Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149385), страница 25

Файл №1149385 Диссертация (Дислокационная люминесценция в нитриде галлия) 25 страницаДиссертация (1149385) страница 252019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 25)

Sol. 1978. Vol. 289. P. 289–293.53.Shikin V.B., Shikina N.I. Charged dislocations in semiconductors // Phys. Status Solidi. 1988.Vol. 108, № 2. P. 669–681.54.Rebane Y.T., Steeds J.W. Hole bound states in deformation field of screw dislocations in cubicsemiconductors // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48, № 20.

P. 963–972.55.Claesson A. Effect of disorder and long range strain field on the electron states // J. Phys. 1979.Vol. C6. P. 39–41.56.Farvacque J.L., Pödör B. Dislocation Bound States in Compound Semiconductors // Phys.Status Solidi. 1991. Vol.

167, № 2. P. 687–695.57.Farvacque J.L., Franc P. Numerical determination of one-dimensional energy bands bound todislocations // Phys. B Condens. Matter. 1999. Vol. 274. P. 995–998.58.Albrecht M., Lymperakis L., Neugebauer О. Origin of the unusually strong luminescence of a type screw dislocations in GaN // Phys. Rev. B. 2014. Vol. 241201, № 90. P. 1–4.59.Belabbas I. et al. Core properties and mobility of the basal screw dislocation in wurtzite GaN: adensity functional theory study // Model. Simul. Mater. Sci. Eng. IOP Publishing, 2016. Vol.

24,№ 7. P. 75001.60.Lehto N. Shallow electron states of bounded intrinsic stacking faults in silicon // Phys. Rev. B.1997. Vol. 55, № 23. P. 15601–15607.61.Гражулис В.А., Осипьян Ю.А. Элекронный парамагнитный резонанс в пластическидеформированном кремнии // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970.Vol. 58. P. 1259.62.Kveder V.

V et al. The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conductionin Silicon // Phys. Status Solidi. 1985. Vol. 87. P. 657–665.63.Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps insemiconductors // J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45, № 7. P. 3023.64.Trushin M. et al. Electrical characterization of silicon wafer bonding interfaces by means ofvoltage dependent light beam and electron beam induced current and capacitance of Schottkydiodes // Phys.

Status Solidi. 2011. Vol. 8, № 4. P. 1371–1376.65.Trushin M. et al. Giant Poole-Frenkel effect for the shallow dislocation-related hole traps insilicon // J. Phys. Conf. Ser. 2011. Vol. 281. P. 12009.66.Kveder V. V. et al. On the Energy Spectrum of Dislocations in Silicon // Phys. Status Solidi.1982. Vol. 72, № 2. P. 701–713.67.Cavalcoli D., Cavallini A.

Electronic states related to dislocations in silicon // Phys. Status123Solidi Curr. Top. Solid State Phys. 2007. Vol. 4, № 8. P. 2871–2877.68.Kveder V., Kittler M., Schröter W. Recombination activity of contaminated dislocations insilicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior // Phys. Rev. B.2001. Vol. 63, № 11. P. 115208.69.Vyvenko O.F. et al. X-ray beam induced current - A synchrotron radiation based technique forthe in situ analysis of recombination properties and chemical nature of metal clusters in silicon// J. Appl.

Phys. 2002. Vol. 91, № 6. P. 3614–3617.70.Vyvenko O.F. et al. X-ray beam induced current/microprobe x-ray fluorescence: synchrotronradiation based x-ray microprobe techniques for analysis of the recombination activity andchemical nature of metal impurities in silicon // J. Phys. Condens. Matter. 2004. Vol. 16. P.S141–S151.71.Feklisova O. V., Yakimov E.B., Yarykin N. Contribution of the disturbed dislocation slip planesto the electrical properties of plastically deformed silicon // Phys. B Condens.

Matter. 2003.Vol. 340–342. P. 1005–1008.72.Feklisova O.V., Pichaud B., Yakimov E.B. Annealing effect on the electrical activity ofextended defects in plastically deformed p-Si with low dislocation density // Phys. Status SolidiAppl. Mater. Sci. 2005. Vol. 202, № 5. P. 896–900.73.КравченкоВ.Я.Cпектрфотолюминесценциивпластическидеформированныхполупроводниках и электронные состояния на расщепленных дислокациях // Журналэкспериментальной и теоретической физики. 1995. Vol. 107, № 6.

P. 2048.74.Sauer R. et al. Dislocation-related photoluminescence in silicon // Appl. Phys. A SolidsSurfaces. 1985. Vol. 36, № 1. P. 1–13.75.Izotov A.N. et al. Photoluminescence and splitting of dislocation in germainum // Phys. StatusSolidi. 1992. Vol. 130. P. 193.76.Sauer R., Kisielowski-Kemmerich C., Alexander H. Dissociation-width-dependent radiativerecombination of electrons and holes at widely split dislocations in silicon // Phys. Rev. Lett.1986.

Vol. 57, № 12. P. 1472–1475.77.Rebane Y.T., Shreter Y.G. Dislocation-Related Excitons in Semiconductors // Springer Proc.Phys. 1991. Vol. 54. P. 28–39.78.Emtage P.R. Binding of Electrons, Holes, and Excitons to Dislocations in Insulators // Phys.Rev. 1967. Vol. 163, № 3. P. 865–872.79.Steinman E.A., Kveder V., Grimmeiss H.G.

The Mechanisms and Application of DislocationRelated Radiation for Silicon Based Light Sources // Solid State Phenom. 1996. Vol. 47–48. P.217–222.80.Pizzini S. et al. Photoluminescence emission in the 0.7-0.9 eV range from oxygen precipitates,124thermal donors and dislocations in silicon // J.

Phys. Condens. Matter. 2000. Vol. 12, № 49. P.10131–10143.81.Mchedlidze T. et al. Structures responsible for radiative and non-radiative recombinationactivity of dislocations in silicon // Phys. Status Solidi Curr. Top. Solid State Phys. 2011. Vol. 8,№ 3. P. 991–995.82.Mchedlidze T. et al. Determination of the Origin of Dislocation Related Luminescence fromSilicon Using Regular Dislocation Networks // Solid State Phenom. 2009. Vol.

156–158. P.567–572.83.Loshachenko A. et al. Impact of hydrogen on electrical levels and luminescence of dislocationnetwork at the interface of hydrophilically bonded silicon wafers // Phys. Status Solidi Curr.Top. Solid State Phys. 2013.

Vol. 10, № 1. P. 36–39.84.Bondarenko A., Vyvenko O., Isakov I. Identification of dislocation-related luminescenceparticipating levels in silicon by DLTS and Pulsed-CL profiling // J. Phys. Conf. Ser. 2011. Vol.281. P. 12008.85.Kveder V. et al. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocationluminescence // Appl.

Phys. Lett. 2004. Vol. 84, № 12. P. 2106–2108.86.Bondarenko A. et al. Dislocation Structure, Electrical and Luminescent Properties ofHydrophilically Bonded Silicon Wafer Interface // Solid State Phenom. 2011. Vol. 178–179. P.233–242.87.Karin T. et al. Optical Visualization of Radiative Recombination at Partial Dislocations in GaAs// arXiv:1606.03306v1 [cond-mat.mtrl-sci]. 2016.88.Myhajlenko S. et al.

Luminescence studies of individual dislocations in II-VI (ZnSe) and III-V(InP) semiconductors // J. Phys. C Solid State Phys. 1984. Vol. 17, № 35. P. 6477–6492.89.Leipner H.S. et al. Dislocation luminescence in cadmium telluride // Scanning Microsc. 1998.Vol. 12, № 1. P. 149–160.90.Galeckas A., Linnros J., Pirouz P. Recombination-induced stacking faults: Evidence for ageneral mechanism in hexagonal SiC // Phys. Rev. Lett. 2006.

Vol. 96, № 2. P. 1–4.91.Ha S. et al. Core structure and properties of partial dislocations in silicon carbide p-i-n diodes //Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, № 24. P. 4957–4959.92.Pirouz P. The concept of quasi-Fermi level and expansion of faulted loops in SiC underminority carrier injection // Phys.

Status Solidi Appl. Mater. Sci. 2013. Vol. 210, № 1. P. 181–186.93.Yakimov E.B., Regula G., Pichaud B. Cathodoluminescence and electron beam induced currentinvestigations of stacking faults mechanically introduced in 4H-SiC in the brittle domain // J.Appl. Phys. 2013. Vol. 114, № 8. P. 84903.12594.Maeda K., Takeuchi S.

Recombination enhanced mobility of dislocations in iii-v compounds //J. Phys. 1983. Vol. C4, № 9. P. 375–385.95.Ueda O., Pearton S.J. Materials and reliability handbook for semiconductor optical and electrondevices // Springer. 2013. 1-616 p.96.Maeda K. et al. Electronically induced dislocation glide motion in hexagonal GaN singlecrystals // Phys. B Condens. Matter. 1999. Vol. 273–274.

P. 134–139.97.Yakimov E.B. et al. Movement of basal plane dislocations in GaN during electron beamirradiation // Appl. Phys. Lett. 2015. Vol. 106, № 13. P. 132101.98.Caldwell J.D. et al. On the driving force for recombination-induced stacking fault motion in 4HSiC // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108, № 4.99.Karas G. V. New Developments in Crystal Growth Research. 2005.100. Rodina A. et al. Free excitons in wurtzite GaN // Phys. Rev. B. 2001. Vol.

Характеристики

Тип файла
PDF-файл
Размер
10,5 Mb
Высшее учебное заведение

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6553
Авторов
на СтудИзбе
299
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее