Протокол приема, сведения о ведущей организации и оппонентах (1097817)
Текст из файла
II~ucvmcmsosanu:A. K a I I I K a p o B Hasen KOHCT~HTHHOBHS,A. B a c n n b e ~A n e ~ c a H mH k i ~ o n a e s ~ r ,K. E@MMOB~h I e K c a H ~ p aH B ~ H O BA.H be~ , me^ A H ~ T O JBJI~AMMH~OBE~Y,M~~A. r p a H 0 B c K H f i ~ ~ K C W~OPHCOBHS, A. K a 3 a H ~ K H f iAmpea r e O p r ' H e B H ~ ,A. Ko3no~Cepreii HkiKOJIiEBkIu, A. KOHCT~HTHHOBEn~smma~ I ~ K c ~ H A ~ o B HA.~ I K, ynb6a~~~cmBJIWMI-IPiiAHaTOJIbeBHS, A. n e p o ~H k i ~ o n a i iCepreesm, A.
~L~IOTHHKOB T e ~ ~ a ~ E lCj i~ M ~ H OA.B ~~ P, ~ A H H K O BBanep~fi Hn~onaesm,A. C N ~ ~ J HmonaiiI ~ ~ H H k l ~ o n a e s ~ r A., C ~ m e T p oE~s r e ~ k i i i llasnosns, A. Oopm nmenA H a ~ o n b e B k i S ,A. XOXJIOB) $ 4 H T p ~ f PeM0BkIuiCflvZUaJZu:~ ~ ~ A c T ~ B J KI 3~ mH TH e~ A H C C e p T a I I H H a COMCKEiHHe y Y e H 0 f i C T e n e H H AOKTOpa @H3.-M~T.no c n e q m m H o c T ~ 0 1.04.10 ( @ H ~ H K n~ o n y n p o ~ o ~ ~ kn o~ q~e Ho T~a ) ~ a @ e n p bK~B ~ H T O B O ~ ~H a p~~J@~o@H~HHK M CHCTeMCBR3II0 6 p a 3 0 ~ a ~ e J I b ~ O r OW X J ( e H mT.T.
L U ~ B Y ~ H K(TOYOHM.@ ~ I ~ H K O - M ~ T ~ M ~ T H S ~ C(haKyJIbTeTaKO~O~OCYA~PCTB~HHO~O~ P I ~ A H ~ C T P O B C K H T~ ~O C Y A ~ P C T B ~ H H ~yHHBePCkITeT~T.T. ~EIM.~ B S ~ HC TK~OM)OMsmaB ~ rpkir0pbeBPiSa (<OIITO~JI~KTPOHH~I~CBO~CTB~ ~H ~ ~ @ ~ ~ K T H KpHCT~JUIOBB H ~ T xA~B'Hnpa6opoa H a nx OCHOBeH.Hayv~breICOHCyJIbTaHTbI: &@.-M.H., ~IPO@~CCOP,I I o W ~ ? HlTpe3HAeHT~ ~TOYEepm CTelIaH MOPA~HOBH¶,&@.-M.H.,~PO@~CCO~P a @ e ~ pTb ~1 ~ ~ K Oy H H s e p c m e T a M O ~ A O Cb1p6yB ~ I H~rconaZTH~rconaesmHM.T.r.~ ~ B S ~M M ~ H H T~XHH'I~CKK ~ H Hll~ednazalomcfiotibuuuanbnbre onnonenmbi: A.@.-M.H.
(0 1.04.10 - @ H ~ H K ~OJI~TIPOBOAHHKOB),~3meAK'J@I)na6opa~opneii Y3K030HHbM nOJIyIIPOBOAHHKOB @enepLlJIbHOrO rOCyAapCTBeHHOr06 1 0 m e ~ ~ o yrYop e W e H k I I I HayKM @ M ~ E I Y ~ C KHHCTHTYTH~EIM. n.H. n e 6 e ~ e ~Pocc~iic~oiiaaKaJ(eMHHH a p , I I p o @ e C c O p 3acaBkiqIUiii kFsaH HB~HOBEI¶,A.@.-M.H. (01.04.10 - @H3EiKa nOJIyTIPOBOAHMKOB HAEI~JI~KT~HKoB)~, P O @ ~ C C O PK a @ e n p b ~ o6rqeii IIOArOTOBKkI HHOCTpaHHbIX CTYAeHTOB ABTOHOMHO0 6 p a 3 0 ~ a ~ e J I b ~ O yr uOp e X J ( e H H xYHHBePCMTeTTeJIa),HaYKElBbICIIIerOO~P~~OB~H(tEC aUH~K T - n e T e p 6 J " ~ r ~ ~ M iIi I O X ~ I T ~ X H ~ I S ~ C Kn e ~ p aB e n ~ ~ o r o lg'Ab)B n a ~ a ~ aK)pbe~H¶,pn.4.-M.H.(01.04.07 - @Ei3lI~aTBepAOrOCT~~IIIHGHayYHb1fi COTpYnHHK @ e n e p a J I b H 0 ~ 0 rOCYnaPCTBeHHOrO ~ K ) A X ~ T H O ~yOS p e w e H k I I IHHCTHT~T@ H ~ H K M TBePnOrOTensPoccniic~oii a K a e M H HHayKTapTaICO~cIcllii k l n b ~~~OCA@OBHY.Bedvuwz opzanmaaw: @enepanb~oerocyAapcTseHHoe 6 1 o m e ~ ~ oyupmeHaeeHay= @H~HIC~exmiqecIcaZia a a m y r aMem A.@.
klo*@e Poccaiicrcoii arcweMukI HayIcВедущая организация:Полное и сокращенноенаименование организацииВедомственная принадлежность(РАН и др.)адрес официального сайта в сети«Интернет»почтовый адрес с сайта с индексомтелефонадрес электронной почтыФедеральное государственное бюджетное учреждениенауки Физико-технический институт имени А.Ф. ИоффеРоссийской академии наукРАНhttp://www.ioffe.ru194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26+7 (812) 297-2245post@mail.ioffe.ruСписок основных публикаций работников отдела ведущей организации, в котором будетдокладываться диссертация, по теме диссертации за последние 5 лет в рецензируемых научныхизданиях1. A.A.
Toropov and T.V. Shubina. Plasmonic Effects in Metal-Semiconductor Nanostructures, in "Serieson Semiconductor Science and Technology". OXFORD UNIVERSITY PRESS, ISBN: 978-0-19-9699315, 369 p., 20152. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. Molecular beam epitaxy of wide-gap II-VI laserheterostructures, in: "Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production", edited by M. Henini,Elsevier Inc., 2013. p.
611-630.3. T.V. Shubina, M.M. Glazov, N.A. Gippius, and B. Gil. The Slow Light in Gallium Nitride, in "IIInitride Semiconductors and their modern devices", edited by B. Gil, OXFORD UNIVERSITY PRESS,2013 (34 pages).4. I.I. Reshina, S.V. Ivanov, Magneto-Optical Study of Semimagnetic Single and Double Quantum WellStructures based on Cd(Mn)Se/CdMgSe Material System, Book Chapter 6 in "Quantum Wells: Theory,Fabrication and Applications", NOVA SCIENCE PUBLISHERS, 2009, pp. 215-248, ISBN: 978-160692-557-7.5.
Valery Davydov, Albert Klochikhin, Sergey Ivanov, Jochen Aderhold and Akio Yamamoto, Growthand Properties of InN, Book Chapter 5 in "Nitride Semiconductors: Handbook on Materials andDevices", Eds.: P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2006,pp. 241-294, ISBN: 9783527403875.6. С.В. Иванов, А.Н.
Семенов, В.С. Сорокин. "Молекулярно-пучковая эпитаксия, как базоваятехнология создания полупроводниковых наноструктур A3B5 и A2B6", сборник "Нанотехнология:физика, процессы, диагностика, приборы" Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.:ФИЗМАТЛИТ, 2006, С.135-165.7. С.В. Иванов, В.А. Соловьев, С.В.
Сорокин. "Полупроводниковые лазеры видимого и среднегоИК диапазона на основе наноструктур с квантовыми точками", сборник "Нанотехнология: физика,процессы, диагностика, приборы" Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: ФИЗМАТЛИТ,2006, С.433-470.8. A.A. Toropov, O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov´ev, S.V. Ivanov, "Sb-based nanostructures for mid-IRoptoelectronics", in "III-V Semiconductor Heterostructures: Physics and Devices", edited by W.Z.
Cai,(Published by Research Signpost), 2003, pp. 169-199.9. S.V. Ivanov and V.N. Jmerik, "InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy",in "Nitrides as Seen by the Technology" edited by T. Paskova and B. Monemar (Published by ResearchSignpost), 2002, p. 369-400.10. S.V. Ivanov and P.S.
Kop´ev, in "Antimonide-related strained-layer heterostructures" edited by M.O.Manasreh, Ser "Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices". vol 3, (Gordon & BreachScience Publishers), 1997, p. 95.Официальные оппоненты:Засавицкий Иван Иванович, д.ф.-м.н. (01.04.10 – физика полупроводников), профессор,заведующий лабораторией узкозонных полупроводников Федерального государственногобюджетного учреждения науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академиинаукАдрес: 119991 г. Москва, Ленинский пр-т., 53, гл.
здание, к.380E-mail: zasavit@sci.lebedev.ruТелефон: +7(499) 135-79-51Список статей официального оппонента Засавицкого Ивана Ивановича,диссертации, за последние 5 лет:близких по теме1. И.И. Засавицкий. Схемы активной области в квантовых каскадных лазерах. Квантоваяэлектроника, 42, 863 (2012).2. И.И. Засавицкий, Д.А. Пашкеев, Е.В. Бушуев, Г.Т. Микаелян.
Уширение и расщеплениеспектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующеммагнитном поле. Квантовая электроника, 43, 144 (2013).3. Д.А. Пашкеев, И.И. Засавицкий. Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинациитвердого раствора Pb1-xEuxTe (0 ≤ x ≤ 1). Физика и техника полупроводников, 46, 745 (2013).4. К. В. Маремьянин, А.В. Иконников, А.В. Антонов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Л.С.Бовкун,К.Р. Умбеталиева, Е.Г.
Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко. Длинноволновыеинжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1-xSnxSe и их использование дляспектроскопии твердого тела. Физика и техника полупроводников, 49, 1672 (2015).5. Д.А. Пашкеев, Ю.Г. Селиванов, Е.Г. Чижевский, И.И.
Засавицкий. Твердый раствор Pb1-xEuxTe(0 ≤ x ≤ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной областиспектра 4-5 мкм. Физика и техника полупроводников, 50, 229 (2016).6. И.И. Засавицкий, А.Н. Зубов, А.Ю. Андреев, Т.А. Багаев, П.В. Горлачук, М.А. Ладугин,А.А. Падалица, А.В. Лобинцов, С.М. Сапожников, А А. Мармалюк.
Квантовый каскадный лазерна основе гетеропары GaAs/Al0,45Ga0,55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии.Квантовая электроника, 46, № 5, 447 (2016).7. К.В. Маремьянин, В.В. Румянцев, А.В. Иконников, Л.С. Бовкун, Е.Г. Чижевский, И.И.Засавицкий, В.И. Гавриленко. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствораPbSnSe с длиной волны излучения до 46,5 мкм. Физика и техника полупроводников, 50, № 12,1697 (2016).Рудь Владимир Юрьевичд.ф.-м.н. (01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков), профессор кафедры общейподготовки иностранных студентов Автономного образовательного учреждения высшегообразования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого»Адрес: 195251 Санкт-Петербург, ул.
Политехническая, д. 29.Е-mail: rudvas.spb@gmail.comТелефон: +7 812 3240339Список статей официального оппонента Рудя Владимира Юрьевича, близких по теме диссертации,за последние 5 лет:1. Рудь В.Ю., Теруков Е.И. Поляризационные исследования фотоэлектрических свойств системполупроводниковые соединения АIIВIVС2V–электролит. Оптический журнал. Т. 83, №5, 2016, стр.11-15.2. В.Ю. Рудь, Е.И.Теруков, Т.Н. Ушакова, М.С.
Сергинов. Создание и фотоэлектрические свойствагетероструктур Ox/p-InAs // ФТП, том 46, выпуск 10, 2012, 1293-1296.3. Рудь В.Ю., Гременок В.Ф., Теруков Е.И., Ушакова Т.Н., Сергинов М.С. Фоточувствительностьтонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2/Mo, полученных на различныхподложках // ФТП, том 46, выпуск 2, 2012, 231-234.4. В.Ю. Рудь, Е.И. Теруков, Т.Н. Ушакова. Фоточувствительные гетеропереходы Oх/GаAs:создание и свойства // ФТП, том 46, выпуск 6, 2012, 798-804.5.
Д. Мелебаев, О.Ч. Аннаев, В.Ю. Рудь. Гетероваризонные структуры Gа 1-XAl XP/GaP новоготипа. // Современные информационные и электронные технологии, том 2, выпуск 15, 2014, 149150.6. В.Ю. Рудь, Е.И. Теруков, Т.Н. Ушакова, Г.А. Ильчук. Гетеропереходы собственный окисел PGaSd(OX)/N-GfSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства // ФТП, том 48, выпуск 4,2014, 471-474.7. Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков., В.Х. Шпунт.
A New Type of Polarimetric Photodetectors for Analyzingof Laser Radiation in Optical Communication. Optical Memory and Neural Networks // InformationOptics. 2016, Vol. 25, No. 1, pp. 40–44.Тартаковский Илья Иосифовичд.ф.-м.н. (специальность 01.04.07 – физика твердого тела), профессор, старший научныйсотрудник Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физикитвердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)Адрес: 142432 Московская обл., Черноголовка, ул. Академика Осипьяна д.2E-mail: tartakov@issp.ac.ruтелефон: +7(496)5228378Список статей официального оппонента Тартаковского Ильи Иосифовича, близких по темедиссертации, за последние 5 лет:1. M.A.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
