Диссертация (1149385), страница 24
Текст из файла (страница 24)
Здесь же хочется поблагодарить Барабана АлександраПетровича за помощь в изучении фундаментальных вопросов катодолюминесценции и интерпретации получаемых данных, а также за первое знакомство с кафедрой электроники твёрдоготела, которое произвело на меня неизгладимое впечатление.За помощь в приготовлении образцов для просвечивающей электронной микроскопиивыражаю благодарность Михайловском Владимиру и Шапенкову Севастьяну, и непосредственно за исследования атомной структуры дислокаций в нитриде галлия Убыйвовк Евгению.
Выражаю благодарность Данилову Денису за плодотворные дискуссии и помощь в интерпретацииданных по просвечивающей электронной микроскопии.Хочется также выразить благодарность коллективу лаборатории электронной и ионноймикроскопии и междисциплинарного ресурсного центра по направлению «Нанотехнологии» зарабочую атмосферу и неподдельный интерес к различным этапам данной работы и консультации по отдельным вопросам. Отдельно хочется отметить Лошаченко Антона, Трушина Максима, Базлова Николая и Петрова Юрия.За предоставленные образцы нитрида галлия выражаю благодарность группе ШретераЮрия Георгиевича и Усикова Александра Сергеевича.За моральную поддержку и мотивацию хочется поблагодарить своих родителейМедведеву Елену и Медведева Сергея, брата Медведева Андрея и всех близких мне людей.119Список литературы1.Albrecht M.
et al. Nonradiative recombination at threading dislocations in n-type GaN: Studiedby cathodoluminescence and defect selective etching // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92, № 23.P. 231909.2.Newman R. Recombination radiation from deformed and alloyed germanium p-n junctions at80°K // Phys. Rev. 1957. Vol. 105, № 6. P. 1715–1720.3.Drozdov N.A., Patrin A.A., Tkachev V.D. Recombination radiation on dislocations in silicon //JETP Lett.
1976. Vol. 23. P. 651–653.4.Negryi V.D., Osipyan Y.A. Dislocation emission in CdS // Phys. Status Solidi. 1979. Vol. 55,№ 2. P. 583–588.5.Dean P.J., Williams G.M., Blackmore G. Novel type of optical transition observed in MBEgrown CdTe // J. Phys. D. Appl. Phys. 1984. Vol. 17, № 11. P. 2291–2300.6.Negrii V.D., Osipyan Y.A., Lomak N. V. Dislocation Structure and Motion in CdS Crystals //Phys. Status Solidi. 1991. Vol. 126, № 1. P. 49–61.7.Izotov A.N. et al. Photoluminescence and Splitting of Dislocations in Germanium // Phys.Status Solidi.
1992. Vol. 130. P. 193–198.8.Kveder V. V, Shalynin A.I., Shtetnman E.A. Influence of the splitting of dislocations on the gfactor of holes in one-dimensional dislocation band // JETP. 1996. Vol. 83, № October. P. 829–833.9.Kveder V., Kittler M. Dislocations in silicon and D-band luminescence for infrared lightemitters // Mater. Sci. Forum. 2008. Vol. 590. P. 29–56.10.Albrecht M. et al. Carrier recombination at single dislocations in GaN measured bycathodoluminescence in a transmission electron microscope // J. Appl. Phys.
2002. Vol. 92, №4. P. 2000.11.Ratschinski I. et al. Indentation-induced dislocations and cracks in (0001) freestanding andepitaxial GaN // J. Phys. Conf. Ser. 2011. Vol. 281. P. 12007.12.Huang J. et al. Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation // Appl.Phys. Lett. 2011. Vol.
98, № 22. P. 221906.13.Medvedev O. et al. Direct observation of luminescence of individual screw dislocations in GaN// 12th Int. Work. Beam Inject. Assess. Microstruct. Semicond. 2014. P. MoA4.14.Хирт Д., Лоте И. Теория дислокаций. Москва: Атомиздат, 1972. 600 p.15.Под ред. Осипьяна Ю.А. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. 2000.311 p.16.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. 1974. 464 p.12017.Hull В., Bacon D.J.
Introduction to Dislocations. Great Britain: Elsevier, 2009. 268 p.18.Holt D.B. Defects in the sphalerite structure // J. Phys. Chem. Solids. 1962. Vol. 23, № 10. P.1353–1362.19.Hornstra J. Dislocations in the diamond lattice // J. Phys. Chem. Solids. 1958. Vol. 5, № 1–2. P.129–141.20.Duesbery M.S., Joos B. Dislocation motion in silicon: The shuffle-glide controversy revisited //Philos.
Mag. Lett. 1996. Vol. 74, № 4. P. 253–258.21.Louchet F., Thibault-Desseaux J. Dislocation cores in semiconductors. From the « shuffle orglide » dispute to the « glide and shuffle » partnership // Rev. Phys. Appl. 1987. Vol. 22. P. 207–219.22.Belabbas I., Nouet G., Komninou P. Atomic core configurations of the -screw basal dislocationin wurtzite GaN // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 300, № 1. P. 212–216.23.Belabbas I. et al. Energetics of the 30∘ Shockley partial dislocation in wurtzite GaN //Superlattices Microstruct. 2006. Vol.
40, № 4–6. P. 458–463.24.Osipiyan Y.A., Smirnova I.S. Perfect Dislocations in the Wurtzite Lattice // Phys. Status Solidi.1968. Vol. 30. P. 19–29.25.Jahnen B. et al. Pinholes, dislocations and strain relaxation in InGaN // MRS Internet J. NitrideSemicond. Res. . 1998. Vol. 3, № 39. P. 1–12.26.Hu S.M. On indentation dislocation rosettes in silicon // J. Appl.
Phys. 1975. Vol. 46, № 4. P.1470–1472.27.Schreiber J. et al. Recognition and distribution of A(g) and B(g) dislocations in indentationdeformation zones on {111} and {110} surfaces of CdTe // Phys. Status Solidi Appl. Res. 1999.Vol. 171. P. 89–97.28.Vasnyov S.
Investigation of the correlation of electronic and dynamic dislocation properties inZnO. 2004. 111 p.29.Schröter W., Cerva H. Interaction of point defects with dislocations in silicon and germanium:Electrical and optical effects // Solid State Phenom. 2002.
Vol. 85–86. P. 67–144.30.Ning X.J., Pirouz P. A large angle convergent beam electron diffraction study of the core natureof dislocations in 3 C-SiC // J. Mater. Res. 1996. Vol. 11, № 4. P. 884–894.31.Osipyan Y.A., Smirnova I.S. Partial dislocations in the wurtzite lattice // J. Phys. Chem. Solids.1971. Vol. 32, № 7. P. 1521–1530.32.Holt D.B., Yacobi B.G.
Extended defects in semiconductors. 2007. 631 p.33.Shockley W. Dislocations and edge states in the diamond crystal structure // Phys. Rev. 1953.Vol. 91. P. 228.34.Бонч-Бруевич В.Л., Гласко В.Б. К теории электронных состояний, связанных с121дислокациями // Физика твердого тела. 1961. Vol. 36, № 3.35.Алфёров Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика итехника полупроводников.
1998. Vol. 32. P. 3–18.36.Ogawa T., Takagahara T. Optical absorption and Sommerfeld factors of one-dimensionalsemiconductors: An exact treatment of excitonic effects // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44, № 15. P.8138–8156.37.Loudon R. One-Dimensional Hydrogen Atom // Am. J. Phys. 1959. Vol. 27, № 9. P. 649–655.38.Ogawa T., Takagahara T. Interband absorption spectra and Sommerfeld factors of a onedimensional electron-hole system // Phys.
Rev. B. 1991. Vol. 43, № 17. P. 14325.39.Lähnemann J. et al. Luminescence associated with stacking faults in GaN // J. Phys. D. Appl.Phys. 2014. Vol. 47, № 42. P. 423001.40.Dussaigne A. et al. One-dimensional exciton luminescence induced by extended defects innonpolar GaN/(Al,Ga)N quantum wells // Semicond.
Sci. Technol. 2011. Vol. 26, № 2. P.25012.41.Reiche M. et al. Dislocation-Based Si-Nanodevices // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. Vol. 49, № 4. P.04DJ02.42.Vyvenko O., Zozime A., Shroter W. Cathodoluminescence imaging of dislocations in CdS : anew defocused-mirror technique // Mater.
Sci. Eng. B. 1994. Vol. 24. P. 105–111.43.Reiche M. et al. On the electronic properties of a single dislocation // J. Appl. Phys. 2014. Vol.115, № 19. P. 194303.44.Karin T. et al. Giant permanent dipole moment of two-dimensional excitons bound to a singlestacking fault // Phys. Rev. B. 2016. Vol. 94, № 4. P. 1–6.45.Read W.T. LXXXVII. Theory of dislocations in germanium // London, Edinburgh, DublinPhilos. Mag. J.
Sci. 1954. Vol. 45, № 7. P. 775–796.46.Read W.T. CXXIV. Statistics of the occupation of dislocation acceptor centres // London,Edinburgh, Dublin Philos. Mag. J. Sci. 1954. Vol. 45, № 370. P. 1119–1128.47.Landauer R. Bound states in dislocations // Phys. Rev. 1954. Vol. 94, № 5. P. 1386–1388.48.Figielski T. Theory of Carrier Recombination at Dislocations in Germanium // Phys. StatusSolidi. 1964. Vol. 6, № 2. P.
429–440.49.Figielski T. Dislocations as Traps for Holes in Germanium // Phys. Stat. Sol. 1965. Vol. 655, №9.50.Sokolova E.B. Cascade capture of carriers by linear dislocation // Semiconductors. 1970. Vol. 3.P. 1266.51.Farvacque J.L., François P. Numerical determination of shallow electronic states bound bydislocations in semiconductors // Phys. Status Solidi Basic Res. 2001. Vol. 223, № 3. P. 635–122648.52.Winter S. Electron States below the Conduction Band // Phys. Stat.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
