Автореферат (1091050), страница 5
Текст из файла (страница 5)
– P. 759.//TechnologiesInstituteofwithElectricalEmphasisandonElectronics3523. Pavan P. et al. Flash memory cells-an overview / Pavan P. et al. //Proceedings of the IEEE. – Vol. 85. – 1997. – P. 1248-1271.24. Naruke K., Taguchi S., Wada M. Stress Induced Leakage CurrentLimiting to Scale Down EEPROM Tunnel Oxide Thickness / Naruke K., TaguchiS., Wada M. // IEEE IEDM Tech. Dig . – 1988. – P. 424–427.25. Lu C.Y., Lue H-T.
State-of-the-art flash memory devices and post-flashemerging memories / Lu C.Y., Lue H-T. // Journal of Science China. – Vol. 54. –No. 5. – 2011. – P. 1039-1060.26. Поляков В.В. Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовыймикроскоп совместимый с базовыми методами нанотехнологий: дис. … канд.тех. наук :01.04.01 / Вячеслав Викторович Поляков ; Московский физикотехнический институт. – М., 2009.
– 110 с.27. Инструкция «Контактная сканирующая емкостная микроскопия».[Электронный ресурс]. // ЗАО «НТ МДТ» [Официальный сайт]. URLhttp://www.ntmdt.ru/support.html. (дата обращения: 1.04.2015).28. Kurokawa S., Sakai A. Gap dependence of the tip-sample capacitance/Kurokawa S., Sakai A. // Journal of applied physics. – 1998. – Vol. 83, № 12. – P.7416-7423.29. Effectivetipradiusinelectrostaticforcemicroscopy./ Sacha G. [et al.]. // Applied physics letters.
– 2005. –№ 86. – P. 1-3.30. Alvarez D. Scanning Spreading Resistance Microscopy for thecharacterization of advanced silicon devices. / Alvarez D. // IMEC. – P. 135.31. Kotov A. Three generarions of Embedded SuperFlash split gate cell:scaling progress and challenges.
// Leti Innovation Days – Memory Workshop2013. – 2013. – P. 1-37..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
