Заключение диссертационного совета (СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов)

9

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТА Д 212.131.02 НА БАЗЕ ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» МИРЭА МИНОБРНАУКИ РОССИИ ПО ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ КАНДИДАТА НАУК

аттестационное дело № __________________

решение диссертационного совета от 24.10.2017 № 81

О присуждении Дроздову Дмитрию Геннадьевичу ученой степени кандидата технических наук.

Диссертация "СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов" в виде рукописи

по специальности 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах выполнена в АО «НПП «Пульсар»

принята к защите «07» июля 2017 года, протокол № 76 диссертационным советом Д 212.131.02 на базе федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технологический университет» МИРЭА, Минобрнауки РФ, Москва, 119454, проспект Вернадского, 78. Состав диссертационного совета утвержден в количестве 29 человек 11.04.2012(№105/нк) с учетом внесенных изменений (приказ от 22.08.2012 №579/нк и приказ от 10.07.2015 № 770/нк).

Соискатель Дроздов Дмитрий Геннадьевич, 1985 года рождения, гражданин Российской Федерации, начальник лаборатории приборно-технологического моделирования АО «НПП «Пульсар». В 2008 году соискатель окончил факультет электроники Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики. С 01.04.2009 г. по 31.03.2012 г. соискатель прошел обучение в аспирантуре АО «НПП «Пульсар» по очной форме обучения. Диссертация выполнена в акционерном обществе «Научно-производственном предприятии «Пульсар».

Научный руководитель – Савченко Евгений Матвеевич, кандидат технических наук, начальник отделения № 8 «Центр проектирования» АО «НПП «Пульсар», член экспертного Совета при Правительстве РФ, руководитель секции №10 МРГ ВПК РФ,
заместитель заведующего кафедрой МТУ (МИРЭА).

Официальные оппоненты:

1. Петросянц Константин Орестович, гражданин РФ, доктор технических наук, профессор, профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.

2. Ключников Алексей Сергеевич, гражданин РФ, кандидат технических наук, Начальник лаборатории приборно-технологического моделирования АО «НИИМЭ» дали положительные отзывы на диссертацию.

Ведущая организация ФГУ «ФНЦ НИИСИ РАН» в своем положительном заключении, подписанным Волковым Святославом Игоревичем, старшим научным сотрудником, кандидатом технических наук, заместителем генерального директора ФГУ «ФНЦ НИИСИ РАН» указала, что диссертация представляет собой завершенную научно-исследовательскую работу на актуальную тему, содержит совокупность новых результатов и положений, и ее автор заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук.

В обсуждении диссертационной работы приняли участие: профессора д.ф.-м.н. Морозов В.Г., д.т.н. Воротилов К.А, д.ф.-м.н. Юрасов А.Н., д.ф.-м.н. Пасечник С.В., д.ф.-м.н. Фетисов Ю.К., д.т.н. Мальцев П.П., д.ф.-м.н. Мишина Е.Д., д.ф.-м.н. Сигов А.С.

Соискатель имеет 43 опубликованных работы, из них по теме диссертации опубликовано 28 научных работ, в том числе 5 статей в научных журналах и изданиях, которые включены в перечень российских рецензируемых научных журналов и изданий для опубликования основных научных результатов диссертаций.

Соискателем опубликованы 23 работы в материалах всероссийских и международных конференций. Наиболее значимые научные работы по теме диссертации:

1. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В. Оптимизация комплементарного биполярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD// Электронная техника. Серия 2 Полупроводниковые приборы. – 2009. – № 1. – С. 58-64.

2. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Корнеев С.В., Савченко Е.М. Выбор оптимального маршрута моделирования диффузионных процессов с использованием САПР TCAD// Электронная техника. Серия 2 Полупроводниковые приборы. – 2009. – № 1. – С. 65-72.

3. Дроздов Д.Г., Мишаков Д.С., Савченко Е.М. Разработка конструкции и технологии изготовления интегральных кремниевых диодов Шоттки для СВЧ МИС пассивных смесителей// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы VIII научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2009. С. 20–21.

4. Дроздов Д.Г., Зубков А.М., Савченко Е.М. Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной частотой 10 ГГц и более// Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем – 2010. Сборник научных трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. Москва: ИППМ РАН, 2010. С. 66–69.

5. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Особенности технологии самосовмещения при построении комплементарных биполярных транзисторов// Электронная техника. Серия 2 Полупроводниковые приборы. – 2011. – №2, – С. 53–58.

6. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Высокочастотная комплементарная биполярная технология с последовательным легированием поликремниевых слоев// Микроэлектроника и информатика - 2011. 18-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов Москва: МИЭТ, 2011. С. 73.

7. Виноградов Р.Н., Дроздов Д.Г., Дюканов П.А., Ксенофонтов Д.Л., Корнеев С.В., Савченко Е.М., Сурков Г.П. Оптимизация технологического процесса создания интегральных полевых транзисторов с управляющим P-N-переходом// Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции. Москва: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2012. С. 222–223.

8. Дроздов Д.Г., Савченко Е.М. Проектирование технологических процессов изготовления кремний-германиевых гетеробиполярных транзисторов// Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 2. С. 141-144.

На диссертацию и автореферат поступило 15 отзывов

1. От Адамова Ю.Ф., ведущего научного сотрудника ФГБУН Института проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН), доктора технических наук, профессора — отзыв положительный. Замечанием к работе является: не предложены методы по интеграции исследуемых СВЧ комплементарных биполярных транзисторов в КМОП-технологический процесс, что существенно расширило бы возможности подобного технологического процесса.

2. От Мяконьких А.В., старшего научного сотрудника ФГБУН Физико-технологического института РАН (ФТИАН РАН) — отзыв положительный. Отмечаются недостатки, присущие автореферату:

В тексте автореферата не указано название среды, в которой проводилось моделирование. Кроме того, названия применяемых моделей («Conventional», «Equilibrium», «PairDiffusion» и т.д.) никак не проясняют их физическую сущность и критерии их применимости.

Не представлены параметры зарубежного СВЧ КБТП, с которым сравнивается разработанный прибор на рис. 12. Поэтому сложно оценить, насколько такое сравнение уместно в принципе.

Численные значения величин представлены в формате, не принятом в русскоязычной литературе (например, Q = 6,125e14 см^–2, вместо Q = 6,125·10¹⁴ см^–2).

3. От ФГУП МНИИРИП (Кабанов И.Н., начальник управления, кандидат технических наук, доцент; Щепанов А.Н., начальник отдела СВЧ электроники; Зверев А.П., ведущий научный сотрудник, кандидат технических наук, доцент; Сотников В.А., старший научный сотрудник) — отзыв положительный. Сделаны следующие замечания:

Автор не опубликовал ни одного авторского свидетельства на изобретения или программы ПЭВМ.

Не определены основные направления оптимизации при интеграции в КБТП.

Не приведены данные о расхождении экспериментальных и теоретических оценок при построении расчётных сеток.

4. От Красюкова А.Ю., кандидата технических наук, доцента кафедры ИЭМС МИЭТ — отзыв положительный. В качестве замечания к работе отнесено недостаточно подробное описание вопросов повышения скорости расчётов, а также экономии вычислительных мощностей, что являлось критерием выбора расчётов с помощью аналитических моделей. Также в автореферате недостаточно полно приведено сравнение результатов моделирования и измерений, в частности не показано влияние технологического разброса на измеряемые электрические характеристики.

5. От Гридчина В.А., профессора кафедры Полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета, доктора технических наук, заслуженного работника Высшей Школы и Калинина С.В., доцента кафедры Полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета — отзыв положительный. В качестве замечания по содержанию автореферата отмечено то, что практическую ценность работы желательно было указать явным образом.

6. От Медведева Н.М., кандидата технических наук, руководителя проектов АО «ВЗПП-Микрон» — отзыв положительный. Отмечено замечание: отсутствие вольт-амперных характеристик коллекторных переходов комплементарных биполярных транзисторов, с использованием которых могут быть построены интегральные диоды на основе p-n перехода и полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Отмечается небрежная неточность в терминологии на стр. 13, где надо писать или «тормозящее» легирование фосфором, или «тормозящая» имплантация фосфора.

7. От Турина В.О., кандидата физико-математических наук, доцента кафедры экспериментальной и теоретической физики Физико-математического факультета ФГБОУ ВО «ОГУ имени И.С. Тургенева» — отзыв положительный. В качестве замечания отмечается то, что в работе не рассмотрены вопросы создания SPICE моделей разрабатываемых интегральных элементов, а также их сочетание с методами приборно-технологического проектирования в одной программе.

8. От Елесина В.В., кандидата технических наук, доцента кафедры электроники (№3) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» — отзыв положительный. К недостаткам автореферата отнесено: отсутствие данных о минимальном коэффициенте шума спроектированных БТ, о состоянии моделей базовых элементов для САПР. Кроме того, не представлены прогнозные оценки показателей радиационной стойкости базовых элементов рассматриваемого технологического процесса, а также сравнение с зарубежными аналогами.

9. От Дворникова О.В., главного научного сотрудника ОАО «МНИПИ», доктора технических наук, доцента — отзыв положительный. В качестве недостатка отмечается отсутствие в автореферате данных о токовой зависимости статического коэффициента усиления тока, величине напряжения Эрли.

10. От Прокопенко Н.Н., заведующего кафедрой «Информационные системы и радиотехника» ДГТУ, заслуженного изобретателя Российской Федерации, заведующего Научно-исследовательской лабораторией проблем проектирования в экстремальной микроэлектронике ИППМ РАН и ДГТУ, профессора — отзыв положительный. К недостаткам автореферата отнесено отсутствие в нем результатов исследований показателя качества h₂₁*U_Э в зависимости от конструкции комплементарных биполярных транзисторов, а также режимов формирования исследуемых областей.

11. От Лебедева А.А., кандидата технических наук, доцента кафедры «Микро- и наноэлектроники» Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» — отзыв положительный. В качестве недостатка к автореферату отмечается то, что в нем не приведены значения емкостей для комплементарных биполярных транзисторов, что в значительной степени влияет на такие параметры аналоговых ИМС как скорость нарастания выходного напряжения, уровень гармонических искажений и другие.

12. От Толстолуцкого С.И., начальник сектора ФГУП «Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи», кандидата технических наук, доцента — отзыв положительный В качестве замечания к автореферату отмечено то, что в нём не представлены значения и зависимости для максимальной частоты генерации СВЧ комплементарных биполярных транзисторов, что является важным параметром при разработке целого класса СВЧ МИС.

13. От Новоселова А.Ю., кандидата технических наук, директора по маркетингу АО «ПКК «Миладр» — отзыв положительный.

14. От Машевича П.Р., кандидата технических наук, директора центра микроэлектроники – главного конструктора АО «Ангстрем» — отзыв положительный. В качестве недостатка автореферата выделено отсутствие зависимостей для динамических параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

15. От Стешенко В.Б., заместителя генерального конструктора по ЭКБ АО «РКС», кандидата технических наук, доцента и Строганова Д.А., начальника отделения «Дизайн – центр космических микроэлектронных систем» АО «РКС», кандидата технических наук — отзыв положительный. В качестве замечания отмечено то, что в работе не представлены результаты моделирования интегральных элементов исследуемого технологического процесса с учетом воздействий ионизирующих излучений, что возможно в современных системах приборно-технологического моделирования