Диплом (1089200), страница 10

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 10)

Итоговая таблица. Расходы на работу оборудования.

Установка	Время работы (ч).	Стоимость работы (руб./ч)	Сумма (руб).
Зона хим. обработки	2	15	30
МIМ-TLА-20	15	20	300
Травление	15	50	750
УВН	10	30	300
Вжигания О. К.	2	7	14
Измеритель характеристик	5	5	25
ПХО	4,6	10	46
Нанесение и сушка ФР	11	7	77
Фотолитография	8,7	189	164
Итого			3186

Экономическая часть: Таблица 9.

По формуле (4) используя таблицу 9, получаем S_ОБ=3186 руб.

Затраты на материалы.

S_М = g_ОМn * Ц_ОМn + g_ВМn * Ц_ВМn + g_ПФn * Ц_ПФn

Где:

g_ОМn - норма расходов n-го основного материала (ед/партию).

g_ВМn - норма расходов n-го вспомогательного материала (ед./партию).

g_ПФn - норма расходов n-го полуфабриката (ед./партию).
Ц_ОМn - цена на n-ый основной материал (руб./ед).

Ц_ВМn - цена на n-ый вспомогательный материал (руб./ед).

Ц_ПФn - цена на n-ый полуфабрикат (руб./ед).

Смета на материалы

Экономическая часть: Таблица 10.

Итоговая таблица. Расходы на материалы.

Экономическая часть: Таблица 11.

По формуле (4) используя данные таблицы 11, получим

S_М=13059,27 руб.

Прочие расходы

Прочие расходы рассчитаем по формуле 5.

S_ПР = (71560+10734+21396,44+3186+13059,27)*0,3=35980,71

Затраты на К_{ОКР5-7 этап} (К_5-7)рассчитаем по формуле:

К₅.₇ =L_НППосн + L_{НПП д. з.} + ЕСН + S_ОБ + S_М + S_пр (5)

К₅.₇= 71560+10734+21396,44+3186+13059,27+35980,71=141332 руб. 15 коп.

Себестоимость производства:

Вследствие того, что обработка изделий электронной техники на этапах обработки проводится по партиям, а не по отдельным кристаллам, для этих операций удобнее вести расчет затрат на партию, а затем провести перерасчет на один кристалл с учетом выхода годных кристаллов на пластине.

В нашем случае партия составляет 1 пластина с 30 кристаллами на ней. Процент годных кристаллов на готовой пластине составляет около 60%. Тогда количество годных равно:

N_П=30*0,6=18 шт./партию.

2.Себестоимость

Полная себестоимость единичного кристалла представляет собой сумму всех вышеперечисленных статей расходов, деленную на количество кристаллов на пластине:

S = 1/N_П*К_1-7=1/18*262705,12=14594,73руб.

3.Расчет договорной цены

При выпуске одной партии (18 кристаллов)

Прибыль берем 30% от себестоимости:

Договорная цена = полная себестоимость + прибыль, т.е.:

Прибыль: П=Р*S=0,3*14594,73=4387 руб. 20 коп.

Тогда договорная цена составит: Ц=S+П=14594,73+4387,20=18981,93 руб.

4.Посчитаем экономическую эффективность разработки:

Э_г = (С_Б-С_П)·N

С_б и С_п - себестоимости базисного и проектируемого изделий, руб.,

N - годовой объем производства тр-ов (55000 штук)

Э_{г -} годовой экономический эффект

Э_г = (18989,1-18981,93)·55000 = 394350

Кпр - стоимость ОКР (руб.)

Кпр = 262705,12 рублей

Окупаемость изделия:

Ток= Кпр / Э_г =0,66

Вывод по экономической части:

Было проведено планирование этапов научно исследовательской работы и определена последовательность проведения работ. Данная работа может быть осуществлена согласно разработанной последовательности и за указанный период времени. Был проведён расчёт себестоимости и цены транзистора.

Экспериментальные образцы СВЧ транзисторов, изготовленных на сапфире, характеризуются следующими параметрами:

транзистор большой мощности на частоте 10 ГГц Кш=2,5 дБ в линейном режиме, Кр=10 дБ в линейном режиме выходная мощность одного кристалла Рвых=300 мВт (Рвых.уд=1,2 Вт/мм), температура функционирования до 200С с Кш<3 дБ, радиационная стойкость до группы 5УС, Vпит=15В;

Цена на разработанное устройство довольно высока, однако при переходе на серийное производство ожидается снижение производственных издержек, а следовательно и отпускной цены.

Разработку отличают: надежность, обеспеченная высококачественными материалами и комплектующими, а также простота схемного решения. Использование современной элементной базы отечественных производителей снижает общую стоимость разработки, не отражаясь на технических характеристиках и надежности работы устройства.

Характеристики

Список файлов ВКР