Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 12)

q_ост=145 Вт/м², A_ост=1,15

Q_ост=4,8*145*1,15=800 Вт

Площадь покрытия F_п=20м².Характер покрытия – с чердаком.

Тогда:

q_п=6 Вт/м²

Q_п=20*6=120 Вт

Суммарное тепловыделение от солнечной радиации:

Q₂= Q_ост+ Q_п =800+120=920 Вт

1. Тепловыделения от источников искусственного освещения.

Расчет тепловыделений от источников искусственного освещения производится по формуле:

Q₃=N*n*1000, Вт

Где N – суммарная мощность источников освещения, кВт;

N –коэффициент тепловых потерь (0,9 для ламп накаливания и 0,55 для люминесцентных ламп)

У нас имеется 20 светильников с двумя лампами ЛД30 (30Вт) и 2 местных светильника с лампами Б215-225-200 или Г215-225-200. Тогда получаем:

Q₃=(20*2*0,03*0,55+2*0,2*0,9)*1000 = 1020 Вт

1. Тепловыделения от радиотехнических установок и устройств вычислительной техники.

Расчет выделений тепла производится аналогично расчету тепловыделений от источников искусственного освещения:

Q₄= N*n*1000,Вт

Коэффициент тепловых потерь для радиотехнического устройства составляет n=0,7 и для устройств вычислительной техники n=0,5.

Q₄=(3*0,6+2*0,13)*0,5*1000=1030 Вт

Суммарные тепловыделения составят:

Q_c=Q₁ +Q₂ +Q₃ +Q₄ =3245 Вт

Q_изб – избыточная теплота в помещении, определяемая как разность между Q_c –теплом, выделяемым в помещении и Q_расх – теплом, удаляемым из помещения.

Q_изб= Q_c - Q_расх

Q_расх=0,1* Q_c=324,5 Вт

Q_изб =2920,5 Вт

Расчет необходимого воздухообмена.

Вентиляция организованный и регулируемый воздухообмен, обеспечивающий удаление из помещения воздуха, загрязненного вредными газами, парами, пылью, а также улучшающий метеорологические условия в цехах. По способу подачи в помещение свежего воздуха и удалению загрязненного, системы делят на естественную, механическую и смешанную.

Механическая вентиляция может разрабатываться как общеобменная, так и местная с общеобменной. Во всех производственных помещениях, где требуется надежный обмен воздуха, применяется приточно-вытяжная вентиляция. Высота приемного устройства должна зависеть от расположения загрязненного воздуха. В большинстве случаев приемные устройства располагаются в нижних зонах помещения. Местная вентиляция используется для удаления вредных веществ 1 и 2 классов из мест их образования для предотвращения их распространения в воздухе производственного помещения, а также для обеспечения нормальных условий на рабочих местах.

Объем приточного воздуха, необходимого для поглощения тепла, G (м³/ч), рассчитывают по формуле:

G=3600*Q_изб/C_р*p*(t_уд-t_пр)

где:

• Q_изб –теплоизбытки (Вт);

• С_р – массовая удельная теплоемкость воздуха (1000Дж/кг*с);

• р- плотность приточного воздуха (1,2 кг/м³)

• t_уд , t_пр – температура удаляемого и приточного воздуха.

Температура приточного воздуха определяется по СНиП-П-33-75 для холодного и теплого времени года. Поскольку удаление тепла сложнее провести в теплый период, то расчет проведем именно для него, приняв t_пр=18⁰С. Температура удаляемого воздуха определяется по формуле:

t_уд=t_рз+a*(h-2)

Где

• t_рз - температура в рабочей зоне (20⁰С)

• a – нарастание температуры на каждый метр высоты (зависит от тепловыделения. Примем: a =1⁰С/м)

• h - высота помещения (3,5м).

t_уд=20+1*(3,5-2) =21,5⁰С

G=2160, м³/ч

По моему мнению, такой объем приточного воздуха является оптимальным.

Определение поперечных размеров воздуховода.

Исходными данными для определения поперечных размеров воздуховода являются расходы воздуха (G) и допустимые скорости его движения на участке сети (V).

Необходимая площадь воздуховода f(м²), определяется по формуле:

V=3 м/с

F=G/3600*V=0,2 м²

В промышленных зданиях рекомендуется использовать круглые металлические воздуховоды. Тогда расчет сечения воздуховода заключается в определении диаметра трубы. По справочнику находим, что для площади f=0,246 м² условный диаметр воздуховода d=560 мм.

Выводы по безопасности жизнедеятельности.

В данном разделе рассматривались вопросы связанные с тем, что работники, по-прежнему подвергаются воздействию физически опасных и вредных производственных факторов. Таких, как вдыхание паров при очистке деталей, покрытых продуктами разложения моносилана; при работе с этиловым реактивным, техническим, и изопропиловым спиртами; действия на организм литографического растворителя «ЛИР – 1» и рекомендации по безопасным методам работы с реагентом. Определялись меры безопасности, пути решения этих проблем, чтобы обеспечить безопасные условия труда для работников.

Особое внимание требуется уделять пожарной безопасности, так как пожары сопряжены с опасностью для человеческой жизни и большими материальными потерями.

Заключение

В настоящее время не смотря на фантастические достижения в области разработок полупроводниковых приборов на основе кремния и арсенида галлия, внимание разработчиков твердотельных приборов всё более привлекают широкозонные полупроводники, имеющие ряд приемуществ перед традиционными материалами и позволяющие создать в перспективе приборы с рекордными значениями частоты, мощности, сопротивления в открытом состоянии, рабочего напряжения и других параметров.

Целью настоящей дипломной работы являлась разработка лабораторной технологии изготовления ГПТШ на основе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN и исследование электрических характеристик изготовленных экспериментальных образцов приборов.

В ходе выполнения дипломной работы полученные следующие результаты:

- проведен анализ научно - технической литературы по электрофизическим свойствам широкозонных полупроводников, использующихся в настоящее время для изготовления высокотемпературных, мощных и высоковольтных приборов, способных заменить в ряде областей применения традиционные кремниевые и арсенид-галлиевые транзисторы, диоды, тиристоры и другие твердотельные приборы;

- проведён обзор литературы по состоянию в настоящее время разработок приборов на основе широкозонного полупроводника GaN и ближайшим перспективам их развития;

- проведен анализ конструкций кристаллов ГПТШ малой и средней мощности с целью выбора комплекта фотошаблонов для приготовления экспериментальных образцов на основе GaN;

- проведен анализ технологического процесса изготовления ГПТШ на основе гетероструктуры AlGaN/GaN и уточнены режимы техпроцессов, необходимых для изготовления приборов на технологической базе, существующей на предприятии;

- произведен процесс формирования затвора транзистора методом электронной литографии;

- изготовлены лабораторные образцы ГПТШ на основе GaN с различной шириной канала и исследованы их статические и динамические параметры;

- анализ полученных экспериментальных результатов показал, что удельные значения статических и динамических параметров транзистора существенно зависят от ширины канала (размеров кристалла транзистора), что, по – видимому, свидетельствует о неоднородности и несовершенстве эпитаксиальной структуры AlGaN/GaN.

- результаты экономических исследований;

- результаты экономических расчетов, обеспечивающих выполнение условий безопасности труда.

Проведённые исследования позволяют сделать вывод о принципиальной возможности изготовления ГПТШ на основе GaN. При этом основным направлением дальнейшей работы должно явиться совершенствование структурных свойств эпитаксиальных слоёв AlGaN и GaN.

1. Список используемой литературы.

1. Данилин В.Н., Докучаев Ю.П., Жукова Т.А., Комаров М.А. «Мощные высокотемпературные и радиационностойкие СВЧ-приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN» - Обзоры по электронной технике. Серия 1. СВЧ-техника, 2003, выпуск 1.

2. Зи С. «Физика полупроводниковых приборов». (ч. 1). М. «Мир», 1984.

3. Ковалев А.Н. «Полевые транзисторы на AlGaN/GaN структурах». – АТИ «ЮНИСАФ». Москва, 2001.

4. Данилин В.Н., Жукова Т.А., Кузнецов Ю. и др. «Транзисторы на GaN пока самый «крепкий орешек». ж. «Электроника», № 4, 2005.

5. Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А. Исследование СВЧ ПТБШ на основе гетероструктур AlGaN/GaN. – Тезисы доклада 4-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы».2005г. ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт - Петербург.

6. Данилин В.Н., Кушнеренко А.И., Морозов А.А., Петров Г.В., Толстой А. И., Филатов А. Л., «Обзоры по электронной технике». Серия 2. полупроводниковые приборы. 1981 г. выпуск 4.

7. Гамрат – Курек Л. И. «Экономическое обоснование дипломных проектов».

8. Батищева Г.М., Самойлова И. Д., «экономика радиоэлектронных отраслей и приборостроения». Москва. 1984г.

9. Розанов В.С., Рязанов А.В. «Обеспечение оптимальных параметров воздушной среды в рабочей зоне». Учебное пособие. 1998 г.

10. В. С. Розанов. «Безопасность жизнедеятельности. Электробезопасность». Учебное пособие. 1999 г.

Характеристики

Список файлов ВКР