12 Фотодиод (1013248)
Текст из файла
Московский авиационный институт |
Лабораторная работа «Исследование характеристик фотодиодов » Утверждено кафедрой 408 как учебно-методическое руководство |
Москва |
Краткие теоретические сведения
Фотодиод. Принцип действия фотодиода основан на фотогальваническом эффекте, который возникает в полупроводниках при воздействии на него внешнего излучения. Например, при освещении р-п перехода монохроматическим светом с энергией фотонов Еф >ΔЕ3 имеет место собственное поглощение квантов света и генерируются неравновесные фотоэлектроны и фотодырки. Под действием электрического поля перехода эти фотоносители перемещаются: электроны - в n-область, а дырки - в р-область, т.е. через переход течет дрейфовый ток неравновесных носителей. Если цепь разомкнута концентрация электронов в п-области и дырок в р-области увеличивается, поле объемного заряда атомов примеси в переходе частично компенсируется и потенциальный барьер снижается. Это снижение происходит на величину фотоЭДС, называемую напряжением холостого хода фотодиода UХХ. Значение UХХ не может превышать контактную разность потенциалов перехода, поскольку при этом полностью компенсируется электрическое поле и разделение фотоносителей в переходе прекращается. Если р- и п-области соединить внешним проводником, то UХХ= 0 и в проводнике потечет ток короткого замыкания IКЗ, образованный неравновесными фотоносителями. Если к р- и п- областям освещенного перехода подключить сопротивление нагрузки RН ≠0, по нему потечет ток нагрузки IН<Iкз и падение напряжения на нем будет UН < UХХ . В нагрузке будет выделяться электрическая мощность РН =IН*UН. Такой режим работы называется фотогальваническим и используется в элементах солнечных батарей. Если в цепь фотодиода и Rн последовательно включен источник питания, обеспечивающий обратное смещение p-n перехода, то такой режим работы фотодиода называют фотодиодным.
Семейство вольтамперных характеристик фотодиода I =f(Ф) при Ф=const показано на рисунке 1.
Световыми характеристиками диода в фотогальваническом режиме являются зависимости тока короткого замыкания от светового потока IКЗ =f(Ф) и напряжения холостого хода от светового потока UХХ = f(Ф), показанные на рисунке 2. Нелинейность IК3 = f(Ф) при увеличении Ф объясняется ростом падения напряжения на объемном сопротивлении базы фотодиода, а нелинейность UХХ = f(Ф) - уменьшением потенциального барьера при росте Ф. Точка пересечения ВАХ фотодиода и нагрузочного резистора определяет электрическую мощность РН =IН*UН, выделяемую в нагрузку.
Параметром семейства ВАХ является световой поток Ф. При Ф0=0 ВАХ фотодиода не отличается от ВАХ обычного полупроводникового диода. При Ф>0 на ВАХ фотодиода можно выделить две области, соответствующие разным режимам работы фотодиода:
III квадрант - фотодиодный режим;
IV квадрант- - фотогальванический режим.
Рисунок 1. Семейство вольтамперных характеристик
освещенного фотодиода.
Рисунок 2. Зависимости тока короткого замыкания Iкз , напряжения холостого хода Uхх и фототока Iф от мощности светового потока Ф.
В фотодиодном режиме фототок прямо пропорционален падающему световому потоку, и световая (энергетическая) характеристика
Iф =f(Ф) практически линейна (рисунок 2). Инерционность фотодиода определяется, прежде всего, скоростью процесса разделения носителей в р-п-переходе и скоростью перезаряда барьерной емкости. Наименее инерционны фотодиоды с точечным переходом или с барьером Шотки.
Описание лабораторной установки
Основой лабораторной установки является серийный прибор CHARACTERISCOPE-Z (тип ТР-4805), позволяющий снимать семейство вольтамперных характеристик (ВАХ) при различных величинах светового потока.
На основе этих характеристик можно определить следующие параметры фотодиода:
-
световую (энергетическую) характеристику в фотодиодном режиме;
-
токовую чувствительность в фотодиодном режиме; зависимость тока короткого замыкания от светового потока в фотогальваническом режиме; зависимость напряжения холостого хода от светового потока в фотогальваническом режиме; оптимальное сопротивление нагрузки в фотогальваническом режиме; максимальную мощность, отдаваемую в нагрузку в фотогальваническом режиме.
Конструктивно фотодиод выполнен вместе со светоизлучателем в одном непрозрачном корпусе. В качестве светоизлучателя используется светодиод. К внешним электрическим цепям фотодиод и светоизлучатель подключаются тремя проводниками (один является выводом светодиода, второй – фотодиода, третий - общий).
Порядок проведения работы
Для исследования фотодиода необходимо собрать электрическую схему, показанную на рисунке 3.
Рисунок 3. Схема подключения фотодиода и светодиода
к характериоскопу.
1. На приборе CHARACTERISCOPE установите ручки управления в следующие положения:
-
тумблер "OFF" в нейтральное положение;
-
переключатель "НОR .VOLTS"в положение 0,1 В;
-
переключатель "VERT. CURRENT "в положение (50 –100) мкА;
-
- переключатель "BASE STEPS" в положение "6";
-
тумблер "STEP POL" в положение ''+";
-
кнопка "ONE CURVE" отжата;
-
переключатель "STEP AMPLITUDE" в положение (5-10) мА.
2. Включите питание прибора ручкой "SCALE ILLUM" и установите удобный уровень освещенности шкалы. Время прогрева прибора не менее 5 минут.
3. После прогрева прибора (появление луча на экране) ручками "VERT.POS" и "HOR.POS" установите удобное положение начала координат ВАХ на экране прибора.
4. Тумблером "OFF" подключите фотодиод и светоизлучатель
к прибору.
5. Переключателями "VERT. CURRENT" и "STEP AMPLITUDE" установите удобный масштаб ВАХ по вертикали, соответствующий максимальному использованию экрана характериокопа. Ручкой "OFFSET” отрегулируйте положение начала координат для кривой семейства, соответствующей нулевому световому потоку Ф = 0 (до момента остановки).
6. Для регистрации прямых ветвей семейства ВАХ фотодиода переключатель "COLLECTOR SUPPLY" установите в положение "-AC", для регистрации обратных ветвей семейства - в положение "+AC".
Значения тока через светоизлучатель I0 будут задаваться с шагом, соответствующим положению переключателя "STEP AMPLITUDE”.
Световой поток светоизлучателя определяется по формуле:
Ф = кI0 ,
где к=100лм/мА; I0 – ток через светоизлучаталь (светодиод).
7. Снимите семейство ВАХ фотодиода при Ф =const, сопрягая прямые и обратные ветви семейства, соответствующие одинаковым значениям светового потока Ф (см. рисунок 1.).
На семействе ВАХ фотодиодному режиму работы фотодиода соответствует область "обратное напряжение - обратный ток" (Ш квадрант).
8. Для фотодиодного режима выберите значения напряжения UОБР1 и графически постройте световую характеристику фотодиода Iф =f(Ф) при UОБР = UОБР1 (см. рисунок 2) , где Iф - фототок через фотодиод, совпадающий по направлению с IОБР (см. рисунок 1).
9. Для выбранной рабочей точки на световой характеристике
рассчитайте токовую чувствительность фотодиода S=ΔIф/ΔФ, (мкА/лм).
На семействе ВАХ фотогальваническому режиму работы фотодиода соответствует область "прямое напряжение - обратный ток" (IV квадрант).
10. Для фотогальванического режима по ВАХ графически измерьте значения тока короткого замыкания в напряжения холостого хода фотодиода для различных значений светового потока и постройте графики IКЗ= f(Ф) и UХХ = f(Ф) (см. рис. 2).
11. Для кривой семейства ВАХ, соответствующей максимальному световому потоку, рассчитайте положение оптимальной рабочей точки фотодиода. Критерием оптимальности является максимальная мощность, отдаваемая фотодиодом в нагрузку в фотогальваническом режиме. Для этого, перемещая положение точки А по ВАХ, соответствующей максимальной освещенности фотодиода (на рисунке 1 это соответствует
Ф = Ф4) и рассчитывая в каждой точке значения мощности Р= UОБР * IОБР, найдите максимальную мощность Рмакс, отдаваемую фотодиодом в нагрузку.
12. Для оптимальной рабочей точки рассчитайте оптимальное сопротивление нагрузки RН ОПТ. Рассчитайте по ВАХ сопротивление
R = UХХ / IКЗ и сравните его с R Н ОПТ .
ОТЧЕТ
по лабораторной работе студент:
группа:
дата:
тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДОВ
-
Схема эксперимента.
-
Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода.
-
Зависимости фототока Iф, тока короткого замыкания Iкз и напряжения холостого хода Uхх от величины светового потока.
Токовая чувствительность фотодиода S=ΔIф/ΔФ=
-
Параметры оптимальной рабочей точки на ВАХ фотодиода.
Напряжение Uн=
Ток Iн=
Мощность Pн=Uн*Iн=
Сопротивление Rн опт=Uн/Iн=
Сравнение с R=Uхх/Iкз=
8
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.