Лк13 (975660), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Схема простейшего усилительного каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ, приведена на рис. 15.26.
Переменное напряжение еГ воздействует на сквозной поток электронов, движущихся из эмиттера в коллектор. В результате этого воздействия приобретает переменную составляющую iК, которая благодаря очень высокой эффективности управления может быть значительной даже при очень маленькой величине еГ. При протекании
через нагрузочный резистор на нем выделяется напряжение, также имеющее переменную составляющую uвых=iКRн. Это выходное переменное напряжение при достаточно большом сопротивлении Rн может значительно превосходить величину входного переменного напряжения uвх:
, где
– эквивалентное сопротивление, определяемое параллельным включением выходного сопротивления транзистора и RК.