Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149385), страница 26

Файл №1149385 Диссертация (Дислокационная люминесценция в нитриде галлия) 26 страницаДиссертация (1149385) страница 262019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 26)

64, № 11. P. 115204.101. You J., Johnson H. Effect of threading edge dislocations on the photoluminescence spectra forn-type wurtzite GaN // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76, № 11. P. 115336.102. Jain S., Willander M. III–nitrides: Growth, characterization, and properties // J. Appl. Phys.2000. Vol. 87, № 3. P. 965.103. Li G. et al.

GaN-based light-emitting diodes on various substrates: a critical review // ReportsProg. Phys. IOP Publishing, 2016. Vol. 79, № 5. P. 56501.104. Scajev P. et al. Diffusion-limited nonradiative recombination at extended defects in hydridevapor phase epitaxy GaN layers // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 98, № 20.105. Moram M.A. et al.

On the origin of threading dislocations in GaN films // J. Appl. Phys. 2009.Vol. 106, № 7. P. 73513.106. Cho H.K., Lee J.Y. Formation of Misfit Dislocations and Stacking Faults in High IndiumContent In x Ga 1 − x N Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition. 2001.Vol. 39, № December. P. 165–169.107. Lu L. et al. Microstructure and origin of dislocation etch pits in GaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2008.

Vol. 104, № 12. P. 123525.108. Sánchez a. M. et al. V-defects and dislocations in InGaN/GaN heterostructures // Thin SolidFilms. 2005. Vol. 479, № 1–2. P. 316–320.109. Bai J. et al. V-shaped pits formed at the GaN/AlN interface // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 289,№ 1.

P. 63–67.110. Shang L. et al. The evolution of a GaN/sapphire interface with different nucleation layerthickness during two-step growth and its influence on the bulk GaN crystal quality // RSC Adv.Royal Society of Chemistry, 2015. Vol. 5, № 63. P. 51201–51207.111. Lee S. et al. Electronic structures of GaN edge dislocations // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, №12623.

P. 16033–16039.112. Sugahara T. et al. Direct Evidence that Dislocations are Non-Radiative Recombination Centersin GaN // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37, № 4A. P. L398.113. Brazel E.G., Chin M. a., Narayanamurti V. Direct observation of localized high current densitiesin GaN films // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74, № 16. P. 2367.114.

Polyakov A.Y. et al. Deep electron and hole traps in freestanding n-GaN grown by hydridevapor phase epitaxy // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92, № 9. P. 5241–5247.115. Polyakov A.Y. et al. Characteristics of a-GaN films and a-AlGaN/GaN heterojunctions preparedon r-sapphire by two-stage growth process // J. Appl. Phys. 2011.

Vol. 110, № 9. P. 93709.116. Li D.S. et al. Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based light-emitting diodes// J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96, № 2. P. 1111–1114.117. In-Hwan L. et al. Electrical and recombination properties and deep traps spectra in MOCVDELOG GaN layers // Phys. Status Solidi C. 2006. Vol. 2090, № 6. P. 2087–2090.118. Elsner J. et al. Theory of Threading Edge and Screw Dislocations in GaN // Phys. Rev. Lett.1997. Vol. 79, № 19. P.

3672–3675.119. Elsner J. et al. Deep acceptors trapped at threading-edge dislocations in GaN // Phys. Rev. B.1998. Vol. 58, № 19. P. 12571–12574.120. Blumenau A.T. et al. A theoretical investigation of dislocations in cubic and hexagonal galliumnitride // Phys. Status Solidi. 2003. Vol. 1709, № 6. P. 1684–1709.121. Belabbas I.

et al. Atomistic modeling of the (a+c)-mixed dislocation core in wurtzite GaN //Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75, № 11. P. 115201.122. Savini G. et al. Structure and energy of partial dislocations in wurtzite-GaN // Phys. StatusSolidi. 2007. Vol. 4, № 8. P. 2945–2949.123. Wright A.F., Grossner U. The effect of doping and growth stoichiometry on the core structureof a threading edge dislocation in GaN // Appl. Phys. Lett. 1998.

Vol. 73, № 1998. P. 2751–2753.124. Northrup J.E. Screw dislocations in GaN: The Ga-filled core model // Appl. Phys. Lett. 2001.Vol. 78, № 16. P. 2288.125. Hsu J.W.P. et al. Direct imaging of reverse-bias leakage through pure screw dislocations in GaNfilms grown by molecular beam epitaxy on GaN templates // Appl.

Phys. Lett. 2002. Vol. 81, №1. P. 79–81.126. Polyakov A.Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance ofGaN devices // Mater. Sci. Eng. R Reports. Elsevier B.V., 2015. Vol. 94. P. 1–56.127. Fang Z.Q. et al. Evolution of deep centers in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy //Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78, № 3. P. 332–334.127128. Govorkov A. V et al. Identification of Dislocations and Their Influence on the Recombinationof Charge Carriers in Gallium Nitride // J.

Surf. Investig. X-ray, Synchrotron Neutron Tech.2007. Vol. 1, № 4. P. 380–385.129. Polyakov A.Y. et al. Deep hole traps in n-GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy // J.Appl. Phys. 2002. Vol. 91, № 2002. P. 6580–6584.130. Tokuda Y. et al. DLTS study of n-type GaN grown by MOCVD on GaN substrates //Superlattices Microstruct. 2006. Vol.

40, № 4–6. P. 268–273.131. Duc T.T. et al. Investigation of deep levels in bulk GaN material grown by halide vapor phaseepitaxy // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114, № 2013. P. 8–13.132. Karpov S.Y., Makarov Y.N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride //Appl. Phys.

Lett. 2002. Vol. 81, № 25. P. 4721–4723.133. Rosner S.J. et al. Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructuraldefects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition // Appl. Phys. Lett.1997. Vol. 70, № 4. P. 420.134. Weyher J.L. et al. Orthodox etching of HVPE-grown GaN // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 305,№ 2 SPEC. ISS. P. 384–392.135. Yamamoto N. et al. Cathodoluminescence characterization of dislocations in gallium nitrideusing a transmission electron microscope // J. Appl.

Phys. 2003. Vol. 94, № 7. P. 4315–4319.136. Schmidt G. et al. Nanoscale cathodoluminescence of stacking faults and partial dislocations ina-plane GaN // Phys. Status Solidi Basic Res. 2016. Vol. 253, № 1. P. 73–77.137. Huang J. et al. Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation // Appl.Phys.

Lett. 2011. Vol. 98. P. 1–7.138. Shreter Y.G. et al. Dislocation Luminescence in Wurtzite GaN // Cambridge Journals OnlineAU. 1996. Vol. 449.139. Reshchikov M.A. et al. Manifestation of edge dislocations in photoluminescence of GaN //Phys. B Condens. Matter. 2005. Vol. 367, № 1–4. P. 35–39.140. Reshchikov M.A., Morkoç H. Luminescence properties of defects in GaN // J. Appl. Phys.2005. Vol. 97, № 6. P. 61301.141. Reshchikov M.A. et al. No Title // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2004. Vol.

798. P. Y5.66.142. Liu R. et al. Luminescence from stacking faults in gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol.86, № 2. P. 21908.143. Corfdir P. et al. Stacking faults as quantum wells in nanowires: Density of states, oscillatorstrength, and radiative efficiency // Phys. Rev. B. 2014. Vol. 90, № 19. P. 195309.144. Lähnemann J. et al.

Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN //Phys. Rev. B. 2012. Vol. 86, № 8. P. 81302.128145. Tischer I. et al. I2 basal plane stacking fault in GaN: Origin of the 3.32 eV luminescence band //Phys. Rev. B. 2011. Vol.

83, № 3. P. 35314.146. Corfdir P. et al. Electron localization by a donor in the vicinity of a basal stacking fault in GaN// Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. 2009. Vol. 80, № 15. P. 1–4.147. Fernandez J.R.L. et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN // Solid State Commun.2003. Vol. 125, № 3–4. P. 205–208.148. Yang H. et al.

Cubic-phase GaN light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74, № 17.P. 2498.149. Rebane Y.T., Shreter Y.G., Albrecht M. Stacking faults as quantum wells for excitons inwurtzite GaN // Phys. Status Solidi. 1997. Vol. 164. P. 141.150. Corfdir P., Lefebvre P. Importance of excitonic effects and the question of internal electricfields in stacking faults and crystal phase quantum discs: The model-case of GaN // J.

Appl.Phys. 2012. Vol. 112, № 5. P. 53512.151. Yonenaga I. et al. Photoluminescence properties of GaN with dislocations induced by plasticdeformation // J. Electron. Mater. 2006. Vol. 35, № 4. P. 717–721.152. Huang J. et al. Dislocation luminescence in GaN single crystals under nanoindentation //Nanoscale Res. Lett. 2014. Vol. 9, № 649. P.

1–7.153. Медведев О.С., Вывенко О.Ф., Бондаренко А.С. Люминесценция свежевведенных a винтовых дислокаций в низкоомном GaN // Физика и техника полупроводников. 2015.Vol. 49, № 9. P. 1217–1222.154. Medvedev O., Vyvenko O., Bondarenko A. Thermal stability of DRL in n-GaN // Phys. StatusSolidi C. 2017. Vol. 1700111. P. 1–4.155. Shockley W., Read W.T. Statistics of the Recombination of Holes and Electrons // Phys. Rev.1952. Vol. 87, № 46.

P. 835–842.156. Kim G. et al. Extraction of recombination coefficients and internal quantum efficiency of GaNbased light emitting diodes considering effective volume of active region // Opt. Express. 2014.Vol. 22, № 2. P. 1235–1242.157. Ino N., Yamamoto N. Low temperature diffusion length of excitons in gallium nitride measuredby cathodoluminescence technique // Appl. Phys.

Lett. 2008. Vol. 93, № 23.158. Yakimov E.B. Electron beam induced excess carrier concentration. 2017. Vol. 1600266, № 7. P.2–5.159. Katsikini M. et al. Comparison of Fe and Si doping of GaN: An EXAFS and Raman study //Mater. Sci. Eng. B Solid-State Mater. Adv. Technol. 2011. Vol. 176, № 9. P. 723–726.160. Wang L. et al.

Характеристики

Тип файла
PDF-файл
Размер
10,5 Mb
Высшее учебное заведение

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6553
Авторов
на СтудИзбе
299
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее