Диссертация (1097819), страница 57
Текст из файла (страница 57)
С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Фотоэлектрические свойства5гетеропереходов 2 (48 )-2 (2ℎ). //Доклады АН СССР. —1977. —Vol. 236, no. 1. — Pp. 72 – 74.201. Разработка и исследование кристаллов и монокристаллических слоевдля создания на их основе фото- и холодных катодов. /И.Г.Стамов,Н.Н.Сырбу,В.К.Киосев et al. // Сборник «Рефераты НИР и ОКР №76015407».
— 1978. — P. 58.202. Схема фотоэлектронных переходов и параметры локальных центров в -2 / И.С.Горбань, А.В.Любченко, А.К.Ткаченко, И.И.Тычина //ФТП. — 1979. — Vol. 13, no. 8. — Pp. 1502 – 1511.203. В.К.Киосев, А.Г.Уманец, Л.Ф.Буга. Легирование 2 и разработкадиодных структур на его основе // Тезисы докладов Всесоюзнойконференции «Тройные полупроводники и их применение». — Кишинев:Штиинца, 1979.
— 8 - 10 октября. — Pp. 190 – 192.204. Electrical properties of 2 single crystals of tetragonal and monoclinicmodifications / I.S.Gorban, G.A.Grishchenko, A.P.Sakalas et al. //ica Status Solidi (a).—1978. —Vol. 48, no. 2. —Phys-Pp. 329 – 334.http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210480209.205. Ф.П.Кудин.Радиационныеизменениямонокристаллов черного дифосфида цинка //журнал. — 2000.
— Vol. 45, no. 3. — Pp. 322–327.экситонныхспектровУкраинский физический335206. Некоторыесвойстваповерхностно-барьерныхструктур на основе дифосфида цинка /В.К.Киосев,С.Б.Хачатурова//игетеропереходныхН.Н.Сырбу,И.Г.Стамов,Фотоэлектрическиесвойствагетеропереходов / Ed. by С.И.Радауцан. — Штиинца, 1980. — P. 122. —АН МССР: Ин-т прикл. физики.207. N.N.Syrbu, I.G.Stamov, A.G.Umanetz.
Diode structures electrical characteristics on the basis of 2 , 2 and 2 // Proceedings International Symposium on «Physics and Chemistry of II-V Compounds» / Ed. by M.Gelten,L.Zdanowicz. — Mogilany, Poland: Eindhoven Univ., Netherdland, 1980.
—P. 247.208. Влияние термообработки на свойства поверхностно-барьерных диодовметалл-2 5 / Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, Г.А.Кудинцева, др. // Тезисыдокладов Всесоюзной конференции «Физические основы надежности идеградации полупроводниковых приборов». — Кишинев: 1982. — 25 - 27мая. — Pp. ч.2, с.44.209. Электрические характеристики барьеров Шоттки металл- 2 5Н.Н.Сырбу,И.Г.Стамов,Г.А.Кудинцева,/др. // Материалы длятвердотельной электроники. — Штиинца, 1982. — Pp. 854–859.210. ЭлектрическиехарактеристикибарьеровГ.А.Грищенко,В.П.Радзивилл,ШотткиА.С.Содейко,-2др.///Физикаконденсированного состояния.
— Киев: изд-во КГПИ, 1978. — Pp. 74–75.211. И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Исследование токов ограниченных объемнымзарядом (ТОПЗ) в тонких слоях дифосфида цинка моноклинноймодификации // Тезисы докладов международной научной конференции«Актуальные проблемы теоретической физики, физики конденсированныхсред и астрофизики», 23-24 сентября. — Брест, Беларусь: 2010.
— P. 18.212. И.Г.Стамов, В.Ю.Дубашевский. Электрические и фотоэлектрическиехарактеристикиструктурнаоснове -2//МатериалыIVМеждународной научно-практической конференции "Математическое336моделирование в образовании, науке и производстве"17-20 сентября 2003г. / ПГУ. — Тирасполь: изд-во ПГУ, 2003. — P. 80.213. Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне дифосфидакадмия на фотоэффект и электрические свойства структур Шоттки на егооснове / И.Г.Стамов, Е.И.Брусенская, А.В.Воронов, Д.В.Ткаченко //Вестник Приднестровского университета.
— 1999. — Vol. 11. — P. 8.214. I.Balberg. Relation between distribution of states and the space - charge region capacitance in semiconductors //Journal of Applied Physics. —1985.— Vol. 58, no. 7. — Pp. 2603 – 2616. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/58/7/10.1063/1.335890.215. G.I.Roberts, C.R.Crowell. Capacitance Energy Level Spectroscopy of Deep Lying Semiconductor Impurities Using Schottky Barriers // JournalPhysics. —of Applied1970. — Vol. 41, no. 4. — Pp. 1767 – 1776. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/41/4/10.1063/1.1659102.216. E.H.Rhoderick, R.H.Williams. Metal-Semiconductor Contacts.
— ClarendonPress Oxford, 1988.217. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов 2 с барьеромШоттки. / А.С.Щеулин, А.К.Купчиков, А.Е.Ангервакс, А.И.Рыскин //ФТП. — 2004. — Vol. 38, no. 1. — Pp. 72 – 78. http://journals.ioffe.ru/ftp/2004/01/page-72.html.ru.218. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Фотоэлектронные явления и перенос заряда вповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинкаВестник Приднестровского университета. Серия: Физ.тех. и мат.науки. — 2008. — Vol.
3(32). — Pp. 22 – 29.и кадмия. III //219. О.В.Константинов,О.А.Мезрин.Влияниепоследовательногосопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость //ФТП.— 1983. — Vol. 17, no. 2. — Pp. 305 – 311.220. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкостьнапряжение поверхностно-барьерной структуры /Ю.А.Гольдберг,337О.В.Иванова, Т.В.Львова, Б.В.Царенков //ФТП. —1983.
— Vol. 17,no. 6. — Pp. 1068 – 1072.221. А.Н.Король, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Туннельный резонансный ток вконтакте металл-полупроводник. //ФТП.— 1980. — Vol. 14, no. 6. —Pp. 1180–1184.222. С.И.Берил, И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Влияние электрического поляна характеристики выпрямляющих контактов металл- 2 , -2 //МатериалыIVМеждународнойнаучно-практическойконференции“Математическое моделирование в образовании, науке и производстве “17-20 сентября / ПГУ. — Тирасполь: изд-во ПГУ, 2003. — P.
78.223. S.I.Beril, I.G.Stamov, D.V.Tkachenko. Влияние электрического поля нафотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия //The book of abstracts of International conference “Physics of low-dimensionalstructures” in honour of the 80-th anniversary of Professor Evghenii PetrovichPokatilov Doctor of Sciences, 27-28 June / Academy of Sciences of Moldova. —Chisinau, Moldova: 2007. — P. 73.224. О.В.Курносова, И.Н.Яссиевич. Туннелирование с глубоких примесныхцентров в сильном электрическом поле //ФТП. — 1984. — Vol.
26, no. 11.— Pp. 3307–3315.225. С.И.Берил,А.С.Старчук.Проявлениеквантовыхсилизображенияэлектрона в авто- и термоэлектронной эмиссии на границе металлдиэлектрик. //Астрономия. —Вестник Московского университета. Серия 3: Физика,2002. — Vol. 5. — Pp. 46 – 49. http://vmu.phys.msu.ru/abstract/2002/5/02-5-46.226. E.Schibli, A.G.Milnes. Effects of deep impurities on n-p junction reverse-biasedsmall-signal capacitance //Solid-State Electronics. —1968. — Vol.
11, no. 3.— Pp. 323 – 334. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038110168900440.338227. Л.С.Берман, А.А.Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров вполупроводниках. — Ленинград: Наука, 1981. — 176 с.228. Электрические и оптические свойства диарсенидов цинка и кадмия. /С.Ф.Маренкин, А.М.Раухман, Д.И.Пищиков, В.Б.Лазарев //Известиявузов: Неорганические материалы. — 1992. — Vol.
28. — Pp. 1813 – 1828.229. I.G.Stamov, Tkachenko D.V. Light absorption and emission peculiarities of2 – crystal lattice // Proceedings Physics of electronic materials 2nd International Conference. — Vol. 1. — Kaluga, Russia,: Изд-во КГПУ, 2005. —P. 131.230. С.В.Булярский, Н.С.Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы вактивных элементах. — Москва: Издательство МГУ, 1995.231. С.В.Булярский.
Инновационные методы диагностики наноэлектронныхэлементов. — Ульяновск: Издательство УлГУ, 2006.232. C.R.Crowell, K.Nakano. Deep level impurity effects on the frequency dependence of Schottky barrier capacitance //Solid-State Electronics. —1972. —Vol. 15, no. 6. — Pp. 605 – 610. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038110172900020.233. D.H.Seib. Photoresponse characteristics of extended surface - barrier diodes. //Applied Physics Letters.—1971. —Vol.
18, no. 10. —Pp. 422– 424. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/18/10/10.1063/1.1653478.234. Н.Т.Баграев. Symmetry and metastability of an EL2 center in GaAs //ЖЭТФ. —1991. — Vol. 100, no. 4. — Pp. 1378 – 1391. http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/r/index/e/73/4/p764?a=list.235. N.T.Bagraev, V.A.Mashkov. Tunneling negative-U centers and photo-inducedreactions in solids //Solid State Communications.
—1984. — Vol. 51, no. 7.— Pp. 515 – 520. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003810988491024X.339236. СвойствамелкихН.И.Каширина,−-центровВ.Д.Лахно,вполярныхВ.В.Сычев,полупроводникахМ.К.Шейкман //ФТП./—1992. — Vol. 37, no. 3. — Pp. 318–322.237. Behaviour of manganense impurity in -2 /M.Pinkovs‘ka, V.Taranchyk //SQO. —M.Kakazej,A.Kudin,2001. — Vol. 4, no. 4.
— Pp. 264– 272.238. М.П.Ламперт, П.Марк. Инжекционные токи в твёрдых телах. — Москва:Мир, 1973.239. К.Б.Алейникова, М.М.Афанасьев, И.Е.Занин. Исследование природыэпитаксиального роста красной и черной модификаций дифосфидацинка //Журнал структурной химии. — 2009. — июль-август. — Vol. 50,no. 4. — Pp. 723–725.240. M.E.Fleet, J.White.
Rwinning and crystal slip in black monoclinic 2 //materi. res. — 1986. — Vol. 1, no. 1. — Pp. 187–192.J.241. Хирс Дж.П., Моазед К.Л. Физика тонких пленок. — М.: Мир, 1970. —Vol. 4.242. В.Д.Кузнецов. Кристаллы и кристаллизация. — Москва: Госуд. изд - вотехн. - теорет.
литературы, 1954.243. Влияние примесей на политипизм в карбиде кремния /Е.Н.Мохов, А.Д.Роенков, М.М.Аникин //Ю.А.Водаков,Письма в ЖТФ. —1979. —Vol. 5. — Pp. 367–370.244. И.Е.Занин, К.Б.Алейникова, М.Ю.Антипин. Анализ химической связив − и − модификациях дифосфида цинка по рентгенографическимданным. //Кристаллография.— 2003. — Vol. 48, no. 2. — Pp. 232 –237.245. Б.Л.Шарма, Р.К.Пурохит.
Полупроводниковые гетеропереходы. — Москва:«Мир», 1979.246. I.G.Stamov, V.V.Panasenko. Temperature influenceon tunnel charge transfer inthe Shottky- structures of 2 // 2rd International conference on materials340science and condensed matter physics, September 21 - 26. — Moldova, Chisinau:2004. — P. 137.247. И.Г.Стамов.Особенностисвойствгетеропереходовнаструктурныхмодификациях дифосфида цинка.
// The 4th International conference«Telecommunications, Electronics and Informatics», May 17 - 20, v.1. — Moldova, Chisinau: 2012. — Pp. 303 – 308.248. Crystal chemistry and optical properties of monoclinic zinc diphosphide. /K.B.Aleynikova, A.I.Kozlov, S.G.Kozlova, V.V.Sobolev // Moldavian Journalof the Physical Sciences. — 2004. — Vol. 3, no. 2. — Pp. 137 – 148.249.
В.Б.Квасков. Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью.— Москва: Энергоатомиздат, 1988. — 130 с.250. В.В.Пасынков, Л.К.Чиркин, А.Д.Шинков. Полупроводниковые приборы.— Москва: Высшая школа, 1981.251. В.И.Морозова, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №775370. — 1980.252. В.И.Морозова, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Бистабильный симметричный переключатель. Авторское свидетельство СССР №735133. — 1980.253.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
