Главная » Просмотр файлов » Автореферат

Автореферат (1091050), страница 4

Файл №1091050 Автореферат (Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти) 4 страницаАвтореферат (1091050) страница 42018-01-18СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

В процессе сканирования между зондом и образцомприкладывалосьнапряжениесмещенияравное-10 В.Сканированиеосуществлялось по растру вдоль всей области над исследуемыми контактами.Рисунок 17 – Пространственное распределение тока зонд-образец вобласти контактов к стоку транзисторовРезультаты сканирования показали, что в области одного из контактов(выделен желтым) к стоку транзистора распределение тока зонд-образецотлично от тока для других контактов. На основе профиля распределениятока зонд-образец на выбранном участке определено, что ток в этойконтактной области отсутствует.Возникновение подобного рода отказа может быть вызвано дефектамиконтактной области различного рода. Такого рода явления, как правило,возникаютврезультатенекорректногопротеканиятехнологическогопроцесса производства ИМС.Такимобразом,методотображениясопротивлениярастеканияпозволяет локализовать дефекты контактных областей различного рода.28Применение данного метода в процессе производства ИМС позволитзначительно повысить процент выхода годных микросхем.Определение разрешающей способности методики КСЕМПриисследованииэлектрофизическихпараметровячеекэнергонезависимой памяти в качестве образцов использованы две ИМС.

Впервом образце внутренняя память построена на двухтранзисторных ячейкахпамяти, во втором – на ячейках с расщепленным затвором. Геометрическиеразмеры детектируемой области плавающего затвора в элементах срасщепленным затвором существенно меньше, чем у двухтранзисторныхячеек (Рисунок 18).Рисунок 18 – Поперечные сечения исследуемых ячеек памятиМетодом контактной сканирующей микроскопии получено изображениепространственного распределения сигналадля двух типовисследуемых ячеек (Рисунок 19). На основе распределения этого сигналаможно различать между собой ячейки с различным уровнем заряда на ПЗ.Рисунок 19 – Пространственное распределение сигналаисследуемых ячеек памяти29На основе полученных результатов измерений можно сделать вывод,что латеральное разрешение метода КСЕМ не хуже 200 нм.При этом известно, что в процессе записи на ПЗ ячейки памяти срасщепленным затвором помещается меньшее количество электронов, чем наПЗдвухтранзисторнойячейки.Дляопределениявеличинызаряда,инжектируемого на ПЗ ЭНП, необходимо получить сведения о номинальныхзначенияхнапряжения,подаваемыхнаячейкипамятивпроцессепрограммирования.

Для получения необходимых данных применен способконтактного внутрисхемного тестирования.На корректно функционирующих кристаллах ИМС, с элементамихранения двухтранзисторного типа и с расщепленным затвором, былинанесенытестовыеконтактныеплощадки куправляющему затвору,стоку/истоку и подложке транзистора с плавающим затвором и измеренынеобходимые параметры.В процессе программирования на ПЗ двух транзисторной ячейки памяти,помещается зарядзатвором,Кл, а на ПЗ ячейки с расщепленнымКл [31].Таким образом, на основе полученных СЗМ изображений исследуемыхячеек памяти, можно сделать вывод, что разрешение метода КСЕМ повеличине детектируемого заряда не хуже,Кл.Из всего вышеизложенного можно сделать вывод, что методы СЗМпозволяютпровестидиагностикуразличногородадефектовячеекэнергонезависимой памяти с латеральным разрешением не хуже 200 нм и сразрешением по уровню детектируемого заряда не хуже,Кл.Заключение:Основным результатом диссертации является решение актуальнойнаучно-техническойзадачиразвитияметодикисследованияэлектрофизических параметров МДП-структур с субмикронным разрешением30длялокализацииидиагностикидефектоввэлементаххраненияэнергонезависимой памяти.

К основным результатам работы относится:1. На основании проведенного автором анализа элементной базызапоминающих устройств ИМС, причин возникновения отказов в ячейкахпамяти, дана оценка возможности применения методов сканирующейзондовой микроскопии в диагностикедефектов элементов храненияэнергонезависимой памяти.2. Предложенспособдиагностикиэлементовхраненияэнергонезависимой памяти на предмет подверженности эффектам накопленияизбыточных основных и неосновных носителей заряда на основе анализавысокочастотныхвольт-фарадныххарактеристикиповерхностногопотенциала.3. Дана оценка влияния толщины полупроводника в структуре МДП,радиусакривизныиэлектрическихсвойствзондакантилевераначувствительность метода КСЕМ.4. На основе анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик,полученных методом КСЕМ, показана возможность определения типапроводимости, степени легирования, а также установлена зависимостьемкостных характеристик МДП-структур от захваченного в диэлектрикезаряда.5.

Показанавозможностьдиагностикиэффектовнакопленияизбыточных основных и неосновных носителей заряда в дефектныхэлементаххранениявысокочастотныхэнергонезависимойвольт-фарадныхпамятинахарактеристикосновесанализалатеральнойразрешающей способностью 200 нм, разрешением по уровню заряда,Кл и анализа значений поверхностного потенциала в точкеинтереса с разрешением 16 мВ.316. На основе анализа сигнала, пропорционального дифференциальнойемкости, показана подверженность элементов хранения энергонезависимойпамяти деградационным процессам на протяжении их жизненного цикла.7.

Предложен способ локализации дефектов контактов стока/истокатранзисторов с плавающим затвором к областям диффузии на основе анализараспределения тока зонд-образец, полученного методом отображениясопротивления растекания.Список основных работ, опубликованных по теме диссертации:1. ЛукичевВ.Ф.,ШиколенкоЮ.Л.Постоянныезапоминающиеустройства на основе хранения заряда // Нано- и микросистемная техника.2015. №10 (184). С. 42-54.2. Лукичев В.Ф., Шиколенко Ю.,Л.

Современная элементная базазапоминающих устройств // Нано- и микросистемная техника. 2015. №11(184). С. 40-53.3. ШиколенкоЮ.Л.,ЛапинД.Г.,АнтоновичА.Н.идр.Электрофизические механизмы отказов ячеек flash-памяти // ИзвестияИнститута инженерной физики. 2015. №38 (4). С. 12-17.4. Лукичев В.Ф., Нестеров С.И., Сергеев Е.В., Шиколенко Ю.Л.Диагностика дефектов ячеек энергонезависимой памяти методом зондаКельвина // Электронная техника. Серия 2.

Полупроводниковые приборы.2015. №4 (238). С. 58-61.5. Шиколенко Ю.Л. Диагностика дефектов ячеек энергонезависимойпамяти методикой контактной сканирующей емкостной микроскопии //Наукоемкие технологии. 2016. Том 17 №1. С. 24-27.6. Шиколенко Ю.Л., Лапин Д.Г., Антонович А.Н. Исследованиедеградационных процессов в ячейках энергонезависимой памяти методикой32контактной сканирующей емкостной микроскопии // Нано- и микросистемнаятехника.

2016. Том 18 №2. С. 124-128.7. ЛукичевхарактеристикВ.Ф.,ШиколенкоэлементахраненияЮ.Л.,Исследованиефлэш-памятиметодомемкостныхконтактнойсканирующей емкостной микроскопии // 25-я Международная Крымскаяконференция«СВЧ-техникаи телекоммуникационные технологии» //материалы конференции 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия: в2 т. Т.2, , 2015. С. 756-757.8. Шиколенко Ю.Л., Лапин Д.Г., Антонович А.Н., Пахомов С.В.Тополого-фрагментарный анализ архитектуры flash-памяти в решении задачанализаотказовинтегральныхсхем.Фундаментальныепроблемырадиоэлектронного приборостроения // Материалы международной научнотехнической конференции «INTERMATIC-2013», 2-6 декабря 2013 г.,Москва.

/ Под ред. Академика РАН А.С. Сигова. – М.: Энергоатомиздат,2013, часть 4., С. 120-122.9. Лукичев В.Ф., Шиколенко Ю.Л. Исследование высокочастотныхвольт-фарадныхконтактнойхарактеристиксканирующейполупроводниковыхемкостноймикроскопии.структурметодомФундаментальныепроблемы радиоэлектронного приборостроения // Материалы международнойнаучно-технической конференции «INTERMATIC-2015», 1-5 декабря 2015 г.,Москва. / Под ред. Сигова. – М.: МИРЭА, 2015, часть 4., С. 192-195.Цитируемая литература:1.

Clarke P. Analysis total IC market / Clarke P. // EE Times. – Vol. 8. –2014. – P. 21.2. Smit D. Worldwide IC market forecast in 2015 / Smit D. // WSTS, ICInsight. – 2015. – P. 12.333. Rockfild S. IC product categories to exceed total IC market growth in 2015/Solid State Technology // Solid State Technology, insights for electronicsmanufacturing. – Vol. 6, No. 4. – 2015.

– P. 23.4. McClean B. Major trends shaping the future IC industry / IC Insights // TheConFab. – 2014. – P. 34.5. Dromi R. Best of semiconductor market view / SEMI // Semi. – 2015. – P.35.6. Bohac C. Comparing technologies: MRAM vs. FRAM. / Bohac C. //Everspin Technologies. – March 2013. – P. 1-6.7. Hughes B. Magnetoresistive random access memory (MRAM) andreliability / Hughes B. // Integrated Reliability Workshop Final Report. – Oct.2003. – P. 169-174.8.

Burr G. W., Breitwisch M. J., Francesschini M. Phase change memorytechnology / Burr G. W., Breitwisch M. J., Francesschini M. // Journal of Scienceand Technology. – Vol. 28. – Issue 2. – Apr. 2010. – P. 223-262.9. Tsai H.W., Chaing P.Y., Chung S.S. The performance and reliabilityenhancement of ETOX p-channel flash EEPROM cell with p-doped floating-gate /Tsai H.W., Chaing P.Y., Chung S.S.

// VLSI Symposia on Technology. – 2003. –P.36-39.10. Lee J., Dham V.K. Design considerations for scaling FLOTOX E 2PROMcell / Lee J., Dham V.K. // IEDM. Technical Digest. – 2000. – P. 582-593.11. Chen B. Highly Reliable SuperFlash® Embedded Memory Scaling forLow Power SoC / Chen B. // VLSI Symposia on Technology.

– 2007. – P.1-2.12. Kuo C., Toms T., Wiedner M. A microcontroller with 100 K bytesembedded flash EEPROM / Kuo C., Toms T., Wiedner M. // 4th InternationalConference Solid-State and Integrated Circuit Technology. – 1995. – P. 138-140.13. Nair D.R., Shukuri S., Mahapatra S. Cycling endurance of NOR flashEEPROM cells under CHISEL programming operation - impact of technological34parameters and scaling / Nair D.R., Shukuri S., Mahapatra S.

// IEDM. – Vol.51. –Issue:10. – 2004. – P. 1672-1678.14. Lin C-N., Farenc D., Singh D. A novel Uniform-Channel-Program Erase(UCPE) flash EEPROM using an isolated P-well structure / Lin C-N., Farenc D.,Singh D. // IEDM. – Vol.48. – Issue:10. – 2004. – P. 779-782.15. Bez R., Camerlenghi E.

Introduction to Flash Memory / Bez R.,CamerlenghiE.//Non-VolatileMemoryProcessDevelopment,STMicroelectronics. – Vol.41. – No. 4. – 2003. – P. 489-496.16. Rössler B., Müller R. Electrically Erasable and Reprogrammable ReadOnly Memory Using the n-Channel SIMOS One-Transistor Cell / Rössler B.,Müller R. // IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. 24. – 2001. – P. 806-814.17. Guterman D., Rimawi I., Chiu T.

An Electrically Alterable NonvolatileMemory Cell Using a Floating Gate Structure / Guterman D., Rimawi I., Chiu T. //IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. 24. – 1998. – P. 816-821.18. Ning T. H. Hot-Electron Emission from Silicon into Silicon Dioxide /Ning T. H. // Solid-State Electronics. – Vol. 21. – 1999. – P. 273.19. Tsuji N., Ajika N., Yuzuriha K. New Erase Scheme for DINOR FlashMemory Enhancing Erase/Write Cycling Endurance Characteristics / Tsuji N.,Ajika N., Yuzuriha K. // IEDM Tech. Dig. – 1994. – P. 53.20. Kamiya M., Kojima Y., Kato Y. EPROM Cell with High Gate InjectionEfficiency / Kamiya M., Kojima Y., Kato Y.

// IEDM Tech. Dig. – 2006. – P. 741.21. Van Houdt J., Heremans P., Deferm L. Analysis of the Enhanced Hot Electron Injection in Split-Gate Transistors Useful for EEPROM Applications /Van Houdt J., Heremans P., Deferm L. // IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. 39.– 2002. – P. 1150.22. NonvolatileFlash./J.Brewer,MemoryM.GillEngineers. – 2008.

Характеристики

Список файлов диссертации

Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти
Документы
Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6384
Авторов
на СтудИзбе
308
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее