annot_22.04.01_fmitmet_2016 (1087745), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Поверхностные явления в полупроводниках» имеет своей цельюспособствовать формированию у обучающихся профессиональной компетенции ОПК-3 всоответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки магистров 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов» магистерская программа «Физическоематериаловедение и технология материалов электронной техники».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Поверхностные явления в полупроводниках» является выборнойдисциплиной вариативной части блока дисциплин учебного плана направленияподготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»магистерская программа «Физическое материаловедение и технология материаловэлектронной техники».В дисциплине рассматриваются вопросы, связанные с реальной поверхностьюполупроводников, в частности: реконструкция поверхности, образование на ней дефектовразличной природы.
Влияние температуры на состояние поверхности. Электронные идырочные состояния на поверхности, изгибы зон.3. Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формой промежуточнойаттестации является зачет. Дисциплина изучается в 1-м семестре магистратуры.4. Требования к результатам освоения дисциплиныПроцесс изучения дисциплины «Поверхностные явления в полупроводниках»направлен на формирование у обучающихся элементов следующих компетенций:ОПК-3 – способность самостоятельно развивать базовые знания технических иприкладных наук при моделировании, техническом и экспериментальном исследованииматериалов и процессов в профессиональной деятельности.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- реконструкции поверхности Si, Ge, A3B5.
Характерные дефекты на поверхностиполупроводников и их влияние на электронные состояния.Уметь:- разбираться в особенностях поверхностных состояний и их влиянии на свойстваполупроводников и полупроводниковых структур.Владеть:- основными понятиями, связанными с реальной поверхностью полупроводников,учетом особых свойств поверхности при ее исследованиях и разработки технологическихпроцессов для твердотельной электроники.АННОТАЦИЯк рабочей программе дисциплины«Математическое моделирование полупроводниковых систем»по направлению подготовки 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»,магистерская программа «Физическое материаловедение и технология материаловэлектронной техники»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Математическое моделирование полупроводниковых систем» имеетсвоейцельюспособствоватьформированиюу обучающихсяпрофессиональныхкомпетенций ПК-2, ОПК-3 в соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлениюподготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» с учетомспецифики программы подготовки – «Физическое материаловедение и технологияматериалов электронной техники».2. Место дисциплины в структуре ОПОП бакалавриатаДисциплина «Математическое моделирование полупроводниковыхсистем»является обязательной дисциплиной вариативной части блока «Дисциплины» учебногоплана направления подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технологииматериалов», программа «Физическое материаловедение и технология материаловэлектронной техники».Вдисциплинерассматриваютсяосновыматематическогомоделированияполупроводниковых систем.
Изучаются теоретические основы моделирования процессовнаправленной кристаллизации. Анализируются уравнения механики сплошной среды.Рассматриваютсятеорияиуравнениядлярасчетакапиллярныхявленийпримоделировании процессов полупроводниковых технологий. Изучаются математическиемодели для расчета фазовых равновесий в многокомпонентных полупроводниковыхсистемах A3B5. Анализируется моделирование процесса выращивания монокристалловкремния методом Чохральского, процесса выращивания монокристаллов In0.3Ga0.7Asметодом движущейся жидкой зоны, задача расчета сегрегации P при бестигельной зоннойплавке Si в магнитном поле и др.3.
Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формой промежуточнойаттестации является зачет. Дисциплина изучается в осеннем семестре 1 курсамагистратуры.4. Требования к результатам освоения дисциплиныПроцессизучениядисциплины«Математическоемоделированиеполупроводниковых систем» направлен на формирование у обучающихся элементовследующих компетенций:общепрофессиональных (ОПК):ОПК-3 - Способность самостоятельно развивать базовые знания теоретических иприкладных наук при моделировании, теоретическом и экспериментальном исследованииматериалов и процессов в профессиональной деятельности.профессиональных (ПК):ПК-2 - Способность использовать методы моделирования и оптимизации,стандартизации и сертификации для оценки и прогнозирования свойств материалов иэффективности технологических процессов.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- математические модели физических и химических процессов, протекающих вполупроводниковых структурах.Уметь:- составлятьматематическиемоделипринциповисследования,анализа,диагностики и моделирования полупроводниковых структур.Владеть:- навыками построения математических моделей физических и химическихпроцессов, протекающих в полупроводниковых структурах.Аннотацияк рабочей программе дисциплины«Обратные кристаллические решетки»по направлению подготовки 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов», магистерская программа«Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Обратные кристаллические решетки» имеет своей цельюспособствовать формированию у обучающихся профессиональной компетенции ОПК-3 всоответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки магистров 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов» магистерская программа «Физическоематериаловедение и технология материалов электронной техники».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Обратные кристаллические решетки» является выборной дисциплинойвариативной части блока дисциплин учебного плана направления подготовки магистров22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» магистерская программа«Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники».В дисциплине рассматриваются задачи, приводящие к необходимости использованияпонятия «Обратная решетка кристалла» в физическом материаловедении.
На примерахпоказано, как с помощью единой основы – понятия «Обратная решетка кристалла» можно добиться единого понимания казалось бы разнородных процессов, имеющихзначения для физического материаловедения, таких как колебания решетки кристаллов,распространения электронов и дырок, дифракция рентгеновского излучения.3. Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формой промежуточнойаттестации является зачет. Дисциплина изучается в 1-м семестре магистратуры.4. Требования к результатам освоения дисциплиныПроцесс изучения дисциплины «Обратные кристаллические решетки» направлен наформирование у обучающихся элементов следующих компетенций:ОПК-3 – способность самостоятельно развивать базовые знания технических иприкладных наук при моделировании, техническом и экспериментальном исследованииматериалов и процессов в профессиональной деятельности.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- понятие обратного пространства и его метрики, размерные величины в обратномпространстве, описание волны в обратном пространстве, понятие зон Бриллюэна,физическая природа трансляционной симметрии обратного пространства кристалла.Уметь:- разбираться в дисперсионных зависимостях колебаний кристаллической решеткиопределять их число и свойства в конкретном кристалле, выводить законы погасанийбрегговских отражений в кристаллах различной симметрии.Владеть:- использованием понятия «обратная решетка кристалла» для решенияпрактических задач физического материаловедения.АННОТАЦИЯк рабочей программе дисциплины«Специальные главы физики и химии твердого тела I»по направлению подготовки 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»,магистерская программа «Физическое материаловедение и технология материаловэлектронной техники»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Специальные главы физики и химии твердого тела I» имеет своейцелью способствовать формированию у обучающихся профессиональной компетенцииОПК-3 в соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки магистров22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» магистерская программа«Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Специальные главы физики и химиитвердого тела» являетсяобязательной дисциплиной вариативной части блока дисциплин учебного плананаправления подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технологииматериалов» магистерская программа «Физическое материаловедение и технологияматериалов электронной техники».В дисциплине рассматриваются общие сведения о наноразмерных материалах,наноструктурах, нанотехнологиях и перспективах их развития.
Изучаютсяполупроводниковые сверхрешетки, поверхностные свойства нанообъектов, свойствананоструктур. Анализируются закономерности для электронов в изолированном атоме и вкристалле, электронов в наноструктурах.3. Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формой промежуточнойаттестации является зачет. Дисциплина изучается во 2 семестре магистратуры.4. Требования к результатам освоения дисциплиныПроцесс изучения дисциплины «Специальные главы физики и химии твердого тела I»направлен на формирование у обучающихся элементов следующих компетенций:ОПК-3 – способность самостоятельно развивать базовые знания технических иприкладных наук при моделировании, техническом и экспериментальном исследованииматериалов и процессов в профессиональной деятельности.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- принципы и причины формирования энергетического спектра носителей заряда унаноразмерных материалов, обуславливающих их уникальные свойства.Уметь:- формулироватьтребованиякнаноразмерамихарактеристикамполупроводниковых материалов для придания полупроводниковым структурам заданныхсвойств.Владеть:- методами расчета структур композиционных и легированных сверхрешеток.АННОТАЦИЯк рабочей программе дисциплины«Специальные главы физики и химии твердого тела II»по направлению подготовки 22.04.01.
«Материаловедение и технологии материалов»,магистерская программа «Физическое материаловедение и технология материаловэлектронной техники»1. Цель освоения дисциплиныДисциплина «Специальные главы физики и химии твердого тела II» имеет своейцелью способствовать формированию у обучающихся профессиональной компетенцииОПК-3 в соответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовки магистров22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» с учетом специфики магистерскойпрограммы «Физическое материаловедение и технология материалов электроннойтехники».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Специальные главы физики и химии твердого тела II» являетсяобязательной дисциплиной вариативной части блока «Дисциплины» учебного плананаправления подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технологииматериалов» с учетом специфики магистерской программы 22.04.01 «Физическоематериаловедение и технология материалов электронной техники».В дисциплине рассматриваются масштабы нанообъектов живой и неживой природы,скейлинг параметров элементов интегральных микросхем, технологии «сверху- вниз» и«снизу- вверх».
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
