Лабораторная работа 2: Лаб №2 - Полупроводниковые диоды. Исследование в Multisim (вариант 6) вариант 6

Цель работы: Получение и исследование статических и динамических характеристик германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов с целью определение по ним параметров модели полупроводниковых диодов, размещения моделей в базе данных программ схемотехнического анализа. Приобрести навыки в использовании базовых возможностей программ схемотехнического анализа, на примере программы Multisim, для исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов с последующим расчетом параметров модели полупроводникового диода. Приобретение навыков расчета моделей полупроводниковых приборов по данным, полученным в экспериментальных исследованиях и включение модели в базу компонентов
Эксперимент 1
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов с использованием одного мультиметра Задание: Собрать схемы, показанные на рисунках 1 и 2.
Эксперимент 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КЛАССИЧЕСКОГО МЕТОДА АНАЛИЗА
Построение вольтфарадной характеристики варикапа
Задание: Используя схему параллельного колебательного контура с подключенным к контуру полупроводникового диода в качестве переменной емкости построить зависимость резонансной частоты от напряжения управления и передать данные в программу MathCAD. По этим данным построить вольтфарадную характеристику полупроводникового диода. Для построения вольтфарадной характеристики необходимо собрать схему, представленную на рисунке 13.
Эксперимент 3
РАБОТА С ПРОГРАММОЙ MODEL ДЛЯ СОЗДАНИЯ МОДЕЛИ ДИОДА Задание: Запустить программу MODEL. Внести ранее рассчитанные параметры диода в поля программы. Создать файл модели диода для последующего внесения в базу данных Multisim.