Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149385), страница 27

Файл №1149385 Диссертация (Дислокационная люминесценция в нитриде галлия) 27 страницаДиссертация (1149385) страница 272019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 27)

Characterization of free standing GaN grown by HVPE on a LiAlO 2 substrate //Phys. Status Solidi. 2006. Vol. 203, № 7. P. 1663–1666.129161. Saarinen K. et al. Observation of Native Ga Vacancies in GaN by Positron Annihilation // Phys.Rev. Lett. 1997. Vol. 79. P. 3030–3033.162. Xu F.J. et al. Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN andunintentional-doped GaN films // J. Appl. Phys. 2010. Vol.

107, № 2. P. 23528.163. Zhang R., Kuech T.F. Hydrogen induced yellow luminescence in GaN grown by halide vaporphase epitaxy // J. Electron. Mater. 1998. Vol. 27, № 5. P. L35–L39.164. Reurings F., Tuomisto F. Interplay of Ga vacancies, C impurities, and yellow luminescence inGaN // Proc. SPIE. 2007. Vol.

6473. P. 64730M–64730M–8.165. Lyons J.L., Janotti A., Van de Walle C.G. Effects of carbon on the electrical and opticalproperties of InN, GaN, and AlN // Phys. Rev. B. 2014. Vol. 89, № 3. P. 35204.166. Reshchikov M.A. et al. Carbon defects as sources of the green and yellow luminescence bandsin undoped GaN // Phys. Rev. B. 2014. Vol. 235203.

P. 1–16.167. Demchenko D.O., Diallo I.C., Reshchikov M.A. Yellow luminescence of gallium nitridegenerated by carbon defect complexes // Phys. Rev. Lett. 2013. Vol. 110, № 8. P. 1–5.168. Voronenkov V. et al. Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects // Phys.Status Solidi C. 2012. Vol. 10, № 3.169.

Yonenaga I. Hardness of bulk single-crystal GaN and AlN // MRS Internet J. Nitride Semicond.Res. 2002. Vol. 7, № 6. P. 1–4.170. Под ред. Калинина Б.А. Физическое материаловедение. т.4. 2008. 696 p.171. Catoor D. et al. Incipient plasticity and deformation mechanisms in single-crystal Mg duringspherical nanoindentation // Acta Mater.

2013. Vol. 61, № 8. P. 2953–2965.172. Weingarten N.S., Chung P.W. A-Type edge dislocation mobility in wurtzite GaN usingmolecular dynamics // Scr. Mater. Acta Materialia Inc., 2013. Vol. 69, № 4. P. 311–314.173. Hsu P.S. et al. Stress relaxation and critical thickness for misfit dislocation formation in (10-10)and (30-3-1) InGaN / GaN heteroepitaxy // Appl. Phys.

Lett. 2012. Vol. 171917, № 100. P. 1–5.174. Wasmer K. et al. Analysis of onset of dislocation nucleation during nanoindentation andnanoscratching of InP // J. Mater. Res. 2011. Vol. 27, № 1. P. 320–329.175. Yakimov E.B., Borisov S.S., Zaitsev S.I. EBIC measurements of small diffusion length //Физика и техника полупроводников. 2007. Vol. 41, № 4. P. 426–428.176. Van der Wegen G.J.L., Bronsveld P.M., De Hosson J.T.M. On the determination of the stackingfault energy from extended nodes in Cu2NiZn // Metall.

Trans. A. 1980. Vol. 11, № 7. P. 1125–1130.177. Tomokiyo Y., Kaku K., Eguchi T. Stacking Fault Energies in a Cu-Al Alloys // J. Japan Inst.Met. 1972. Vol. 36, № 4. P. 329–335.178. Cockayne D., Hons A. Dislocations in semiconductors as studied by weak-beam electron130microscopy // J. Phys. 1979. Vol. 40, № C6. P. 11–18.179. Stevens R. Defects in silicon carbide // J. Mater. Sci. 1972.

Vol. 7, № 5. P. 517–521.180. Milhet X., Demenet J.L., Rabier J. Stacking faults and phase transformations in silicon nitride //Eur. Phys. J. AP. 1998. Vol. 4, № 2.181. Hong M.H., Samant A. V., Pirouz P. Stacking fault energy of 6H-SiC and 4H-SiC singlecrystals // Philos. Mag. A. 2000. Vol. 80, № 4. P. 919–935.182. Soumelidou M.M. et al. Strain and elastic constants of GaN and InN // Comput. Condens.Matter.

Elsevier B.V., 2017. Vol. 10. P. 25–30.183. Jossang T. et al. On the determination of stacking fault energies from extended dislocation nodemeasurements // Acta Metall. 1965. Vol. 13. P. 279–291.184. Stampfl C., Van de Walle C. Energetics and electronic structure of stacking faults in AlN, GaN,and InN // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57, № 24. P. R15052–R15055.185. Zakharov D.

et al. Structural TEM study of nonpolar a-plane gallium nitride grown on(112¯0)4H-SiC by organometallic vapor phase epitaxy // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71, № 23. P.235334.186. Medvedev O.S. et al. Recombination-related properties of a-screw dislocations in GaN: Acombined CL, EBIC, TEM study // AIP Conf. Proc. 2016. Vol. 1748. P. 20011.187. Falkenberg M.A. et al. Localization and preparation of recombination-active extended defectsfor transmission electron microscopy analysis // Rev. Sci. Instrum.

2010. Vol. 81, № 6. P.63705.188. Niermann T. et al. High resolution imaging of extended defects in GaN using wave functionreconstruction // Phys. Status Solidi C. 2007. Vol. 4, № 8. P. 3010–3014.189. Hocker M. et al. Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping // J. Appl. Phys.2016. Vol. 119, № 18.190. Бир Г.Л., Пикус Г.Е.

Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. 1972.584 p.191. Wetzel C. et al. Photoluminescence studies of GaN and AlGaN layers under hydrostaticpressure // Proceding Mater. Res. Soc. Symp. 1995. Vol. 378. P. 509–514.192. Cockayne D.J.H., Hons A., Spence J.C.H. Gliding dissociated dislocations in CdS // Philos.Mag. A. 1980.

Vol. 42, № 6. P. 773–781.193. Sun Y.J. et al. Impact of nucleation conditions on the structural and optical properties of Mplane GaN(11̄00) grown on γ-LiAlO // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92, № 10. P. 5714.194. Hirth J.P., Lothe J. Theory of dislocations // New York: McGraw-Hill. 1968. 780 p.195. Malguth E. et al. Structural and electronic properties of Fe3+ and Fe2+ centers in GaN fromoptical and EPR experiments // Phys.

Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. 2006. Vol. 74, №13116. P. 1–12.196. Heikman S. et al. Growth and characteristics of Fe-doped GaN // J. Cryst. Growth. 2003. Vol.248. P. 513–517.197. Fernandez J.R.L. et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbondoping // Microelectronics J. 2004. Vol. 35, № 1. P. 73–77.198.

Trushin M., Vyvenko O.F. Impact of Electric Field on Thermoemission of Carriers fromShallow Dislocation-Related Electronic States // Solid State Phenom. 2013. Vol. 205–206, №March. P. 299–304.199. Someya T., Akiyama H., Sakaki H. Enhanced Binding Energy of One-Dimensional Excitons inQuantum Wires // Phys.

Rev. Lett. 1996. Vol. 76, № 16. P. 2965–2968.200. Lähnemann J. et al. Coexistence of quantum-confined Stark effect and localized states in an(In,Ga)N/GaN nanowire heterostructure // Phys. Rev. B - Condens. Matter Mater. Phys. 2011.Vol. 84, № 15. P. 1–6.201. Maeda K., Takeuchi S. Enhancement of Dislocation Mobility in Semiconducting Crystals byElectronic Excitation // Dislocations in Solids. 1996. Vol. 30. P. 445–504.202. Audurier V., Demenet J.L., Rabier J. AIN plastic deformation between room temperature and800°C. I. Dislocation substructure observations // Philos.

Mag. A. 1998. Vol. 77, № 4. P. 825–842.203. Delavignette P., Amelinckx S. Dislocation patterns in graphite // J. Nucl. Mater. 1962. Vol. 5,№ 1. P. 17–66.204. Whelan M.J. Dislocation interactions in face-centered cubic metals, with particular reference tostainless steel // Proc. R. Soc.

London. Ser. A. 1959. Vol. 249, № 1256. P. 114–137.205. Yoffe A.D. Advances in Physics Semiconductor quantum dots and related systems : Electronic ,optical , luminescence and related properties of low dimensional systems // Adv. Phys. 2001.Vol. 50, № 1. P. 1–208..

Характеристики

Тип файла
PDF-файл
Размер
10,5 Mb
Высшее учебное заведение

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6552
Авторов
на СтудИзбе
299
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее