при отражении от подложки

Локальные изменения интенсивности облучения возникают также при интерференции света из-за неравенства показа­телей преломления фоторезистивного материала и кремниевой пластины. Во время экспонирования на плоскопараллельную однородную, изотропную и прозрачную для света пленку фоторезиста (рис. 11.4.8) падает плоская монохроматическая световая волна (луч 1). Луч 2 проходит через фоторезист и лежащую Под ним пленку окиси кремния SiO₂ и отражается от поверхности кремниевой пластины (луч 3). За счет отра­жения света от поверхности кремниевой пластины и границы раздела фоторезист — пленка окиси кремния SiO₂ распрост­раняются две плоские волны. Суммирование падающей и отраженной световых волн в пленке фоторезиста приводит к образованию стоячей волны, причем огибающая функция ее интенсивности пропорциональна sin² (d*z/), где d — толщина пленки фоторезиста;  — длина волны падающего света; z— текущая координата, отсчитываемая от поверхности ре­зиста вглубь материала. Проявление позитивного резиста ус­коряется или замедляется в зависимости от достижения мак­симума или минимума интенсивности в пленке резиста (рис. 11.4.8, в). Абсолютная величина интенсивности излучения в ма­териале резиста также зависит и от тела свечения источника света, а также от отражательных характеристик оптической системы.

11.4.4. Электронно-лучевая литография

Общие положения

Размеры элементов в фотолитографическом процессе прин­ципиально ограничены длиной волны используемого излуче­ния. Для дальнейшего уменьшения элементов ИС необходимо применение электронно-лучевой и рентгеновской литографии.

Применение электронно-лучевой литографии позволяет:

а) получать элементы рисунка с размерами менее или равными 0,01 мкм (для фотолитографии не менее 0,5 мкм);

б) с высокой точностью контролировать дозу электронно­го пучка, падающего на резист и подложку;

в) легко отклонять и модулировать электронный пучок с высокой точностью электрическими и магнитными полями;

г) формировать в ряде случаев топологию схемы непо­средственно на пластине;

д) автоматизировать технологию создания топологическо­го рисунка;

е) профилировать электронный пучок.

Существенным недостатком электронно-лучевой литогра­фии является ее малая производительность по сравнению с оптической.

Создание субмикронной топологии требует фокусировки электронного луча в пятно диаметром около 0,01 мкм. При таких линейных размерах элементов топологии сканирование и прерывание электронного луча можно проводить только при использовании ЭВМ. Система управления при этом работает на частотах в несколько мегагерц.

Р
ис. 11.4.9..Принципиальная схема электронно-лучевой лито­графической установки

Уменьшение диаметра электронного пучка до указанных размеров требует использования термоэлектронных пушек с плотностью тока более 10⁴ А/м² и электронно-оптических не­магнитных линз. Угловое сканирование электронного луча при этом ограничивается, т. е. ограничивается площадь, ко­торую можно обработать, не меняя позицию пластины до величины порядка 10 мм. Пластина при электронно-лучевой литографии помещается обычно под электронным лучом на координатном столике (рис. 11.4.9). Для совмещения с тополо­гическим рисунком предыдущего уровня обычно использу­ются знаки совмещения, вытравленные предварительно в под­ложке. Положение этих знаков определяется по вторичным и обратно рассеянным электронам.

Электронные резисты. Взаимодействие электронов с резистом и материалом подложки

К резистам, применяемым в электронно-лучевой литогра­фии, предъявляются такие же требования, как к фоторезис­там в фотолитографии. В электронных резистах обычно происходят процессы расщепления цепочки в молекулах поли­мера под действием ионизирующего излучения (электронного пучка). При этом происходит уменьшение молекулярного веса полимера и он становится растворимым в специальном рас­творителе, не действующем на высокомолекулярный материал. Такие полимеры называются позитивными электронными резистами. В негативных электронных резистах под действием облучения электронами происходят процессы образования поперечных связей в молекулах полимера и формирования сложной трехмерной структуры. Необлученные участки полимера при этом имеют значительно меньший молекулярный вес по сравнению с облученными и удаляются путем растворения. При проникновении электронного луча В резист и подложку происходит взаимодействие электронов с веществом, их упругое и неупругое рассеяние (рис. 11.4.10).

Р
ис. 11.4.10. Основные виды взаимодействия электронов с ве­ществом

Таким образом, доза экспонирования одного участка пластины воздействует на процесс экспонирования соседних областей, что приводит к размытию профиля распределения энергии экспонирования. Это явление в электронно-лучевой литографии получило на­звание эффекта близости.

Технологические операции процесса электронно-лучевой литографии

Формирование элементов топологии заданных размеров, как правило, требует нескольких перемещений электронного луча, при этом промежутки между двумя соседними положе­ниями луча равны половине ширины луча. Луч в электронно­лучевой литографии имеет обычно гауссово распределение интенсивности. Различают два основных метода формирова­ния электронным лучом топологии ИС — векторное и растро­вое сканирование.

При векторном сканировании луч направляется в задан­ное по программе место на схеме, он включается и выклю­чается. После окончания сканирования одного участка плас­тины происходит перемещение координатного столика в пло­скости XY так, чтобы в поле действия электронного луча по­пал следующий участок. В системе векторного сканирования необходимо использование сложной электронной оптики, поз­воляющей с субмикронной точностью осуществлять переме­щение электронного пучка.

Растровое сканирование, наоборот, требует прецизионного перемещения координатного столика, поскольку в этом ме­тоде электронный луч непрерывно сканирует по полю малого размера (обычно несколько десятков микрон).

Векторная сканирующая система позволяет формировать топологию ИС при помощи электронного луча изменяемой формы. Электронному лучу, проходящему через апертуру, придается определенная форма. Вторая апертура, встречаю­щаяся на пути луча, формирует электронный пучок опреде­ленной геометрической формы в плоскости его сечения. Этот способ позволяет значительно увеличить производительность метода электронно-лучевой литографии и довести время фор­мирования изображения на пластине диаметром 125 мкм до нескольких минут, т. е. увеличить его на порядок. Повышение производительности может быть достигнуто с помощью одно­временной обработки пластин несколькими электронными лучами.

Рентгеновская литография

Рентгеновская литография является по существу частным случаем оптической бесконтактной печати с длиной волны экспонирующего облучения в пределах 0,4—5 мм и величиной зазора между шаблоном и пластиной порядка 40 мкм. Прояв­ление дифракционных эффектов в этом методе за счет малой

Величины длины волны рентгеновского излучения сведено до минимума.

Применение метода рентгеновской литографии позволяет:

а) одновременно получать высокое разрешение элементов топологии и высокую производительность процесса переноса изображения;

б
) уменьшить проявление эффектов рассеяния в резистах и подложке за счет малой величины энергии мягкого рентге­новского излучения.

Рис.11.4.11 Геометрические искажения в рентгенографии

К недостатку метода следует отнести так называемый геометрический эффект (рис. 11.4.11). Конечная протяженность источника рентгеновского излучения d приводит к размытию изображения на резисте  = d(g/L). Размытие изображения элементов топологии обычных установок рентгеновской лито­графии достигает величины порядка 0,2 мкм.

11.4.5. Другие методы литографии

Литография в УФ-области

Уменьшение длины волны экспонирующего излучения до 200—300 нм (стандартная фотолитография обычно проводит­ся в спектральном диапазоне 300—450 нм) позволяет форми­ровать изображение элементов топологии с размерами поряд­ка 0,5 мкм, что в 2-3 раза лучше фактического разрешения стандартной фотолитографии. Применение этого метода тре­бует незначительной модернизации стандартного фотолитографического оборудования. Так, все стеклянные детали уста­новок для пропускания ими УФ-излучения необходимо заме­нить на кварцевые или сапфировые. Для экспонирования при­меняются ксеноно-ртутные лампы промышленного изготовле­ния, обладающие излучением в глубокой УФ-области. Пре­имущество метода определяется также возможностью исполь­зовать практически любой электронный резист.

Ионно-лучевая литография

Формирование рисунка на кремниевой пластине Возможно также при помощи ионных пучков. Преимуществами этого метода являются меньшее рассеивание ионов вследствие их массы и большее разрешение по сравнению с электроннолучевой литографией ввиду отсутствия эффекта близости. Ионно-лучевая литография применяется как для непосредст­венного нанесения рисунка на пластину, так и для изготов­ления шаблонов. Формирование рисунка также возможно с помощью радикального повреждения окиси кремния SiO₂ ионами водорода и гелия. Повреждения участков пластины, вызванные ионным пучком, ускоряют последующие процессы травления или распыления. Использование тонких сфокусиро­ванных ионных пучков позволяет изменять электрические и механические свойства полупроводниковых материалов при имплантации, непосредственно формировать рисунки на тон­ких металлических слоях. Этот метод применим и для изго­товления шаблонов методом мультиплицирования в масшта­бе 1 : 1 для рентгеновской литографии. Единственным сдер­живающим фактором широкого применения метода ионно-лучевой литографии в настоящее время является слабая интен­сивность ионных источников, что сказывается на производи­тельности метода.

Характеристики

Список файлов лекций