Отзыв на автореферат (1149389)
Текст из файла
В диссертационный совет Д 212.232.33 при Санкт-Петербургском государственном университете, 198504, Санкт-Петербург, Петеродворец, ул. Ульяновская, д.1 ОТЗЫВ на автореферат диссертации МЕДВЕДЕВА Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников ОаХ и твердые растворы на его основе А1хОаь,М и 1п~баь,Х являются перспективными полупроводниками для силовой и оптоэлектроники. Вместе с тем, из-за отсутствия коммерчески доступных кристаллов ОаМ приемлемого качества для гомоэпитаксиального роста приходится выращивать кристаллы гетероэпитаксиально на наиболее экономически выгодных и доступных подложках сапфира, либо на подложках, подходящих для внедрения в современный технологический процесс микроэлектроники таких, как карбид кремния и кремний. Большая плотность дислокаций — одна из основных проблем гетероэпнтаксиального роста ОаХ, которая остается наиболее острой и по сей день.
Последнее обстоятельство стимулировало проведение интенсивных исследований, посвященных изучению свойств ростовых дислокаций, в результате которых было выяснено, что определяющую роль на их электронные свойства играют точечные дефекты и примеси неизвестной природы, сегрегированные на дислокациях в процессе роста.
Ранее считалось, что все типы дислокаций в ОаХ являются преимущественно безызлучательнымн центрами рекомбинации, однако работы 2014 года продемонстрировали, что чистые от примесных атмосфер дислокации, введенные локальной пластической деформацией могу быть излучательными центрами рекомбинации. Однако нынешний уровень понимания природы дислокационной люминесценции, в ОаХ до сих пор значительно уступает достигнутому для элементарных полупроводников — кремния и германия. Полученные в работе новые результаты, которые, на мой взгляд, действительно демонстрируют наличие интенсивной линии с энергией излучения 3.1-3.2 эВ, вызванной свежевведенными винтовыми дислокациями в базисной плоскости, представляют интерес не только с фундаментальной, но и практической точки зрения.
Перспективность применения дислокационного излучения в нитриде галлия вызвана двумя основными свойствами:1') высокой интенсивностью, превосходящей интенсивность зона-зонного перехода даже при комнатной температуре, и 2) термическая стабильность дислокационного излучения и структуры, необходимая для постпроцессинга в условиях промышленного применения. В работе впервые получены экспериментальные данные зависимости спектрального положения и интенсивности полосы дислокационной люминесценции от температуры, механических напряжений, уровня возбуждения и концентрации свободных носителей. Изучение атомной структуры ядер винтовых дислокаций позволило построить модель пространственно прямых и непрямых переходов, а также объяснить спектральные особенности в точках пересечения свежевведенных дислокаций. Достоверность положений н выводов диссертации подтверждается использованием современного экспериментального оборудования, и вопроизводимостью результатов для большого числа низкоомных кристаллов ОаМ различного удельного сопротивления.
Замечаний нет. На основании знакомства с авторефератом и опубликованными работами считаю, что по научно-практическому значению, достоверности и новизне диссертационная работа Медведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия» полностью отвечает требованиям «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук„а ее автор, несомненно, заслуживает присуждения ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников.
Шретер Юрий Георгиевич % Профессор кафедры физики полупроводников и наноэлектроники Санкт-Петербургского политехнического государственного университета Петра Великого (СПбПУ), доктор физико-математических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников «15» мая 2018 г.
Контактная информация: Почтовый адрес: 195251, помещение 210. 212. Тел.: (812) 552-9671 е-та11: узЬге1ег®8ша11.сот Санкт-Петербург, Политехническая 29, 2-й учебный корпус, В диссертационный совет Д 212.232.33 при Санкт-1 1етербургском государственном университете, 198504, Санкт-Петербург, Петеродворец, ул. Ульяновская, д.1 ОТЗЫВ на автореферат диссертации МЕДВЕДЕВА Олега Сергеевич» «Дислокационная люминесценция в ингриде галлия», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Основным способом получения нитрида галлия (О»Х) является гетероэпитаксиальный рост.
Как правило, используются подложки сапфира и кремния„имеющие существенное структурное отличие от О»Х, следствием чего является большая плотность структурных дефектов в выращиваемых слоях. Проблема дефектности слоев, несмотря на успешное использование их в светодиодных структурах, остается актуальной и по сей день.
Работы, посвященные изучению свойств ростовых дислокаций показали, что электронные свойства материала вблизи дислокаций преимущественно определяются вакансиями и примесными атомами сегрегированными на них в процессе роста. Такие дислокации в ОаХ являются преимущественно безызлучательными центрами рекомбинации, что снижает внешний квантовый выход кристаллов О»М. Вместе с тем, как показано автором работы Медведевым О.С.
и рядом других исследователей, дислокации, введенные путем локальной пластической деформации, приводят излучательными рекомбинационным процессам. Акгуальность исследования влияние дислокаций на люминесценцию О»Х, которой посвящена данная работа, не вызывает сомнения. Полученные в работе новые результаты по излучательной рекомбинации неравновесных носителей тока на свежевведйнных винтовых дислокациях в первую очередь вызывает интерес высокой интенсивностью, превышающей интенсивность зона-зонного излучения, и термической стабильностью излучения вплоть до 420 К. Автором работы показано„ что, именно, винтовые дислокации с вектором Бюргерса в направлеии <11-20> являются источниками высокоинтенсивной полосы с энергией примерно 3.1 эВ.
В работе впервые получены экспериментальные данные зависимости спектрального положения и интенсивности полосы дислокационной люминесценции от температуры, механических напряжений, уровня возбуждения и концентрации свободных носителей, Изучение атомного строения ядер введенных винтовых дислокаций позволило автору построить подробную модель оптических переходов, а также объяснить спектральные особенности в точках пересечения свежевведенных дислокаций.
Достоверность положений и выводов диссертации подтверждается использованием современного экспериментального оборудования, и воспроизводимостью результатов для большого числа кристаллов О»1Ч различного удельного сопротивления. В качестве замечания по автореферату отмечу отсутствие в нем информации о люминесценции у трещин вблизи отпечатка пирамидки. На основании знакомства с авторефератом и опубликованными работами считаю, что по научно-практическому значению, достоверности и новизне диссертационная работа Медведева Олега Сергеевича «Дислокаци онная люми не с цепция в нитриде галлия» полностью отвечает требованиям «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, а ее автор, несомненно.
заслуживает присуждения ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников. Николаев Владимир Иванович вне-зав. лабораторией, к. ф-м,н, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, РАН Контактная информация: Почтовый адрес: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, 26 Телл +7 9312382890 е-аа11: п1ко1аез.ч®пза113ойе.ги «21» мая 2018 г. В диссертационный совет Д 212.232.33 при Санкт-Петербургском государственном университете, 198504, Санкт-Петербург, Петеродворец, ул.
Ульяновская, д.1 Отзыв на автореферат диссертации Медведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия», представляемой на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01,04.10 — «Физика полупроводников». Индустрия приборов на основе нитридов третьей группы успешно развивается. Однако многие фундаментальные свойства этих материалов, такие как особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации, свойства протяженных дефектов изучены недостаточно, что препятствует реализации потенциальных возможностей этих материалов.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
