Диссертация (1097819)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

ПРИДНЕСТРОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТимени Т.Г.ШЕВЧЕНКОНа правах рукописиУДК 537.37Стамов Иван ГригорьевичОптоэлектронные свойства бирефрактивныхкристаллов и приборов на их основе25Специальность 01.04.10 – физика полупроводниковДиссертации на соискание ученой степенидоктора физико-математических наукТирасполь2016 г.2Оглавление1 Свободные и связанные экситоны в кристаллах дифосфидови диарсенидов цинка и кадмия.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161.1 Экситоны в 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .161.2 Экситоны в − 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3351.3 Влияние электрического поля на экситоны в 2 (2ℎ). . . . . . . .461.4 Обратная серия линий поглощения. . . . . . . . . . .

. . . . . . . . .601.5 Спектры излучения свободных и связанных экситонов в 2 (48 ).641.6 Спектры излучения свободных и связанных экситонов в 2 (48 ).672 Бирефракция и структура энергетических зон кристаллов 2 5 . 772.1 Гиротропия тетрагональных дифосфидов цинка и кадмия. . . . . .772.2 Двулучепреломление и структура энергетических зон в областикрая поглощения кристаллов 2 и 2 (48 ). . . . . .

. . . . . .892.3 Двулучепреломление и структура зон в области края поглощения в55) и 2 (2ℎ). . . . . . . . . . . . . . . . . . .кристаллах 2 (2ℎ982.4 Оптические свойства кристаллов 3 2 в глубине полосы поглощения.1102.5 Электронные переходы в глубине полосы поглощения 1÷11 эВ кристаллов 2 . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1152.6 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов2 (48 ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1242.7 Электронные переходы в глубине полосы поглощения и структура5энергетических зон кристаллов 2 (2ℎ). . . . . . . . . . . . . . .

1322.8 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1372.9 Особенности валентных зон полупроводниковых соединений 2 5 . . 14133 Фотоэлектронная эмиссия и фотоэлектронные явления в5структурах металл — 2 , 2 (2ℎ), 2 (48 ), 2 . . . . . . . 1573.1 Физико-химические свойства поверхности 2 5 .

. . . . . . . . . . . 1573.2 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности 2 5 . . . 1663.3 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности 2 5 . . . 1693.4 — Модулированная фотоэмиссия с поверхности соединений 2 5 . 1803.5 Спектральные характеристики фототока барьеров металл — 2 .Влияние электрического поля.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1943.6 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинкатетрагональной модификации. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2043.7 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинкамоноклинной модификации. . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . 2093.8 Фотоэлектрические токи в активных структурах на диарсениде цинка.2114 Контактные явления. Перенос заряда. . . . . . . . . . . . . . . . 2184.1 Общие характеристики контактов металлов с дифосфидами цинкаи кадмия электронной проводимости. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2184.2 Перенос заряда в контактах Шоттки металл - 2 5 — типа проводимости. Вольт — амперные характеристики контактов. . . . . . . 2234.2.1 Вольт — амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шотткиметалл — 2 . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2234.2.2 Электрические характеристики барьеров Шоттки металл — − 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2274.2.3 Вольт — амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шотткиметалл — − 2 . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2294.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров металл — 2 5 .2314.3.1 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шотткиметалл — 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2314.3.2 Влияние компенсации глубоких доноров в слое объемного заряда контакта металл — 2 , — 2 на характеристики полной проводимости.. . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23844.3.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шотткиметалл — − 2 .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2404.3.4 Характеристики комплексной проводимости структур металл— − 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2424.4 Долговременная релаксация проводимости в барьерах на моноклинном дифосфиде цинка. Эволюция электрического поля барьера. . . 2454.5 Характеристики контактов на кристаллах 2 и 2 — типапроводимости. Влияние ТОПЗ на перенос заряда в тонких слоях2 . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2515 Гетеропереходы на полиморфных модификациях 2 . Применение дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия. . . . . . . 2585.1 Кристаллохимические основы образования гетеропереходов на полиморфных модификациях кристаллов. . . . . . . . . . . . . . . .

. 2585.2 Электрические характеристики гетеропереходов − − 2 . . . 2635.2.1 Вольт — амперные характеристики гетероперехода () −() − 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2635.2.2 Вольт — фарадные характеристики и комплексная проводимость гетероперехода. . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2655.3 Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. . . . . . . . . . . . . . 2675.3.1 Спектральные характеристики фототока () − () − 2 . . 2675.3.2 Поляризационные характеристики фототока. . . . . . . . . .

. 2695.3.3 Частотные характеристики фототока. . . . . . . . . . . . . . . 2695.4 Энергетическая диаграмма и спектральные характеристики фототока гетероперехода 1 () − 2 () − 2 . . . . . . . . . . . . . . . 2715.5 Применение полупроводников 2 5 дырочной проводимости в качестве терморезисторов и термисторов.. . .

. . . . . . . . . . . . . 2765.6 Фотоэлектронные эмиттеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2815.7 Применение моноклинных диарсенида и дифосфида цинка для анализа линейно — поляризованного света. . . . . . . . . . . . . . . . . 2855.8 Селекторы мод на интерференции света в тонких слоях диарсенидацинка. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . 28955.9 Оптические фильтры на кристаллах дифосфидов и диарсенидовцинка и кадмия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2945.10Датчики температуры и модуляторы света на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия. . . . . . . . . .

2975.10.1Датчики температуры на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия. . . . . . . . . . . . . . . 2975.10.2Модуляторы света и преобразователи частоты сигналов на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка икадмия. . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3036ВведениеПри исследовании и разработке полупроводниковой оптоэлектроники из годав год происходит привлечение все новых материалов и структур с широкимипределами вариации их свойств и характеристик [1]. Для развития поляризационной оптоэлектроники необходимы материалы с сильной анизотропией электронных и оптических свойств, на базе которых создаются активные элементы: − - переходы, гетеропереходы, контакты Шоттки. Такими свойствамиобладают соединения группы 2 5 , которые имеют сильно выраженные бирефрактивные свойства, отвечают многим требованиям, предъявляемым к полупроводникам, и являются высокотехнологичными материалами [2–5].

Физикохимические свойства этих материалов таковы, что кристаллы на их основе легковыращиваются . В группу входят полупроводники с широким диапазоном ши5) — (1.5 ÷ 2.2) эВ, 3 2 ,рины запрещенной зоны: 2 , 2 (48 ), 2 (2ℎ2 , 2 , 4 ≈ 0.9 эВ и 3 2 и 3 2 ≈ 0.7. Эти материалы обладают большим разнообразием физических свойств, такими как высокая оптическая активность тетрагональных и значительный плеохроизм моноклинныхкристаллов, полупроводниковые свойства и возможность инверсии типа проводимости, поперечный эффект Дембера и.т.д. Эти и другие физические свойствасоединений 2 5 и явления в них представляются перспективными для создания различных приборов, в том числе и таких, параметрами которых можноуправлять поляризованным излучением.Исследования физико-химических, структурных и физических свойств соединений 2 5 проводились во многих странах - России (ФТИ им.

А. Ф.ИоффеАН России, МГУ Москва, ВГУ Воронеж, ИОНХ Москва и др.), США, Япониии др.7Свойствам материалов этой группы посвящены монографии: W. Freyland,O.Madelung. Semiconductors. Physics of Non-tetrahedrally Bonded and BinaryCompounds. Springer-Verlag Berlin — Heidelberg — New York — Tokyo. 1983;Лазарева В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболева В.В.

Полупроводниковые соединения группы 2 5 .(М.: Наука, 1978.), Сырбу Н.Н. Оптоэлектронные свойства соединений группы 2 5 (Кишинев, Штиинца, 1983г),С.Ф.Маренкина, В.М.Трухина. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск,изд. А.Н. Вараксин, 2010.На основе результатов исследований, представленных в [2–5] сформулированы представления о возможностях применения этих материалов и приоритетные задачи, связанные с управлением их свойствами и свойствами активных структур на их основе. Таким образом, актуальность работы определяетсяогромным интересом исследователей к изучению свойств анизотропных материалов с научной точки зрения и существованием реальной перспективы созданияи применения приборов, изготовленных на основе соединений 2 5 .Связь работы с научными программами, планами, темами.В диссертационную работу включены результаты исследований и разработок выполненных на кафедре полупроводниковой микроэлектроники Технического университета Молдовы и в научно-исследовательской лаборатории «Полярон» Приднестровского государственного университета им.

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации