Отзыв на автореферат (1149389), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Именно в этом ключе проведены исследования в диссертационной работе Медведева О.С., что предопределяет актуальность выбранной темы и значимость научных и практических результатов, полученных в работе. Одно из новых, малоизученных, направлений проведенных исследований, — дислокационная люми несценция нитрида галлия. Следует отметить, что диссертантом впервые в составе исследовательской группы удалось обнаружить это явление. Диссертационная работа Медведева Олега Сергеевича, судя по автореферату, является законченным исследованием, включающим новые научные и практически значимые результаты.
В частности, впервые проведено систематическое изучение тонкой структуры дислокационной люминесценции в кристаллах нитрида галлия с разным уровнем легирования в широком температурном интервале. Показано, что винтовые дислокации„ введенные локальной пластической деформацией в низкоомные кристаллы нитрида галлия, являются источником высокоинтенсивной полосы люминесценции, как при комнатной, так и при более высоких температурах.
Установленная Медведевым О.С. в диссертационной работе устойчивость дислокацион ной структуры к высокотемпературным отжигам открывает возможность практического использования этого явления для создания светоизлучаюших приборов. Важным научным результатом является предложенная в диссертационной работе модель оптических переходов в ядре расщепленной а-винтовой дислокации„хорошо описывающая наблюдаемые свойства дислокационного излучения. Сотрудник ФТИ им, А.Ф. Иоффе РАН (Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф, Иоффе Российской академии наук, 194021, г.
Санкт-Петербург, ул. Политехническая 26, Тел. ~+7) 911-167-12-36, е-та11: Хага11а. ЯппЫт®пта11.1ойе.ги, Шмидт Наталия Михайловна) / Шмидт Н.М./ г.н.с., доктор ф.-м. наук Достоверность результатов, полученных в диссертационной работе Медведева О.С., подтверждена их высокой воспроизводимостью на большом количестве монокристаллов нитрида галлия, выращенных различными методами. Результаты диссертационной работы Медведева О.С. опубликованы в отечественных и зарубежных журналах и представлены на отечественных и международных конференциях. Считаю, что автореферат диссертации Медведева О.С. полностью соответствует требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — «Физика полупроводников», а Медведев О.С.
заслуживает присуждения ему искомой степени. ОТЗЫВ на автореферат диссертации Медведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Ш-нитридные полупроводники на сегодняшний день служат основой для светодиодов и лазеров синего и УФ диапазонов, а в перспективе рассматриваются в качестве материалов для силовой электроники. В настоящее время из-за ограниченности возможностей получения объемных кристаллов баХ 111-нитридные структуры выращиваются гетероэпитаксиальными методами в основном на сапфире илн карбиде кремния, что сопровождается появлением высокой плотности дислокаций в приборных структурах.
Поэтому весьма важными как с научной, так и с практической точек зрения оказываются исследования свойств дислокаций в П1-нитридах. В диссертации Медведева О.С. изучается явление дислокационной люминесценции, связанное с винтовыми дислокациями в ОаМ, что однозначно говорит об актуальности темы рассматриваемой работы. Результаты, полученные в работе, демонстрируют появление высокоинтенсивной полосы люминесценции с энергией 3.1-3.2 эВ, которая связана с винтовыми дислокациями ростового происхождения, залегающими в базисной плоскости ОаХ.
Исследование структуры винтовых дислокаций методами ПЭМ показывает, что дислокации являются расщепленными. Данный результат позволил автору сформулировать модель пространственно прямых и непрямых переходов, объясняющую наблюдаемые в эксперименте зависимости. В диссертации также обсуждается интересный и важный факт, свидетельствующий о том, что места пересечения дислокаций образуют структуры с отличной от упомянутой выше энергией излучения, а именно, с более высокой энергией порядка 3.3 эВ. Судя по автореферату и опубликованным статьям по теме диссертации„считаю, что по научно-практическому значению, достоверности и новизне рассматриваемая работа полностью отвечает требованиям «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства РФ, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, а сам Медведев Олег Сергеевич заслуживает присуждения ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводник Романов Алексей Евгеньевич, доктор физико-математических наук„ заведующий сектором теории твердого тела ФТИ им.
А.Ф, Иоффе РАН; контактная информация; почтовый адрес: Политехническая 26, 194021, СПб тел. +7-812-2927304 ~1: ИЖаюй.ай . « ~~7» Г.2 ~ 2018 г. В диссертационный совет Д 212.232,33 при Санкт-Петербургском государственном университете, 198504, Санкт-Петербург, Петеродворец, ул. Ульяновская, д.1 ОТЗЫВ на автореферат диссертации МЕДВЕДЕВА Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических нау.к по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Исследования, проведенные в диссертационной работе О.С. Медведева, являются в настоящее время весьма актуальными, поскольку кристаллы нитрида галлия повсеместно используются для производства светодиодов видимого и УФ диапазонов.
а также силовой и высокочастотной электроники. Гетероэпитаксиальный рост кристаллов ОаХ является причиной высокой плотности дислокаций, которые в свою очередь негативно влияют на выходные параметры и срок службы устройств на базе ОаХ. Изучение свойств дислокаций носит не только фундаментальный характер, но также является важным и с практической точки зрения для совершенствования технологического процесса изготовления светоизлучающих устройств. По моему мнению наиболее интересными являются следующие результаты исследования: - Обнаружена ранее не наблюдавшаяся в ОаХ полоса излучения 3.1 эВ, источником которой являются винтовые дислокации, введенные локальной пластической деформацией после завершения процесса роста кристалла.
Важной особенностью данного излучения является высокая интенсивность, которая превьппает интенсивность зона-зонного перехода; Термическая стабильность дислокационной структуры и излучения имеет важное практической значение с точки зрения возможности разработки светоизлучающих структур на основе дислокационного излучения; Представлена модель оптических переходов, объясняющая наблюдаемые свойства дислокационного излучения, которая основана на знаниях атомного строения дислокации и возможности пространственно прямых и непрямых переходов.
Представленная работа вносит большой вклад в исследование электронных свойств дислокаций в бинарных полупроводниках. Результаты работы Медведева О.С. соответствуют современному уровню развития науки и несомненно имеют практическую значимость. Положения, выносимые на защиту, адекватны полученным результатам, хорошо обоснованы и опубликованы в рецензируемых журналах.
Автореферат написан на хорошем научном языке, содержит достаточное количество иллюстраций, Диссертационная работа Медведева Олега Сергеевича «Дислокационная люминесценция в нитриде галлия» полностью отвечает требованиям «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, а ее автор, несомненно, заслуживает присуждения ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Ушакова Елена Владимировна Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры оптической физики и современного естествознания, Университет ИТМО Контактная информация: Почтовый адрес: 14, Биржевая линия, г.
Санкт-Петербург, Россия Тел. +7-812-457-18-80 е-та11: е1епа.изЬа1соча®согрлйпо.ги Г «э» ~им~ 2018 г. .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
