04 Исследование характеристик биполярного транзистора (1013232), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

– кнопка "ONE CURVE" отжата;

– переключатель "STEP AMPLITUDE" в положение 1 В;

– переключатель "COLLECTOR SUPPLY" в положение – "-АС".

После того, как будут выставлены необходимые чувствительность, полярность и количество шагов, можно включить изображение, переведя переключатель "OFF" в соответствующие положение  или . В результате на экране должно появиться семейство ВАХ. Каждая кривая семейства соответствует постоянному значению выходного напряжения на гнезде “B”.

Перерисуйте семейство ВАХ на миллиметровку в масштабе достаточно крупном для дальнейших вычислений (1 клетка на экране осциллографа ≤ 1см).

3. Рассчитайте графически h-параметры по формулам :

h₁₁=∆U_вх/∆I_вх при ∆U_вых=0.

h₁₂=∆U_вх/∆U_вых при ΔI_вх = 0.

h₂₁=∆I_вых/∆I_вх при ∆U_вых=0.

h₂₂==∆I_вых/∆U_вых при ΔI_вх = 0.

4. Результаты расчетов занесите в таблицу:

h₁₁ = r_вх - дифференциальное входное сопротивление.

h₁₂ = КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

h₂₁- коэффициент передачи по току (β - в схеме с общим эмиттером, α - в схеме с общей базой).

r_i =1/ h₂₂ - дифференциальное внутреннее сопротивление.

Параметр	rвх, Ом	КОС	β (ОЭ) α (ОБ)	ri, кОм
ОЭ
ОБ

Приложение

Методика расчёта h - параметров транзистора по его статическим характеристикам.

Схема с общим эмиттером

Определение h_11Э:

Кривая U_кэ = 0,1 В соответствует условию ∆U_вых=0.

h_11Э=∆U_вх/∆I_вх=∆U_бэ/∆I_б=r_вх.

r_вх - дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Э:

h_12Э=∆U_вх/∆U_вых=∆U_бэ/∆U_кэ=КОС;

∆U_кэ= U_{кэ раб.точке}- U_кэ(0).

КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

Определение h_21Э:

Выбираем ВАХ, соответствующую току базы, при котором определялись параметры h₁₁ и h₁₂. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой ∆U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Э=∆I_вых/∆I_вх=∆I_к/∆I_б=β

∆I_б = I_б5-I_б4

β - коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером.

Определение h_22Э:

Рабочая точка А берется также, что и при определении h_21. На характеристике I_б= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Э==∆I_вых/∆U_вых=∆I_к/∆U_кэ=1/r_i

r_i- дифференциальное внутреннее сопротивление.

Схема с общей базой

Определение h_11Б:

Выберем рабочую точку А на прямолинейной части входной характеристике. На характеристике U_кб= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вх и ∆U_вх.

h_11Б=∆U_вх/∆I_вх=∆U_эб/∆I_э=r_вх,

r_вх-дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Б:

h_12Б=∆U_вх/∆U_вых=∆U_эб/∆U_кб=КОС

Из-за недостатка экспериментальной информации - получена всего одна кривая - найти h₁₂ нельзя.

Определение h_21Б:

Выбираем ВАХ, соответствующую току эмиттера, при котором определялся параметр h₁₁. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Б=ΔI_вых/ΔI_вх=ΔI_к/ΔI_э= α;

α-коэффициент передачи по току в схеме с общей базой.

Определение h_22Б:

Рабочая точка А берется таже, что и при определении h_21Б. На характеристике I_э= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Б= ΔI_вых/ΔU_вых=ΔI_к/ΔU_кб=1/r_i

r_i=1/h_22Б - дифференциальное внутреннее сопротивление.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе студент:

группа:

дата:

тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. С хемы включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ ).

1. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

1. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

1. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

1. Входные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

1. Сравнительная таблица параметров транзистора в схемах ОЭ и ОБ.

Параметр	rвх, Ом	КОС	β (ОЭ) α (ОБ)	ri, кОм
ОЭ
ОБ

15

Характеристики

Список файлов лабораторной работы