Термическое окисление кремния (1245591), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Поэтому методы прямого нитрированияв технологии применения не получили.Хорошие результаты получаются при использовании реакций3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2,3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl.Температура процессов 600 − 1100 °С. Скорость роста слоев Si3N4 получаетсяна уровне 1 − 20 нм/мин. Слои получаются аморфные, с хорошей маскирующейспособностью.Слои из Al2O3 используют в качестве изолирующих или защитных покрытий в МДП-структурах. Оксид алюминия обладает повышенной радиационной стойкостью, имеет высокие электрические характеристики, прежде всеговысокую диэлектрическую проницаемость, что обеспечивает эффективное использование слоев из Al2O3 в элементах памяти.
Он устойчив к дрейфу такихионов, как Na и K, вызывающих нестабильность работы полевых МДПтранзисторов.Слои из оксида алюминия получают методом анодного окисления предварительно нанесенного на пластину тонкого слоя Al, методом реактивногораспыления алюминиевой мишени в кислородной плазме, распылением подложки из сапфира электронным или лазерным лучом в вакууме, пиролизомалюминийорганических соединений. Последний метод является самым распространенным.8.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
