Диссертация (1097819), страница 56
Текст из файла (страница 56)
28 – 32.155. R.L.Bell. Negative Electron Affinity Devices. — Oxford: Clarendon Press, 1973.329156. Спектры отражения диарсенида цинка /С.Г.Кройтору et al. //ФТП.В.В.Соболев,А.И.Козлов,— 1981. — Vol. 15, no. 8. — Pp. 1428 –1430.157. Н.Н.Сырбу,И.Г.Стамов,фотоэлектрическиесвойствадифосфидах цинка //ФТП.С.Б.Хачатурова.ЭлектрическиеидиодовнаиШотткидиарсенидах— 1979.
— Vol. 13, no. 9. — Pp. 1734 –1738.158. -модулированная фото эмиссия полупроводников 2 и 4 /А.Г.Кудинцева,А.М.Камерцель,Доклады АНС.И.Радауцан et al. //СССР. — 1978. — Vol. 241, no. 5. — Pp. 1073 – 1075.159. Crystal chemistry and optical properties of monoclinic zinc diphosphide /K.B.Aleynikova, A.I.Kozlov, S.G.Kozlova, V.V.Sobolev // Moldavian Journalof the Physical Sciences. — 2004. — Vol. 3, no. 2. — Pp. 137 – 148.160.
Optical spectra and electroabsorption of 2 and 4 single crystals /S.I.Radautsan, N.N.Syrbu, V.E.Tezlevan, I.V.Chumak //Solidi (b). —Physica Status1973. — Vol. 60, no. 1. — Pp. 415 – 425. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220600145.161. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Свободные экситонные состоянияи обратная водородоподобная серия линий поглощения в дифосфидецинка //Известия АН МССР: сер физ-техн и матем наук. —1982.
—Vol. 1. — Pp. 27 – 34.162. Влияние нарушения состава дифосфида цинка на спектры свободныхэкситонов / С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова et al. // ДокладыАН СССР. — 1990. — Vol. 311, no. 4. — Pp. 866 – 869.163. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова, С.И.Радауцан.
Оптическая анизотропиялиний экситонных серий в дифосфиде цинка //Доклады АН СССР.—1986. — Vol. 286, no. 2. — Pp. 345 – 347.164. Влияние нарушения стехиометрии на динамику кристаллической решеткив дифосфиде цинка черной модификации /Н.Н.Сырбу,X.Нойман,330Л.Г.Пеев et al. //ФТТ.— 1990. — Vol.
32, no. 4. — Pp. 1260 – 1263.http://journals.ioffe.ru/ftt/1990/04/page-1260.html.ru.165. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова. Экситон-фононные спектры в дифосфидецинка. //ФТТ. — 1985. — Vol. 27, no. 9. — Pp. 2687 – 2690.166. Vibrational properties of 2 4 /et al. // CrystalH.Neumann,H.Sobotta,V.RiedeResearch and Technology. — 1984. — Vol. 19, no. 5. — Pp. 709– 714. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170190523.167. Инфракрасныеколебательныемодымодификации 2 , 2 и 4 /И.Б.Заднипру, Г.И.Стратан //вкристаллахН.Н.Сырбу,моноклиннойС.Б.Хачатурова,ФТП.
— 1991. — Vol. 25, no. 05. — Pp. 783– 791. http://journals.ioffe.ru/ftp/1991/05/page-783.html.ru.168. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu. Anisotropy of Edge Absorption and Photoluminescence of Tetragonal 2 and 2 Single Crystals //(b). —Physica Status Solidi1971. — Vol. 43, no. 1. — Pp. K87 – K91. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220430168.169. И.С.Горбань, В.А.Губанов, М.В.Чукичев, З.З.Янчук //ФТП. —1985.— Vol. 19, no.
7. — Pp. 1312 – 1315.170. И.В.Потыкевич,А.В.Любченко,В.С.Коваль.Электропроводимостьи фотопроводимость монокристаллов 2 -типа //Украинскийфизический журнал. — 1972. — Vol. 17, no. 4. — Pp. 607 – 611.171. Current sign inverter guided by polarization /A.V.Dorogan, L.L.Nemerenco //I.G.Stamov,Optics Communications. —N.N.Syrbu,2008. — Vol.281, no.
9. — Pp. 2459 – 2466. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0030401807013971.172. Ю.В.Рудь, Г.А.Медведкин. Детектор линейно-поляризованного излучения.Авторское свидетельство СССР №671634. — 1980.173. С.И.Радауцан,И.Г.Стамов,свидетельство №762658. — 1980.Н.Н.Сырбу.Фотоэлемент.Авторское331174. Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, И.В.Боднарь. Выращивание монокристаллов 2тетрагональной модификациии и свойства барьеров на их основе // ЖТФ.— 1980. — Vol.
80, no. 4. — Pp. 84–88.175. S.I.Radautsan, N.N.Syrbu, V.K.Kiosev. Optical Modulation Spectra of 2Crystals and − 2 Schottky Barriers //Physica Status Solidi (b). —1974. — Vol. 64, no. 2. — Pp. 459 – 465. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220640206.176. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки -2 /И.И.Небола, С.И.Радауцан et al. //ФТП.
—Д.М.Берча,1974. — Vol. 8, no. 11. —Pp. 2065–2075.177. Photoelectric properties of −2 surface barrier structures / I.V.Bodnar’,M.A.Osipova,V.Yu.Rud’ at al. //Journal of Applied Spectroscopy.—2010. — Vol. 77, no. 1. — Pp. 148 – 151. http://dx.doi.org/10.1007/s10812-010-9307-7.178. R.H.Fowler. The Analysis of Photoelectric Sensitivity Curves for Clean Metalsat Various Temperatures //Phys Rev. —1931. — Jul. — Vol.
38. — Pp. 45 –56. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.38.45.179. А.А.Гуткин,Н.Мирзамахмудов,Д.Н.Наследов.Фотоэффект,обусловленный эмиссией дырок из металла, в выпрямляющих контактах - - //180. В.И.Стриха.ФТП. — 1974. — Vol. 8, no. 10. — Pp. 1888–1894.Теоретическиеосновыработыконтактаметалл-полупроводник. — Киев: Высшая школа, 1974. — 224 с.181. S.M.Sze, C.R.Crowell, D.Kahng. Photoelectric Determination of the Image Force Dielectric Constant For Hot Electrons in Schottky Barriers //Journal of Applied Physics.—1964. —Vol. 35, no.
8. —Pp. 2534– 2536. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/35/8/10.1063/1.1702894.332182. Фотопроводимость монокристаллов 2 при возбуждении рубиновым инеодимовым ОКГ / Д.Велецкас, Р.Балтрамеюнас, Ю.Вайткус et al. //ФТП. — 1975. — Vol. 9, no. 9. — Pp. 1752–1756.183. Свойстваповерхностно-барьерныхструктурметалл--Б.В.Царенков, Ю.А.Гольдберг, А.П.Изергин et al. //ФТП. —/1972. —Vol.
6, no. 4. — Pp. 710–714.184. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Особенности долговременной релаксацииемкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного 2 типа проводимости //ФТП. —2008. — Vol. 42, no. 6. — Pp. 679 – 685.http://journals.ioffe.ru/ftp/2006/10/page-1196.html.ru.185. Н.Л.Дмитрук, А.К.Терещенко. К определению диффузионной длинынеосновных носителей заряда в диодах Шоттки //Электронная техника.— 1973.
— Vol. Серия 2, no. 4. — Pp. 68–72.186. F.Stockmann. Lifetimes in photoconductors //RCA Review. —1975. — sept.— Vol. 36. — Pp. 499–507.187. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне 2 на электрические свойства структур с барьеромШоттки на его основе //ФТП. —2006. — Vol.
40, no. 10. — Pp. 1196 –1203. http://journals.ioffe.ru/ftp/2008/06/page-679.html.ru.188. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Фотоэлектронные явления и перенос заряда вповерхностно-барьерных структурах на основе - типа дифосфидов цинкаи кадмия. I // ВестникПриднестровского университета Серия: Физ-техи матнауки. — 2007. — Vol. 3(29). — Pp. 18 – 24.189. В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, И.В.Боднарь.
Выращивание монокристаллов 2тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе //ЖТФ.— 2010. — Vol. 80, no. 4. — Pp. 84 – 88. http://journals.ioffe.ru/jtf/2010/04/page-84.html.ru.190. Особенности фотоэффекта в выпрямляющих структурах металл-2 . /С.И.Берил,И.Г.Стамов,В.В.Панасенко,А.С.Старчук // Труды V333Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии».— Ульяновск, Россия: 2003. — P. 105.191. Поляризационные исследования тетрагональных кристаллов 2 /А.А.Вайполин, Ю.А.Валов, Р.В.Масагутова et al. //ФТП.
—1980. —Vol. 14. — Pp. 133 – 136.192. Фоточувствительные структуры на монокристаллах 2 моноклиннойи тетрагональной модификаций: получение и свойства /Ю.В.Рудь, А.А.Вайполин et al. //ФТП.В.Ю.Рудь,— 2009. — Vol. 43, no. 7. —Pp. 890–896.193. И.Г.Стамов,С.И.Берил,В.В.Панасенко.Электрическиеифотоэлектрические свойства контактов Шоттки на тетрагональномдифосфиде цинка // В сб. «Социогуманитарные и естественнонаучныепроблемы устойчивого развития: Приднестровье». — изд.ПГУ, 2010.
—Pp. 84 – 92.194. Birefringence in 2 (48 ) /I.G.Stamov,V.V.Zalamai,L.L.Nemerenco,N.N.Syrbu // The 4rd International conference «Telecommunications, Electronics and Informatics». — Chisinau, Moldova: 2015. — May 20-23. — Pp. 220– 224.195. С.И.Берил,И.Г.Стамов,Д.В.Ткаченко.Исследованиетуннельныхпроцессов в выпрямляющих структурах на дифосфидах цинка и кадмия. //Материалы 2-ой Теренинской научно-практической конференции, 5-6 мая /КГПУ.
— Калуга, Россия: Изд-во КГПУ, 2006. — Pp. 66–69.196. И.Г.Стамов, др. Разработка и исследование эмиссионных узкозонныхполупроводников и п/п ЭС для фото- и холодных катодов // Сборникрефератов НИР и СКР № 78018067. — 1978. — P. 3.197. H.V.Känel, R.Hauger, P.Wachter. Photoelectrochemistry of monoclinic 2 :A promising new solar cell material // SolidState Communications.
— 1982. —Vol. 43, no. 8. — Pp. 619 – 621. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038109882904768.334198. I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.Dorogan. Photodetectors and birefringence in52 − 2ℎcrystals. //Physica B: Condensed Matter. —2013. — Vol. 412,no. 0. — Pp. 130 – 137. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452612010290.199. T.Mowles. High effictency solar photovoltaic cells produced with inexpensiv materials by processes suttable for large volume production, US Patent №6,541,695B1. — 2003.200.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
