Диссертация (1097819), страница 55
Текст из файла (страница 55)
0.— Pp. 19 – 27. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231313008090.114. Testing of birefringence in 2 crystals and application of the interleavingoperation / I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.Dorogan, V.Trofim // Transactions onmetrology and analytical methods of research / Ed. by Ion Geru. — Chisinau:Publishing house of the Academy of Sciences of Moldova, 2010.
— P. 192 – 211.115. P.J.Lin-Chung. Energy band structures of 3 2 and 3 2 // PhysicaStatusSolidi (b). — 1971. — Vol. 47, no. 1. — Pp. 33 – 39. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220470103.116. M.E.Fleet. The crystal structure of 2 . //Acta Crystallographica B. —1974. — Jan. — Vol. 30, no. 1. — Pp. 122 – 126. http://dx.doi.org/10.1107/S0567740874002329.117. R.Braunstein, E.O.Kane. The valence band structure of the III-V compounds //Journal of Physics and Chemistry of Solids. —1962.
— Vol. 23, no. 10. —Pp. 1423 – 1431. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0022369762901956.118. Interband critical points of and their temperature dependence /P.Lautenschlager, M.Garriga, S.Logothetidis, M.Cardona //Phys Rev B.— 1987. — Jun. — Vol. 35. — Pp. 9174 – 9189. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.35.9174.119. J.E.Jaffe, A.Zunger. Electronic structure of the ternary chalcopyrite semiconductors 2 , 2 , 2 , 2 , 2 and 2 //Phys Rev B.—1983. — Nov.
—Vol. 28. —Pp. 5822 – 5847. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.28.5822.325120. J.E.Jaffe, A.Zunger. Theory of the band-gap anomaly in 2 chalcopyritesemiconductors //Phys Rev B. — 1984. — Feb. — Vol. 29. — Pp. 1883 – 1906.http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.29.1882.121. M.Cardona.
Modulation spectroscopy. — New York: Academic Press, NewYork, 1969. http://dx.doi.org/10.1007/BFb0108433.122. E.A.Fagen. Optical properties of 3 2 // Journal of Applied Physics. — 1979.— Vol. 50, no. 10. — Pp. 6505 – 6515. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/50/10/10.1063/1.325746.123. Photoelectric properties of 3 2 / J.M.Pawlikowski, N.Mirowska, P.Becla,F.Krolicki //Solid-State Electronics.—1980.
—Vol. 23, no. 7. —Pp. 755 – 758. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038110180901331.124. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu. Optical Properties and Energy Band Structure of3 2 and 3 2 Crystals //Physica Status Solidi (b). —1974. — Vol. 64,no. 2. — Pp. 423 – 429. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220640202.125. И.В.Кудрявцев,Л.В.Тихонов.Теоретико-групповыететрагональных кристаллах 48 //расчетыИзвестия вузов: Физика.
—зонв1971. —no. 11. — Pp. 93–99.126. Д.М.Берча, Н.Н.Сырбу. Полупроводниковые материалы и приборы.Структураэнергетическихзонкристаллов3 2/Ed.byакадемик С.И.Радауцан. — Штиинца, 1973. — Vol. Полупроводниковыематериалы и приборы.127. Электронная и кристаллическая структура изоморфных 2 и 2 /К.Б.Алейникова, А.И.Козлов, С.Г.Козлова, В.В.Соболев // ФТТ. — 2002.— Vol. 44, no. 7.
— Pp. 1206 – 1210. http://journals.ioffe.ru/ftt/2002/07/page-1206.html.ru.128. P.J.Lin-Chung. Energy-Band Structures of 3 2 and 3 2 //Phys Rev.— 1969. — Dec. — Vol. 188. — Pp. 1272 – 1280. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.188.1272.326129. D.O.Scanlon, A.Walsh. Bandgap engineering of 2 for high-efficiencysolar cells //Applied Physics Letters.—2012. —Vol.
100. —P. 251911. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/100/25/10.1063/1.4730375.130. P.O.Gentsar, O.I.Vlasenko, O.V.Stronski. OpticaL and physical phenomena insubsurface layers -2 //Physics and chemistry of solid state. —2007. —Vol. 8, no. 1. — Pp. 48–52.131. Excitons and Energetic Bands Structure of 2 − 52ℎ Crystals. / I.G.Stamov,A.V.Dorogan,N.N.Syrbu,V.V.Zalamai. //als Science and Application.—2014. —American Journal of Materi-Vol. 2, no. 6. —Pp.
96 –107. http://www.openscienceonline.com/journal/archive2?journalId=730&paperId=1392.132. Reflectivity Spectra and Band Structure of the Zinc and Cadmium Diphosphides / V.V.Sobolev, A.I.Kozlov, Yu.I.Polygalov et al. //tus Solidi (b).—1989. —Vol. 154, no. 1. —Physica Sta-Pp. 377 – 388. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221540139.133. В.В.Соболев, А.И.Козлов, С.Г.Козлова. Расчеты оптических функций ипараметров дифосфида цинка //Оптика и спектроскопия.— 1994. —Vol. 77, no.
5. — Pp. 787 – 792.134. Н.А.Соболева. Новый класс электронных эмиттеров // Успехи физическихнаук. —1973. — Vol. 111, no. 10. — Pp. 331 – 353. http://ufn.ru/ru/articles/1973/10/f/.135. В.Е.Кондратов. Оптика фотокатодов. — Москва: Москва: Наука, 1976. —86-101.136. Р.Л.Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. — Москва:Москва: Энергия, 1978. — 192 с.137. R.E.Weber, A.L.Johnson. Determination of Surface Structures using LEED andEnergy Analysis of Scattered Electrons. // Journal of Applied Physics.
— 1969.327— Vol. 40, no. 1. — Pp. 314 – 318. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/40/1/10.1063/1.1657051.138. G.Dearnaley. Ion implantation //Nature.—1975. —Vol. 256. —Pp. 701 – 705. http://www.nature.com/nature/journal/v256/n5520/abs/256701a0.html.139. R.Shimizu, S.Ishimuza. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials //Toyota Foundation Research Report. —1981. — Vol. 1-006, no. 76. —Pp. 175 – 181.140. S.Ichimura, R.Shimizu. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I.
Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials //Surface Science. —1981. — Vol. 112, no. 3. — Pp. 386 – 408. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0039602881903824.141. W.M.Mularie, W.T.Peria. Deconvolution techniques in Auger electron spectroscopy // SurfaceScience. — 1971. — Vol. 26, no. 1. — Pp. 125 – 141. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003960287190118X.142.
van Cittert P.H. “Zum emfluss der spaltbneite auf die intensit atswerteilung inspektrallinien II” // ZeitscliftFur Physik. — 1931. — Vol. 69. — Pp. 298 – 308.143. М.Кардона. Модуляционная спектроскопия. — Под ред. А.А.Каплянскогоedition. — Москва: Мир, 1972. — 416 с. http://dx.doi.org/10.1007/BFb0108433.144. Э.П.Домашевская,кристаллах //Я.А.Угай,О.Я.Гуков.ХимическаясвязьФТТ. — 1970. — Vol. 12, no.
6. — Pp. 1652 – 1655.в145. A study by {XPS} and {XRS} of the participation in chemical bonding ofthe 3d electrons of copper, zinc and gallium /E.P.Domashevskaya et al. //Phenomena.—1975. —V.I.Nefedov,Ya.V.Salyn,Journal of Electron Spectroscopy and RelatedVol. 6, no. 3. —Pp. 231 – 238. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0368204875800181.328146. E.P.Domashevskaya, V.A.Terenkhov, Ya.A.Ugai. Valence-level stracture ofPhosphides of 3d-metals on the basis of XRS and ESCA data // Proceedings International Symposium on «Physics and Chemistry of II-V Compounds» / Ed.by M.Gelten, L.Zdanowicz. — Mogilany, Poland: Eindhoven Univ., Netherdland, 1980.
— Pp. 225 – 234.147. W.E.Spicer. Negative affinity 3-5 photocathodes: Their physics and technology //Applied physics A.— 1977. — Vol. 12, no. 2. — Pp. 115 – 130.http://dx.doi.org/10.1007/BF00896137.148. Электрические и оптические свойства диарсенидов цинка и кадмия. /С.Ф.Маренкин, А.М.Раухман, Д.И.Пищиков, В.Б.Лазарев //ИзвестияАН CССР: сер Неорганические материалы.
— 1992. — Vol. 28. — Pp. 1813– 1828.149. Г.В.Жабєєв,А.П.Кудiн,В.П.Тартачник.Електрично-активнiдефекти у дифосфiдi цинку тетрагональної модифiкацiї //хiмiя твердого тiла. —власнiФiзика i2002. — Vol. 3, no. 3. — Pp. 404 – 412. http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/pcss/vol3/anotu0303.html.150. C.C.Chang. Auger electron spectroscopy // Surface Science. — 1971. — Vol. 25,no.
1. — Pp. 53 – 79. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003960287190210X.151. Анализ поверхности методом оже- и рентгеновской фотоэлектроннойспектроскопии. / Ed. by Д.Бригс, М.П.Сих. — Москва: Мир, 1987.152. И.Г.Стамов. Автореферат кандидатской диссертации.: Ph.D. thesis /Кишинев. — 1981.153. Н.Ю.Камерцель. Автореферат кандидатской диссертации.: Ph.D. thesis /Фрязино. — 1989.154. Физические явления в диодах Шоттки металл- 2 5 / А.Ю.Камерцель,Г.А.Кудинцева, И.Г.Стамов, Н.Н.Сырбу // ФТП. — 1985. — Vol. 19, no. 1.— Pp.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
