Диссертация (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов), страница 32
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов". PDF-файл из архива "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 32 страницы из PDF
– С. 161-168.298. Lackner T. Avalanche multiplication in semiconductors: a modification of Chynoweth'slaw// Solid-State Electronics. – 1991. – Т. 34. – №. 1. – С. 33-42.299. Vecchi M. C., Rudan M. Modeling electron and hole transport with full-band structureeffects by means of the spherical-harmonics expansion of the BTE// Electron Devices, IEEETransactions on.
– 1998. – Т. 45. – №. 1. – С. 230-238.300. BergnerW.etal.Emitter-basebreakdown:Measurementandsimulation//Microelectronic Engineering. – 1992. – Т. 19. – №. 1. – С. 695-698.301. Schenk A. Rigorous theory and simplified model of the band-to-band tunneling insilicon// Solid-State Electronics.
– 1993. – Т. 36. – №. 1. – С. 19-34.302. Hurkx G. A. M., Klaassen D. B. M., Knuvers M. P. G. A new recombination model fordevice simulation including tunneling// Electron Devices, IEEE Transactions on. – 1992. – Т. 39. – №.2. – С. 331-338.303. Masetti G., Severi M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentrationin arsenic-, phosphorus-, and boron-doped silicon// Electron Devices, IEEE Transactions on.
– 1983. –Т. 30. – №. 7. – С. 764-769.163304. Arora N. D., Hauser J. R., Roulston D. J. Electron and hole mobilities in silicon as afunction of concentration and temperature// IEEE Transactions on Electron Devices. – 1982. – №. 2. –С. 292-295.305. Reggiani S.
et al. A Unified Analytical Model for Bulk and Surface Mobility in Si n-andp-Channel MOSFET's// Solid-State Device Research Conference, 1999. Proceeding of the 29thEuropean. – IEEE, 1999. – Т. 1. – С. 240-243.306. Klaassen D. B. M. A unified mobility model for device simulation—I. Model equationsand concentration dependence// Solid-State Electronics. – 1992. – Т. 35. – №. 7. – С. 953-959.307. Klaassen D. B. M. A unified mobility model for device simulation—II. Temperaturedependence of carrier mobility and lifetime// Solid-State Electronics. – 1992. – Т.
35. – №. 7. – С.961-967.308. Klaassen D. B. M., Slotboom J. W., De Graaff H. C. Unified apparent bandgap narrowingin n-and p-type silicon// Solid-State Electronics. – 1992. – Т. 35. – №. 2. – С. 125-129.309. ВиноградовкомплементарногоР.Н.,ДроздовбиполярногоД.Г.,КорнеевтехнологическогоС.В.процессаРезультатыоптимизацииизготовленияИМСсиспользованием САПР TCAD// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блокиРЭА.
Материалы VII научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова,2008. С. 51–53.310. Дроздов Д.Г., Евстигнеев Д.А., Савченко Е.М. Оптимизация параметров слоевмощного СВЧ транзистора // Материалы научно-технической конференции: «Твердотельнаяэлектроника. Сложные функциональные блоки РЭА». – М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. – 2009.311. Виноградов Р. Н., Дроздов Д.
Г., Корнеев С. В. Оптимизация комплементарногобиполярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР ТСАD//Электронная техника. – 2009. – №. 1. – С. 58-64.312. Sutardja P., Oldham W. G., Kao D. B. Modeling of stress-effects in silicon oxidationincluding the non-linear viscosity of oxide// Electron Devices Meeting, 1987 International. – IEEE,1987. – Т. 33. – С. 264-267.313.
Katsumata Y. et al. Stress analysis of trench isolation structure in advanced bipolar LSIs//Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1991., Proceedings of the 1991. – IEEE, 1991. – С. 271-274.314. De Pestel F. et al. Deep trench isolation for a 50 V 0.35 μm based smart powertechnology// European Solid-State Device Research, 2003.
ESSDERC'03. 33rd Conference on. – IEEE,2003. – С. 191-194.315. Krimmel E. F. et al. Si Silicon: Silicon Nitride in Microelectronics and Solar Cells. –1991.164316. Свидетельствоогосударственнойрегистрациитопологииинтегральноймикросхемы № 2013630144 «Радиационно-стойкий широкополосный усилитель 1324УВ6»(ИМС 1324УВ6У). Авторы: Савченко Е.М., Першин А.Д., Будяков А.С., Вагин А.В., ПронинА.А., Дроздов Д.Г.317. Свидетельствоогосударственнойрегистрациитопологииинтегральноймикросхемы № 2013630143 «Радиационно-стойкий четырёхканальный источник тока 1348ЕТ2»(ИМС 1348ЕТ2).
Авторы: Савченко Е.М., Мартынов А.А., Будяков А.С., Вагин А.В., ПронинА.А., Дроздов Д.Г., Зайцев А.А.318. Свидетельствоогосударственнойрегистрациитопологииинтегральноймикросхемы № 2015630070 «Радиационно-стойкий квадратурный модулятор 1324МП2» (ИМС1324МП2). Авторы: Савченко Е.М., Будяков А.С., Мельничук С.А., Пронин А.А., Дроздов Д.Г.,Гаранович Д.И.319.
Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева, В.А. Солодуха, Я.А. Соловьев, А.С.Турцевич. Низкотемпературный метод формирования контактного слоя силицида платина длясиловых диодов Шоттки// Сборник докладов Национальной академии наук Беларуси, Март апрель 2013, Том 57, № 2, С. 38 – 42.320. http://ivkon8.narod.ru/MagPresentation.pdf321. Свидетельствоогосударственнойрегистрациитопологииинтегральноймикросхемы № 2012630043 «Широкополосный пассивный СВЧ смеситель А4505» (ИМСА4505). Авторы: Будяков А.С., Вагин А.В., Дроздов Д.Г., Мельничук С.А., Пронин А.А.,Савченко Е.М.165ПРИЛОЖЕНИЕТаблица А.1 – Параметры элементов технологического процессаБуквенноеРежимобозначениеизмеренияпараметраnpn-транзисторКоэффициент усиленияh21UКЭ = 2 ВГраничная частота, ГГцfTUКЭ = 2 ВМаксимальная частота генерации, ГГцfMAXUКЭ = 3 ВПробивное напряжение база-коллектор, ВUКБOпробIК = 1 мкАПробивное напряжение коллекторUКЭпробIК = 10 мкАэмиттер, ВПробивное напряжение эмиттер-база, ВUЭБOпробIЭ = 1 мкА/мкмЕмкость эмиттерного перехода, ФCЭUЭБ = 0 ВЕмкость коллекторного перехода, ФCКUКБ = 0 Вpnp-транзисторКоэффициент усиленияh21UКЭ = 2 ВГраничная частота, ГГцfTUКЭ = 2 ВМаксимальная частота генерации, ГГцfMAXUКЭ = 3 ВПробивное напряжение база-коллектор, ВUКБOпробIК = 1 мкАПробивное напряжение коллекторUКЭпробIК = 10 мкАэмиттер, ВПробивное напряжение эмиттер-база, ВUЭБOпробIЭ = 1 мкА/мкмЕмкость эмиттерного перехода, ФCЭUЭБ = 0 ВЕмкость коллекторного перехода, ФCКUКБ = 0 ВДиод ШотткиПробивное напряжение, ВUпробI = 1 мкАЕмкость перехода, ФCперU=0ВПоследовательное сопротивление потерь,rSОмn-канальный JFETНапряжение отсечки, ВUЗИ.отсUСИ = 3 ВНачальный ток стока, А/мкмIС.начUСИ = 5 ВКрутизна, См/мкмgmsUЗИ = 0 ВНапряжение сток-исток, ВUСИI = 1 мкАp-канальный JFETНапряжение отсечки, ВUЗИ.отсUСИ = 3 ВНачальный ток стока, А/мкмIС.начUСИ = 5 ВКрутизна, См/мкмgmsUЗИ = 0 ВНапряжение сток-исток, ВUСИI = 1 мкАПоликремниевые резисторыПоверхностное сопротивлениеRSнизкоомного резистора n-типа, Ом/кв.Поверхностное сопротивлениеRSвысокоомного резистора p-типа, Ом/кв.Поверхностное сопротивлениеRSнизкоомного резистора p-типа, Ом/кв.ПараметрЗначение18013,2314114,35,51,19e-149,02e-156110,7332714,72,81,74e-141,21e-14не менее 151,73e-1433,7–0,741,04e-64,620e-6не менее 150,859,36e-76,625e-6не менее 158065085.
