Отзыв официального оппонента 2 (1149391)
Текст из файла
ОТЗЫВофициального оппонента на диссертационную работуМедведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия»,представленной на соискание учѐной степени кандидата физико-математическихнаукпо специальности 01.04.10 – «Физика полупроводников»Нитрид галлия и твѐрдые растворы III-нитридов в настоящее время являютсяосновой для промышленного производства светоизлучающих приборов в видимойи УФ областях спектра и перспективными материалами для силовой электроники.Вследствие отсутствия коммерчески доступных подложек GaN, кристаллы иплѐнкиэтогоматериалавыращиваютсягетероэпитаксиальнонамонокристаллических подложках из сапфира, карбида кремния и кремния.
Большаяразница в постоянных решѐтках и коэффициентах термического расширения сподложкой приводит к большой плотности дислокаций в выращенных пленкахGaN. В то же время, несмотря на высокую плотность дислокаций, излучающиеструктуры на основе GaN демонстрируют высокую квантовую эффективность.Многие противоречивые результаты до сих пор не нашли окончательногообъяснения.Этоистимулируетпроведениеинтенсивныхисследованийэлектрических и оптических свойств дислокаций в структурах на основе GaN.Поэтому актуальность диссертационной работы Медведева Олега Сергеевича,посвященной исследованию связанной с дислокациями люминесценции в GaN, сцелью установления ее природы и механизмов такого излучения, не вызываетсомнений.Диссертация включает введение и пять глав, в первой из которых представлендостаточно обширный обзор литературы, в котором приведены основные сведенияоструктуре,электрическихиоптическихсвойствахдислокацийвполупроводниках, а также приведен обзор данных по свойствам GaN и порезультатам исследований свойств дислокаций в GaN.
Вторая глава посвященаописанию методов исследования и использованных образцов В третьей главеприведены результаты исследований дислокационной структуры, формирующейсяпри индентировании или царапании поверхности GaN. Приведено качественноеописаниескольжениямикроскопиирезультатыдислокаций.исследованаисследованийдислокационнуюдислокациямиструктуру.МетодомструктуравлиянияИзученолюминесценцию.просвечивающейвведенныхоблучениявлияниеЧетвертаядислокаций.электроннымотжиговглаваэлектроннойнапосвященаПриведеныпучкомнасвязаннуюсисследованиюхарактеристик дислокационной люминесценции. Исследованы ее зависимости оттемпературы, интенсивности возбуждения, уровня легирования и механическихнапряжений в решетке.
Пятая глава посвящена обсуждению полученныхрезультатов. Предложена модель оптических переходов на винтовых дислокацияхв GaN.В работе получен ряд новых научных результатов, среди которых можноотметить следующие:Обнаружено, что а-винтовые дислокации, введѐнные локальной пластическойдеформацией при комнатной температуре, являются источником люминесцентнойполосы с энергией излучения 3.15-3.18 эВ при 70 К и 3.1 эВ при 300 К.Установлено, что полоса дислокационной люминесценции характеризуется тонкойструктурой, состоящей из разрешѐнного дублета узких спектральных линий,сопровождающихся фононными повторениями.Исследованы зависимости спектрального положения и интенсивности полосыдислокационной люминесценции от температуры, механических напряжений иуровня возбуждения.Исследовановлияниевысокотемпературногоотжиганадислокационнуюлюминесценцию и продемонстрирована ее термическая стабильность.Предложена новая модель оптических переходов на винтовых дислокациях в GaN,учитывающая расщепленный характер их ядер.Следует отметить также большой объем проведенных исследований.Практическая ценность работы определяется тем, что полученные результатымогут быть использованы для повышения эффективности светоизлучающихприборов на основе GaN.Достоверность полученных результатов определяется использованием хорошоразработанных методик, а также воспроизводимостью результатов, полученных наразных образцах GaN.
Основные выводы работы в достаточной степениобоснованы.Автореферат и опубликованные работы достаточно полно отражаютсодержание диссертации. Результаты докладывались на большом количествероссийских и международных конференций.В то же время следует высказать ряд замечаний к рецензируемой работе:1. Первое замечание связано с тем, что, как показано в работе, винтоваядислокация расщеплена в базисной плоскости, а не в плоскости скольженияпризматической полупетли. Такая геометрия дислокационной петли довольнонеобычна.
Более того, это должно препятствовать скольжению винтовыхдислокаций в призматической плоскости, что, по-видимому, происходит приоблучении электронным пучком, и могло бы препятствовать скольжениювыходящих на поверхность сегментов дислокационной полупетли.2. Сигнал в режимах наведенного тока и катодолюминесценции в ямкахповышается за счет повышения доли поглощенной энергии. Не очень понятно,учитывался ли этот эффект при интерпретации контраста от ямок травления.3.
При интерпретации рис. 3.8 идентифицируются дислокации с Ga- и Nядром. Не очень понятно, является ли это предположением автора или этомуимеются доказательства.4. Оценка диффузионной длины из профиля контраста дислокации по егоспаду является слишком грубым приближением, поэтому предлагаемое объяснениеразличия в спаде сигнала вызывает сомнение (стр. 86).5. Маловероятно, что при концентрации 1016 см-3 экранирование электронамиможет существенно влиять на взаимодействие между частичными дислокациями срасщеплением в несколько нм (стр.
105)..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.