4_5испр (1086094), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Большой разброс параметров выпускаемых промышленностью транзисторов СВЧ, значительная зависимость параметров преобразования от режимов работы, способа подачи колебаний гетеродина на транзистор и уровня мощности гетеродина затрудняют непосредственное использование структурных моделей и их эквивалентных схем при проектировании преобразователей СВЧ.
Для расчета транзисторных преобразователей используется аппарат параметров рассеяния, однако в отличие от S-параметров в режиме усиления Sn-параметры транзистора в преобразовательном режиме связывают расходящиеся от транзистора и сходящиеся к нему нормированные волны напряжений не одинаковых, а разных частот. Бесструктурная модель транзистора в режиме многочастотного преобразования представляется в виде многополюсника, описываемого системой уравнений в Sn-параметрах на различных частотах. В общем случае эта система громоздка. На двух частотах – сигнальной и промежуточной – преобразователь частоты рассматривается как линейный 4-хполюсник и для его расчета применяются формулы, полученные для транзисторного усилителя СВЧ с заменой усилительных параметров на преобразовательные.
134
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
