ЛК3 (975649), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Здесь Nс – эффективная плотность состояний в зоне проводимости или плотность квантовых состояний у дна зоны проводимости, которая в свою зависит от температуры.
| | (3.10) |
Если подставить численные значения универсальных констант, то получим:
| | (3.11) |
В частности для кремния:
| | (3.12) |
Функция распределения Ферми-Дирака для дырок имеет вид:
| | (3.4) |
Функция распределения Максвелла-Больцмана для дырок
| | (3.13) |
Для расчета общего количества свободных дырок выполним интегрирование по валентной зоне:
| | (3.14) |
Эффективные плотности состояний для валентной зоны:
| | (3.15) |
Для кремния
| | (3.16) |
Значения эффективной плотности состояний для основных полупроводниковых материалов при комнатной температуре представлены в следующей таблице.
| Параметр | Ge | Si | GaAs |
| | 1,04ּ1019 | 2,8ּ1019 | 4,7ּ1017 |
| | 6,1ּ1018 | 1,0ּ1019 | 7,0ּ1017 |
Графически концентрации электронов и дырок можно определить согласно рис. 3.6.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
