Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 8)

Обращает на себя внимание также тот факт, что коэффициент усиления мощности имеет достаточно большие значения при малых величинах Pвх (до 10 дБ) и быстро уменьшается с ростом Рвх.

Необходимо также отметить, что гибридная сборка из 2-х кристаллов с Wк = 250 мкм имеет большие значения выходной мощности, чем один кристалл с Wк = 500 мкм.

Динамические измерения, тем не менее, дают значительное усиление (до 10 дБ) и плотность выходной мощности до 1,2 Вт/мм.

1. Анализ полученных результатов.

Из рассмотрения экспериментальных результатов, изложенных выше, можно сделать следующие выводы:

- удельная плотность тока насыщения составляет около 100 мА/мм для структур с Wк = 500 мкм;

- удельная крутизна составляет величину 130 мСм/мм (при Wк = 500 мкм);

- при температуре кристалла более 200 ^оС наблюдается гистерезис выходных вольт - амперных характеристик;

- удельная выходная мощность транзистора наблюдается при Wк = 500 мкм и составляет величину Рвых.уд.≈ 1,2 Вт/мм на частоте 10 ГГц;

- расчетные значения удельной мощности, соответствующие статистическим параметрам прибора ( Iс.макс, Uси.макс), значительно (в 2-3 раза) превышают их экспериментальные результаты;

- напряжения, при которых наблюдается максимум выходной мощности, существенно ( в 2 - 2,5) раза меньше допустимых значений (35 - 40В)

Отмеченные выше особенности электрических параметров исследованных приборов могут быть отчасти объяснены неоднородностями эпитаксиальных слоёв GaN и значительным количеством структурных дефектов, являющихся причиной возникновения глубоких объёмных ловушек в полупроводнике. Кроме того, при отслоении эпитаксиального слоя от сапфировой подложки наблюдается значительное повышение температуры кристалла (до 500 ^оС) вследствие резкого возрастания теплового сопротивления кристалл – корпус.

1. Экономическая часть.

Описание продукта.

Продукт – ведется разработка безкорпусного мощьного полевого СВЧ транзистора с барьером Шоттки, на гетеростуктуре AlGaN/GaN на Al₂O₃ (сапфировой подложке), предназначенный для применения в качественных средствах связи (включая космическую) радиолокации, измерительных и управляющих систем связи СВЧ диапазона, телевизионных системах, оборонной технике для выполнения специальных задач.

При дальнейшем совершенствовании технологического процесса возможно значительное удешевление изготовления транзистора и сделать его доступным для коммерческих продаж (с учетом массового дальнейшего производства.), и даст возможность частного использования его более простых аналогов. Это решение является оптимальным для Российской Федерации. Для США, решение не подходит целиком, в связи с несоизмеримыми затратами на научную деятельность по с равнению с Российской федерацией.

ОКР

Целью ОКР является сбор и изучение научно-технической литературы, анализ достижений отечественной и зарубежной науки, разработка технологии и изготовление транзистора, проведение ряда измерений.

ОКР включает:

1. Постановка задачи, техническое задание, изучение аналогов;
   Сбор и анализ научно- технической литературы;

2. Разработка технологии изготовления транзистора;

3. Подготовка оборудования;

4. Проведение процессов травления;

5. Проведение измерений;

• подвижности, концентрации носителей.

1. Изготовления транзистора;

2. Измерение параметров транзистора;

• статических и СВЧ характеристик разработанного транзистора

• определение коэффициента шума транзистора

• определение коэффициента усиления транзистора.

1. Заказчик и финансирование.

Исполнитель - ФГУП НПП «ПУЛЬСАР»

Группа исполнителей – Отделение № 6 ФГУП НПП «ПУЛЬСАР»

Финансирование за счет средств федерального бюджета.

Рынок сбыта: специальный внутренний рынок.

Блок-схема работы по теме дипломного проекта.

Постановка задачи перед разработчиком

Техническое задание

Технология изготовления транзистора

Изучение литературы

Изучение имеющихся аналогов

Подготовка оборудования

Проведение процессов травления

Проведение измерений

Изготовление транзистора

Экономическая часть.

Рис. №1.

Этапы работы:

1. Постановка задачи, техническое задание, изучение аналогов. Сбор и анализ научно-технической литературы.

Первый этап работы включает:

• Поиск научных статей, обзоров и другой научно-технической литературы;

• Изучение технологии изготовления СВЧ транзистора большой мощности с барьером Шоттки и их характеристик;

• Анализ зарубежных и отечественных достижений;

• Анализ проблем технологии изготовления СВЧ транзисторов большой мощности с барьером Шоттки

1. Разработка технологии изготовления транзистора.

Второй этап включает:

• разработку технологической схемы;

• конструкции транзистора и определения последовательности проведения операций травления;

• легирования и фотолитографии с различными параметрами для получения транзистора удовлетворяющего техническому заданию.

1. Подготовка оборудования.

Третий этап включает:

• проверку вакуумного оборудования на наличие течей;

• проверку работоспособности и устранения выявленных неисправностей (приведение оборудования в исправное состояние);

• установка необходимого дополнительного оборудования.

1. Проведение процессов травления (проводится на установке ионного траления).

Включает несколько последовательных процессов травления образцов при различных режимах, на которых в дальнейшем будут проводиться измерения.

1. Проведение измерений.

Пятый этап включает:

• нанесение контактов на вытравленные ранее образцы, которые необходимы для измерений;

• измерение параметров полученных тестовых структур:

• подвижности, времени жизни и концентрации носителей в структурах;

• анализ результатов измерений.

• выбор оптимальных режимов травления для формирования углубления
  под затвор.

1. Изготовления транзистора.

Шестой этап включает:

• формирование меза-областей;

• нанесение омических контактов стока и истока;

• нанесения затвора;

• формирование разводки.

1. Измерение параметров транзистора.

Седьмой этап включает:

• статических и СВЧ характеристик разработанного транзистора;

• определение коэффициента усиления транзистора.

Структура цены:

Структура цены 5-ти образцов транзисторов большой мощности, изготовленных в ходе выполнения "Исследование по разработке приборного ряда гетероструктурных СВЧ-транзисторов (мощных, большой мощности и малошумящих) для приемо-передающих модулей АФАР Х-диапазона" Шифр: "Омега - 2004" .

№ п/п	Наименование статей расходов	2007 г.
1	Материалы	39108,97
2	ФОТ	22750,00
3	Единый соц. налог (26 % от ФОТ)	5915,00
4	Страховой тариф (0,2 % от ФОТ)	45,50
5	Накладные расходы (199,4 % от ФОТ)	45363,50
6	Себестоимость собственными силами	11З182,97
7	Прибыль (36% от ФОТ)	8190,00
ИТОГО:		121372,97

Экономическая часть: Таблица 1.

Прибыль (36% от ФОТ) это базовый норматив рентабельности утвержденный.

Минфином СССР 09.01.91 г. Завод сейчас работает по этому нормативу.

Цена = 121372 руб. 97 коп.

Пояснительная записка по обоснованию структуры цены к Государственному контракту от 23.03.04 г. № 5038 по"Омега-2004"

Экономическая часть: Таблица 2.

План – график календарных работ

Экономическая часть: Рисунок 2.

План работы.

Этапы	Исполнители	Занятость, раб/дней	Численность исполнителей	Численность исполнителей
Постановка задачи, техническое задание, изучение аналогов. Сбор и анализ научно-технической литературы.	Студент	25	2	01.09.07/19.09.07
	Руководитель дипломного проекта	6
Разработка технологии изготовления.	Студент	20	2	20.09.07/28.09.07
	Руководитель дипломного проекта	10
Подготовка оборудования.	Студент	21	4	29.09.07/05.10.07
	3 оператора	9
Проведение процессов травления.	Студент	10	3	06.10.07/15.10.07
	2 оператора	10
Проведение измерений.	Студент	7	4	16.10.07/27.12.07
	2 оператора	7
	Руководитель дипломного проекта	1
Изготовление транзистора.	Студент	15	4	27.12.07/16.01.08
	3 оператора	15
Измерение параметров.	Студент	7	3	17.01.08/24.01.08
	Руководитель дипломного проекта	2
	оператор	5

Экономическая часть: Таблица 3.

1. Расчет по затратам на производство СВЧ транзистора:

• Основная заработная плата научно-производственного персонала

• Дополнительная заработная плата
  - ЕСН

• Затраты па материалы

• Затраты на работу оборудования

• Прочие расходы

1.1 Расчет основной заработной платы научно-производственного персонала
Основную заработную плату научно-производственного персонала
рассчитаем по формуле:
L_НППосн = L_ti * T_i (1)

T_i = h_i * t_i (2)

Характеристики

Список файлов ВКР