1629382528-e201d89ff59dd31db5be21dffcf9458a (846429), страница 78
Текст из файла (страница 78)
24.16. называемой коллектором К. Та- ким образом, эмиттер и коллектор кристаллических тРиодов аналогичны катоду и аноду электронной лампы соответственно. Изменяя потенциал управляющего электрода относительно эмнттера, можно измен<пь количество эииттируемых дырок н, а эхом смысле, ос<шизике и<расг роль уирзялюощего электрода. 1!алнчие в цени эми'псра иергмсиио<о изирюксиия вызывает пульсации гока э<ой испи.
1!ульсации соха амит<яра аычмиают значительные пульсации <ока в цени коллектора и, как следствие этого, усиленное нанряжение на сопро<ивленин нагРузки в цепи коллектора. Более широкие перснективы ирименения имеют плоскостные кристаллические триоды, имеющие три области с различными типами проводимости, связанные единой кристаллической решеткой. К этим областям присоединяются контакты, имеюц1ие сравнительно болыпую площадь. Промежуточный слой с проводимостью одного типа играет роль основания, а два других электрода с проводимостью другого типа -- эмиттера и коллектора. Точно так нсе, как и в случае ламповых триодов, различают три варианга усилительных схем с кристаллическими триодами: с общим ос<юиаиием, с общим эииттером и общим коллектором (рис.
24.17 а, б, в). Прн этом схема с общим основанием аналогична схеме с обшей сеткой„ схема с общим эмиттером — схеме с общим катодом и т. д. Однако между кристаллическими триодами и электронными лампами имеется н существенное различие. Если выходной ток обычных электронных лами является функцией напряжения на управляющей сетке и аноде, то выходной ток кристаллического триода зависит приложенного иттера в вначиоде кристзлли* х триодов прихарактеристик, х грш!<ических от тока эмиттера, являющегося функцией напряжения, между эмиттером и основанием.
Кроме того, ток эм тельной мере зависит от тока и наирюксинн па пых ческого триода. Поэтому ори расчесе кр<и <аллически ходится учитывать несколько взаимосю<заиимл ссмсясти что затрудняет ирс<исдепие тех или иных уиропи ииы в/ Рай<<<<« ггвв6сиогм 5ГМцвм гмвмслсдгм 4! р «лы«с .с<.".;и мОра<с Рис.
2457 'с.'.' ивы<чин рагчг<а. !!ниболее удобным в данном случае являешься 1лса йони<с!1 яыии могол, базирукяцийся на представлении схемы «.,.:."г- з)1«сус««.еи<с<сч<ич <риалом в виде активного четырехнолюсника д <с<<в<чг<я г<л1н <л« ила .. й 5«4гу< 4((<нмя)л<в 'анализа некоторых конкретных схем усилит<йд<уй.' 111<с<«я!<с)я<<лис<ай а настоящей главе анализ основных схем заик<<яма! ')~О<!<<гг«рисй имея достаточно общий характер, позволяет <)Жя414ьгяб!<<ля<5<1<э!« с аааиые свойства схем с общим катодом, общей 'лгусгйб<й','й'< '<бил<1<и аисщом и применить выведенные соотношения к люйыи «ий<чй '«нег<1<ми как резонансного, так и анериодического харак- <'.:1.< В гн<з глт<<няч„<согда существенну<о роль играют мехсдуэлек<рсшш<".
ич<й««,и, выученные выше ссютношення нознолню< леско <ч «. ню <и к «дмих ириборов (ламп, кристаллов). Проиллюстрируем <ы< и,ч- «ирис<и иримерзми. 1'а< .чы!щя «уи«иь резонансного усилителя высокой частоты и':им<1<ли«<и«иным иключеиием контура в цепь анода (рис. 24.1, а).
11ог<;:: ьь<. < и ь мы имеем схему с обо<им катодом, воспользуемся :«н <п<р„:«' и иич яо«Ян(<ициента усиления выражением (24.7). Обычно и<м н«<"<ч<, ««<ос<< яви<оды, нримеияемые в таких усилителях, яме<от ;Ф::; й 24,7! ниимвгы анализа конкгвтных схим гоилитвлий 457 458 [гл. 24 АНЛЛИЗ РСИЛИ')ЕЛЬНЯХ СХЕМ ! 8, 8, та У ~ У а )- 1, 8~~а У Тогдз — ~ле Я Н!(~е ! Ла) аг) О„' 8Д„ 1'1 / ! 1 ! ! ! ! е)еа —— 1 ъ„( та Спер~иее' малые значения ме)кдуэлектродных емкостей н сравнительно больюое внутреннее сопротиилеиие.
В этих условиях можно считать Знак минус указывает на наличие сдвига фаз в 180" между входным и выходным напряжениями. Лля частот радиовегцательного диапавона крутизна лами вюцсс)ис!ию. В э)ом случае, используя выра)хсиие для энииизлю))ио)и юици))ии.и иия иараллсльио)о кои!ура И Н)ДС У "'4 Р)",) е 2ли где у= — — относительная расстройка„ Я вЂ” добротность, получим е)а модуль и фаау. коэффициента усиления ! Й ~ = —..
'.,Р'.=' —., э = агс18 ( — Яу). )~4 РЕЗ 1' 1-Н(и))у)э Таким образом, полоса проиускания усилителя, амгнпггудная и фазовая характеристики его будут такими же, как и в случае одиночного кои)ура, о!личаясь только мас!и)лбом. Если кс учи!ыил!ь между )лсь)~)4)ли!ие ем! кисп! и еуигирую!цее хей)г )ае 1)и с!ти)е пробора, являюииегося и, ! нагрузкой усилителя, то выражение для л)изменится. В частности, уч!итывая только емкость С и поРис, 2488.
лягая внутреннее сопротив- ление лампы сравнимым с сопротивлением нагрузки (в связи с чем уже нельзя пренебрегать ! нроводимостями У໠— — — - и 1'аа = !а)Саа), иол) чим: ! ,. «лсе — )18)ес +" — Сах е~" А=- —— -ах * 1 1 . ! аее)» 1 е .е * — — + -+у.с„ ,'-.--Д-Л- !+ е)С)), ае К ) 24+ й!/ Легко видет!ч что амплитудная и фазовая характеристики усилительной ступени будут отличаться от аналогичных характеристик нагрузки. Пля усилителя низкой частоты на сопротивлешиях, собранного по схеме с обидев сеткой (рис. 24.18), можно воспользоваться выра.
Э 24.71 нр!)меры лиьлиаь конкретных схзм рсилителей женнем (24.17). Если считать емкое)и С„л и Сал достаточно малыми йолучим: . Иэ посл)диего сыра к! Иия ииеню, ч)о ими)и!1 лиля и 1~ л ниюя тарзи терис)ики о!8)сл)ля)4))ги и )ни))ии)!и ха1и)к)4.'1нн'[и) ° )ми и)и ~!у:и)!4 В СОСГаа КО)ОРОН ИХОДЯ) КаК ИСРСХОЛИаи СМКОС!Ь Саар, )аК И ВХОД НаЯ ЕМКОС!Ь ИОСЛЕДУЮИ)ЕИ СТУПЕНИ Сюг ЕСЛИ жс УЧЕСГЬ, НаИРНМЕР междуэлектродную емкость С, формула для л примет внд и амплитудная, и фазоиая харак)срис)ики с!уцени буду) огли югься от характеристик нагрузки При пользовании иыие)чинными и изс )ояицсд главе формулами необходимо, конечно, иметь и аиду, что оии дая)1 значения коэффи:м!::;::.".-'. Ииента усиления, полученные и иредполоя!енин, ч го сложная — нагрузка может быть представ- С, лона некии диухполюсником, !и)лключгишич к геи или иным 6' )га )1 .
Ча 14 )ЕЕИ ! !И)Л,!Е! .)ЛИПЫ, И ИЫХОЛИЫМ и)ица! а "ии. а яи,)ю 1)'я наири ,'ф чин)а иэ .) 1им 1иут)О1 )ич ии) 1' 1',! 1!)и)'..1)д !)))Е ьс ю ир)4). ) !'ю '! 1ч чи1) 4 У)111!ы))а)э .Йи1И )Н)иихч 1)чи)е)еи !и,)эе!)ФЕи,".' 1)е()и-фе)1)иии 'еи)м) )и1ы аиеа!лу 1')уи)'изми, иаиряжеи)м, эя4з$' 'Фарид)!)!))11)л)и!!' (1„!. и!)!!)рые) ноль)И)ча)и нагрузка и вы- " )и) в, з!)ев)!1()ри4!))!)1));1)иэи!) к!!' у им иг будут с!июадать (рис. ф!.;,', ) ' Хф.1че,'!'.
$1),:ЧИИ)Й )РГ'иам и ФОРМУЛУ ЛЛЛ! аниффнвнеита УСИЛЕНИЯ НЕ.)))т))яеиц())ьиирчти! ив!)г)и го! иии) !ими к))444)И1ици!снт передачи, учиты- 4)а))е))ие!Т !1:41)-;.,'иа)аи)иг и их))ли!41 емюю)и. Так, в частности, для экви1)ечли)и н иес)рнии у).иии)4)ля ил соироп!илим!иях (рис. 24.19) при 1*.иии)ц 1.;,) ';:: !)еа и К! '. 1))а иилУ !Ичтса следУющес выРажсиие длЯ 1 ))тая!ир1ееил)и аи )ффициси)а усилии!ия) й 24.7» примвры Анализа конкрвтных схим Усилитвлвй 461 !гл,' 24 460 АнАлиз усилйтйльных схим Модуль вгого коэффициента усиления, определяющий амплитудную ха! ак~српстику ступени, будет." Я~в л(в)= —— ~- ~--=И а фаза гу(в) =асс!й~ — ~мтв — — - !1.
чвв т Очевидно, на частоте, удовлетворяющей условию ! олв — — -=О, оЛ„ усиление будет максимальным н ~р(м) = О. Эта часгога вв иногда начывается частотой «квазирезонапса». !!а рис. 24.20 показаны примерные амплитудная и фазовая характеристики такой усилительной ступени. Для высоких частот ! й ЯНФ мвчв ~Ь вЂ” и кв= ! авва + у~вввв г. с. Можно счгыать, что частотная и фазозая характеристики стуш пи иочги полпосгьи~ определяются зпачениел1 постоянной времени ею чм гыш шагияна ьк ~ог чч,. Лнало~ ичпым образом для низких частот указанные харак~срг1сгики повшкгьв~ гшрсдслгпогся поггошшой ирсмени схемы !тьр для низких частот.
В ре- 1' ' ""' ! зультате резко снижается коэффициент усиления для частот, имеющих значения (рггв! много нике и выше чв- „,К стоты квазирезонапса. Это г объясняется тем„ что на боь Рис. 24.20. лее низких частотах шун- тирующим влиянием емкости С„„можно пренебречь и основную роль играет падение напряжсшш г~а переходной емкости Ср,р, возрастакхцее с пониигением частоты, а пз более высоких частотах можно пренебречь падением напряжения на переходной емкости Св,р, н основную роль играет шунтируюшее действие входной емкосвтг1 следующей ступени. В связи с рззвитием телевидения и радиолокации большое значение имеют вопросы усиления импульсных радиосигналов. В первом приближении эти вопросы решаются методзми спектрального анализа. Определив ширину реального спектра импульсного сигнала, добиваются, чтобы в пределах этой полосы частот усилительная ступень обеспечивала равномерное усиление всех частотных компо нент.
С ' этой точки арения импульсный усилитель должен быть широкополосным усилителем и обладать соогветствующей характеристикой. Для этой цели в схему апериолического усилителя вводят дополнительные реактивности, коррск1ирукнцие влияние емкоСтей схемы и лзмп в широкой пологе ~асадом !'асчет амплитудной и фазовой характеристик таких усилителей можно пронзводичь, лвИ польауясь формулами пас1ояшсй главы. Однако выяснение более топких вопросов, связанных с искажением фронта нарастания импульса, '!! 'ф.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
