Отзыв оппонента Тартаковского (1097815)
Текст из файла
отзыв официального оппонента на диссертационную работу Стамова Ивана Григорьевича «Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов АзВз и приборов на их основе», представленную на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04,10 - физика полупроводников Диссертационная работа И.Г. Стамова посвящена детальному экспериментальному исследованию оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых кристаллов и структур на основе соединений А'В', а также изучению возможностей данных свойств для практического применения.
Интенсивное развитие таких областей как информационнокоммуникацнонные технологии, оптоэлектроника, нанофотоника и спинтроника, в которых наряду с зарядом и сливом рассматривается также поляризация фотонов как дополнительный информационный элемент, требуют привлечения новых материалов и структур, обладмощих необходимыми физико-химическими свойствами и разнообразными характеристиками. Полупроводниковые кристаллы на основе соединений А'В' обладают сильной анизотропией оптических и электронных свойств, значительной вариацией их физических характеристик, а также отличаются относительно простой технологией роста кристаллов.
С учетом сказанного выше, актуальность диссертационной работы И,Г. Стамова не вызывает сомнений. Основные результаты диссертационной работы состоят в детальных спектроскопических исследованиях собственных и примесных экситонных состояний, структуры энергетических зон и оптической активности в полупроводниковых кристаллах на основе соединений А'В', изучении фотоэлектронной эмиссии в структурах металл — полупроводник (дифосфиды цинка и кадмия и диарсенида цинка), контактных явлений и переноса заряда на контактах металл — полупроводник А'В'.
Следует особо отметить, что в ходе выполнения диссертационной работы наряду с проведением фундаментальных исследований оптических и фотоэлектронных свойств полупроводниковых кристаллов и структур А'В', были разработаны технологии получения нелегированных и легированных монокрнсталлов на основе соединений А~В' высокого качества, структур металл — полупроводник А'В' с омическими контактами и барьерами Шоттки, а также сконструирован и создан ряд устройств на базе кристаллов и структур А2В' с характеристиками, зависящими от поляризации падающего излучения. Структура н объем диссертации.
Диссертация состоит из введения, в котором сформулированы цель работы и положения, выносимые на защиту, пяти глав, содержащих оригинальный материал, заключения, в котором автором кратко суммируются полученные результаты, и списка литературы из 284 наименований. Объем диссертации составляет 343 страницы, и включает 198 рисунков и 11 таблиц. В~РРРУРУ" ""Р поглощения, отражения и фотолю мин ееценции в кристаллах диарсенида цинка и в нелегированных и легированных разными примесями кристаллах дифосфидов кадмия и цинка в широком температурном интервале.
На основании полученных результатов определены различные параметры, характеризующие состояния свободных и связанных экситонов. Показано, что примеси уруп, сд, )Р', 5п, 5ь являются в легированных кристаллах дифосфидов кадмия н цинка аксиальными центрами для связанных на них экситонов„и предложены модели оптических излучательных переходов для аксиальных центров. Изучено влияние электрического поля на спектры зеркального отражения света в области экситонного состояния и = 1 кристаллов ХпРь В длинноволновой области экситонных спектров кристаллов ХпРР1С,'„) при температурах 2 и 77К обнаружена обратная водородоподобная серия из 9 линий поглощения, происхождение которой об ьяснено биэлектронпыми состояниями.
ВЕВВВйВВРВВ р у р р й Р р фр й тетрагональных и моноклинных полупроводниковых кристаллов А~В', на основании которых предложены модели энергетических зон в области края фундаментального поглощения. По экспериментально измеренным спектрам отражения кристаллов дифосфида Се1 и Хл и диарсенида Хл в области 1фз10 эВ определены энергии прямых электронных переходов. Используя РР ЕЕ соотношения Крамерса — Кронига, были также рассчитаны оптические функции и, к, гь аг и —,' . Кроме того, на основании данных по Оже-спектрам были установлены особенности строения валентной зоны исследуемых кристаллов. УР~И Вдщ й р ф р й р и фотоэлектронных явлений в структурах металл — полупроводник АВВ' (ХпАзп ХпР~(С,'„), ХпРз(0ВВ), Се7РЕ). Методами Оже — спектроскопии изучены процессы на поверхности и в приповерхностной области кристаллов при их термической обработке и после химического и ионного травления, определены технологические режимы получения чистых поверхностей с составами, близкими к стехиометрическим.
Проведено исследование спектров фотоэмиссии с чистых и активированных поверхностей дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия. Продемонстрирована сильно выраженная зависимость фототока от поляризации падающего излучения в области края фундаментального поглощения для дифосфида цинка моноклинной модификации в контактах с металлами и проводящими окислами. В четве игой главе описаны результаты исследования контактных явлений и особенностей переноса заряда в структурах металл — полупроводник А'В', Проведено изучение характеристики полной проводимости поверхностно-барьерных структур, зависимости от электрического поля барьера и температуры, частотная зависимость проводимости. Выполнено исследование емкости и проводимость барьеров Шоттки металл — ~) †Хна и †ти, обнаружена долговременная релаксация емкости и проводимости В пятой главе приводятся результаты по исследованию электрических и фотоэлектрических свойств впервые обнаруженных гетеропереходов на полиморфных модификациях (а — и Š— фазы) дифосфида цинка.
Рассмотрены вольт - амперные характеристики гегероперехода а(п) — Др) — ЕпРз в температурном диапазоне Т=ЗОΠ— 400К, зависимости емкости и проводимости гетероперехода а — Š— УпРз от обратного смещения и их частотные зависимости, а также спектральные и поляризационные особенности фотоэлектрических свойств гетеропереходов. Значительная часть пятой главы посвящена обсуждению перспектив для практического применения полупроводников А'В' и продемонстрированы возможности создания на их основе приборов различного назначения. В частности, рассматриваются принципы построения и характеристики фотоприемников линейно-поляризованного света, с помощью которых можно регистрировать как мощность, так и степень поляризации падающего излучения; описаны технология изготовления и устройство для сепарации ТЕ и ТМ мод н фильтрации оптических сигналов в оптических системах связи; рассмотрены характеристики датчиков температуры и модуляторы света на тетрагональных кристаллах дифосфида кадмия и цинка и обсуждена возможность их использования в качестве оптоэлектронных датчиков для прецизионного контроля и поддержания температуры.
В зпключенпи диссертации формулируются основные результаты, полученные в работе. Научная новизна работы определяется тем, что целый ряд основных результатов диссертации И,Г. Стамова получен впервые К новым и наиболее значительным результатам, можно, на мой взгляд, отнести следующие: В кристаллах ХпРз(Сзь) обнаружены и исследованы экситонные водородоподобиые серия С симметрии Гз (я) в поляризации Е~~с и серия В симметрии 2Г~ (у)+Гз (х) в поляризации Е~ с. Рассчитаны контуры линий основных состояний экситонов и определены параметры экситонов и энергетических зон, Показано, что экситониые спектры отражения имеют классическую форму, характерную для экситонного поляритоиа (светоэкситона).
Впервые исследовано влияние электрического поля на спектры отражения и поглощения экситонов в структурах Аи — „! ТΠ— ХпРь В кристаллах УпРз(С,'ь) с длинноволновой стороны от экситонных серий при низких температурах обнаружена обратная, сходящаяся в длин нов олновую сторону, водородоподобная серия (ОВС) из 9 линий поглощения. Впервые подобная серия наблюдалась в работе Е.Ф.Гросса в кристалле Вф, и было дано объяснение природы ОВС. С длинноволновой стороны каждой основной линии данной серии проявляются прямые водородоподобные серии, происхождение которых обусловлены взаимодействием биэлектрона как единого целого с положительно заряженным центром. ° Впервые обнаружены связанные экситоны на аксиальных центрах СЙ„Яп, ВЬ и Мп в кристаллах ХпРз(04а) и Сг)Рз(04а).
Установлена связь между параметрами расщеплений состояний электрона кристаллическим полем (Л,,), спин-орбитальным взаимодействием (Л;,) и природой центров, с которыми связан экситон. Построены энергетические схемы электронных переходов. ° Исследованы оптические, фотоэлектрические и фотоэмиссионные явления в бирефракти нных кристаллах группы А'В', структурах металл — полупроводник, гетеропереходах, а также явления переноса заряда в этих структурах, Благодаря этим исследованиям были установлены возможности применения материалов этой группы для задач поляризационной фотоэлектроники на анизотропных кристаллах. ° Разработана технолог ия получения нелегированных и легированных монокристаллы группы А'В' высокого качества, а также омических и выпрямляющих контактов к ним (барьеров Шоттки, р — и переходов и гегеропереходов на основе этих соединений).
° Разработаны технологии получения атомарно чистой поверхности кристаллов ХпРз(04а), Сг(рз(04), ЕпР2(СД,), ЕиАа(СД,),, СЙР» и снижения работы выхода для приборов фотоэмиссионной электроники. На бирефрактивных кристаллах группы А'В', структурах металл — полупроводник, гетеропереходах впервые разработаны и созданы опытные образцы инверторов тока с характеристиками, управляемыми поляризацией излучения; поляризационночувствительных фотоприемников, фотоэмиттеров для ближней ИК вЂ” области спектра; узкополосных фотодетекторов, бистабильных электрических переключателей, оптических фильтров (в том числе в окнах прозрачности оптических волокон ! .3 и 1.5 мкм).
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
