Лк17 (975663), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Данный тип приборов создан в начале 1980-х гг, запатентован International Rectifier в 1983. Первые IGBT не получили распространения из-за врождённых пороков - медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е гг) и третье (современное) поколения IGBT в целом исправили эти пороки. IGBT сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
-
высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности - от транзисторов с изолированным затвором
-
низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии - от биполярных транзисторов.
Диапазон использования - от десятков А до 1200 А по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков А и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МДП-транзисторов, а не IGBT.