Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Основы электроникиЛаб № 1 -Исследование полупроводникового диодаЛаб № 1 -Исследование полупроводникового диода
5,0052
2021-04-012021-04-01СтудИзба
Лабораторная работа 1: Лаб № 1 -Исследование полупроводникового диода
-82%
Описание
Работа №1
Исследование полупроводникового диода Цель: Провести моделирование лабораторных исследований статических и динамических характеристик полупроводникового диода с использованием программ схемотехнического для получения возможности расчёта параметров модели полупроводникового диода, Внести полученные параметры модели диода в базу данных программы схемотехнического моделирования и провести сравнение экспериментальных и расчетных данных.
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов
Задание 1
Для заданного варианта типа диода провести моделирование лабораторного стенда получения ВАХ диода в программе Microcap 9 как на прямой ветви, так и на обратной ветви по обоснованным для проведения эксперимента схемам. Подтвердить правильность выбора схем экспериментально изучив влияние сопротивлений измерительных приборов (милливольтметра и миллиамперметра, сопротивление которых может быть в пределах от 500 Ом до 50000 Ом и от 1 до 100 Ом соответственно) на получаемые данные. Дать пояснения результатам.
Выполнение работы. Часть 1 Необходимо получить ВАХ диода при прямом включении. Для этого строим цепь, приведённую на рис. 1.1. Здесь RmA – сопротивление миллиамперметра – должно быть очень маленьким, чтобы падение напряжения на нём было тоже очень малым. Сопротивление RmA будет только влиять на диапазон напряжения, которое будет в точке KT1. Сопротивление RmV – сопротивление милливольтметра - должно быть очень большим, чтобы доля электрического тока (а соответственно и его силы – IRmV) было очень малым, по сравнению с током, протекающем через диод. Напряжение на диоде показываем милливольтметр (т.к. подсоединен параллельно с этим диодом). Сила тока, протекающего через диод, вычисляется как разность сил тока, протекающих через миллиамперметр и через милливольтметр (т.к. милливольтметр подсоединен последовательно к милливольтметру и диоду).
Выполнение работы. Часть 2 Рассчитываем параметры диода (Is,Rs,N) с помощью МЕТОДА ДВУХ ТОЧЕК и блока GIVEN MINERR используя данные из Micro-Caр.
Исследование полупроводникового диода Цель: Провести моделирование лабораторных исследований статических и динамических характеристик полупроводникового диода с использованием программ схемотехнического для получения возможности расчёта параметров модели полупроводникового диода, Внести полученные параметры модели диода в базу данных программы схемотехнического моделирования и провести сравнение экспериментальных и расчетных данных.
Исследование ВАХ полупроводниковых диодов
Задание 1
Для заданного варианта типа диода провести моделирование лабораторного стенда получения ВАХ диода в программе Microcap 9 как на прямой ветви, так и на обратной ветви по обоснованным для проведения эксперимента схемам. Подтвердить правильность выбора схем экспериментально изучив влияние сопротивлений измерительных приборов (милливольтметра и миллиамперметра, сопротивление которых может быть в пределах от 500 Ом до 50000 Ом и от 1 до 100 Ом соответственно) на получаемые данные. Дать пояснения результатам.
Выполнение работы. Часть 1 Необходимо получить ВАХ диода при прямом включении. Для этого строим цепь, приведённую на рис. 1.1. Здесь RmA – сопротивление миллиамперметра – должно быть очень маленьким, чтобы падение напряжения на нём было тоже очень малым. Сопротивление RmA будет только влиять на диапазон напряжения, которое будет в точке KT1. Сопротивление RmV – сопротивление милливольтметра - должно быть очень большим, чтобы доля электрического тока (а соответственно и его силы – IRmV) было очень малым, по сравнению с током, протекающем через диод. Напряжение на диоде показываем милливольтметр (т.к. подсоединен параллельно с этим диодом). Сила тока, протекающего через диод, вычисляется как разность сил тока, протекающих через миллиамперметр и через милливольтметр (т.к. милливольтметр подсоединен последовательно к милливольтметру и диоду).
Выполнение работы. Часть 2 Рассчитываем параметры диода (Is,Rs,N) с помощью МЕТОДА ДВУХ ТОЧЕК и блока GIVEN MINERR используя данные из Micro-Caр.

Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
Семестр
Номер задания
Просмотров
36
Размер
1,37 Mb
Список файлов
Лаб № 1 -Исследование полупроводникового диода.pdf

Ваше удовлетворение является нашим приоритетом, если вы удовлетворены нами, пожалуйста, оставьте нам 5 ЗВЕЗД и позитивных комментариев. Спасибо большое!