Реферат (1089201)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Реферат.

В последние годы интенсифицировались исследования широкозонных полупроводников (карбида кремния, нитрида галлия, алмаза, нитрида алюминия и др.) и приборов на их основе. Уникальные свойства этих и других полупроводниковых материалов (большая ширина запрещенной зоны, высокие значения подвижности носителей заряда и их скоростей насыщения, большие коэффициенты теплопроводности и др.) позволяют надеяться на создание на их основе приборов с рекордными значениями мощности, напряжения и тока.

Наиболее перспективным широкозонным материалом в настоящее время является нитрид галлия, имеющий ширину запрещееной зоны около 3,5 эВ, подвижность и скорость насыщения электронов – около 1250 см²/В·с и – 2,7*10⁷см/с соответственно, теплопроводность – 1,7 Вт/см·К. Интенсивные исследования в области разработок полевых транзисторов на основе GaN позволили создать промышленные образцы приборов с рекордными значениями мощности, которые предполагается использовать в современных системах связи.

Целью настоящей дипломной работы являлось изготовление лабораторных образцов полевых транзисторов с барьером Шоттки и затвором, изготовленным с помощю электронной литографии на основе гетеро структуры AlGaN/GaN, создающей ДЭГ, электроны которого имеют высокую подвижность.

В процессе выполнения дипломной работа получены следующие основные результаты:

- произведен анализ литература по вопросам электрофизических параметров широкозонных полупроводников и особенностей полевых транзисторов на их основе;

- проведен анализ конструкций транзистора и выбран комплект фотошаблонов для его изготовления;

- проведен анализ технологического процесса изготовления транзистора на основе GaN, уточнены технологический маршрут и режимы основных технологических операций;

- формирование затвора транзистора методом электронной литографии;

- изготовлены кристаллы тестовых транзисторов с различной шириной канала;

- исследованы статические и динамические характеристики транзисторов.

Отмечается, что удельные значения тока насыщения (700 мА/мм) и мощности на частоте 10 ГГц (1,2 Вт/мм) получены на тестовом транзисторе с минимальной шириной канала (500 мкм). Это обстоятельство свидетельствует, о плохой теплопроводности материала.

Следовательно, дальнейшие исследования в области разработок GaN – ГПТШ должны быть направлены в первую очередь на усовершенствования эпитаксиальных слоёв AlGaN/GaN.

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов ВКР