Справочник Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Э.Т. Романычева (560567), страница 34
Текст из файла (страница 34)
Выводы длиной более 3 мм закрепляют точками клея иа основе эпоксидно-диановых смол ЭД-20, ЭД-)6. Вд. Тоаоаогические чертежи гибрияимт иитеграаьиык микро«кем Чертеж, определяющий взаимное расположение всех элементов микросхемы и их соедиггеггие на плате (подложке) согласно принципиальной электрической схеме с учетом технологии изготовления, называют топологяческим. На рис. 8.2 — 8.4 приведены примергя топологических чертежей толстопленочной гибридной микросхемы.
Как правило, топологические чертежи выполняют на нескольких листах: на первом (или первом и втором при наличии элементов на двух сторонах платы) — изображение подложки со всеми нанесенными на нее слоями (элемвнты соединения, контактные площадки и т.
п.), на последующих — изображение слоев (отдельиый чертеж на каждый слой). По топологическим чертежам изготовляют маски или фотоцгаблоны для получения соответст. вующих пленочных элементов. На первом (первом и втором) листе указывают позиционные обозначения изображенных элементов в соответствии с электрической схемой и номера контактных площадок. Начало нумерации периферийных контактных площадок предпочтительно начинать с левого нижнего угла в направлении против часовой стрелки. Внутренние площадки, предназначенные для контроля, нумерукл дальнейшими порядковыми номерами сверху вниз в направле. нин слева направо.
Размеры элементов и пх расположение задают методом координат, как показано на рнс. 8.5, либо с указанием значений в таблице по форме, приведенной на рнс. 8.6 (таблица размеров слоя, изображенного на рис. 8.4). В таблицу вносят размеры положения всех вершин элементов. Нумерацию в пределах каждого элемента начинают с крайнея леной нижней вершнньг, имеющей наименьшее значение координаты х, и продолжают по часовой стрвчке; иумерапшо вершин элемеи- ввр х к о к с О С о.. кд а 'д ~ь Ь Ьк~ ~о(п Яп Ю ~ о$ко ~тК ФЪ .~к О 'с р ф о '"Н Я Й я, къо фк .' ь-~ьф к како~ ~оЗЯ„ ~ъ'4 коа~ ЯкФ " О. 'с оо гс Ю оо 'Ъ ф ф 3 . "'с, Ьо~6 ф ~ ъ'~~ о 'ОВ ь ~ 3 С, Ь ао~ оЗ ао~ $о к О ;«фо а ~~г ~ ~а к4о Ф Ъ'а, ок к ОКА къ макк '~ ц к ~~ 1 г о~ ък Окало Ка .к з ~ а4 к ~с ж П О.
О О о = О 'О. 'о в о а о Ф а- О о О— о О к О О 1 а 2 о о $ %"=, О оа ,, О О У >, Я о о о к о а а а г ! ! Рпс. о 3. Тополог. ~вский черте к толстонленочной гибридной интегральной чвк- ростсны (впд сзади],лпст 2 Рнс. 8.4. Топологнческий чертеж толстонленочной гибридной интегральной чикросхевм (ввд на слОЙ), лист 3 2Т( Рис. 8.5. Способ нростановкн размеров элементов на топологпческом чертеже ч72 Рнс. 8.6. Таблица координат к тонологическому чертежа Таблица 8.2 Основные конструкторские требования и технологические ограничении изготовления толстопленочиых гибридных интегральных микросхем Обозна. кение Размер, ии Треб гиаигг иан ограниаеиие 0,5 Минимальное расстояние от кран плзтьг до кран отперсыгя О,! Минимальное расстояние от пленочного элемента до края платы 0,4 Минимальное расстояние ме>кду пленочными элементами в разных слоях Мимннальный размер резистора н его расположение относительно проводников 0,8 0,8 0.2 Минимальные размеры нэаим.
ного расположения слоев кон- денсатора 0,2 0,8 Минимальнаи ширина проводника н зависимости от тока, А: 6,0 3,0 2,0 1,0 О,З Минимальная ширина при пайке к проводнику гибких выво. дои компонентов 1,0 0,80 0,60 Ь 0,80 0,15 0,4 11родольеенш табл. Л .". Рисун к 0,0.'0 4 0,4 Г'.1 0.4' 1.0 н Ь 0,6, 0,1, 0,6 0.!1 ~ 0„6 1.2 и г 0.26 О,! пэ эу Требование нлн граньченн Ээгшниэльиыа размеры кон. тактных площадок для монтажа активных элементов с гибким ныподом и проволочных перемычек методом пайки: 3) прн ручном моптажш для одного аыводз для двух выводов для трех выводов 6] при зичомэтнэировэииом монтаже: для одного вывода для двух выводов для трех выводов Размеры контактных пчощадок и расстояния между ними для монтажа актияных элементов с жесткими выводамн при шэ.
ге нынааов 0,35 мм Орнентпрггвочные размеры контактных пчощэдок. вынодон и отнерствй для ряда конструкпий микросхем Размеры контактных плопгадок для монтажа компонентов-кон гГенсаторои определяют ич чэ. нисимостей: Ел Вжат - 0,4 мм, Е, =- Е„,1г, — 0,2 ММ, Е, 226> В нзх,-0.4 лги, где Вч ш и 1,„„, —. минималь- ная и максимальная длина конденсатора; Вм, †. макси- мальная ширина конденсаторж Обозна Рюнеэ. чен!н ~ ми Обоааа- чаяаа Размер, Рисунок 0,5 0,2 1.0 о,й 3,0 (реко- мендует.
гя 2,51 1,0 еазгэмгаглэгд ац эаал йагаэа гпаампгааагл Г леалогааю глггкиаэо 1э, 1-- размеры контактных площадок; Е, — расстояние между контактными площалками Мзксимальпяя шпрннь проре. зей Минимальное расстояние межлу прорезями 1 Минимальное расстояние от ! края контактной пгюошдкн ло : 1э 1га.о Минимальное рзсстоячнс оэ ! 1)дя зьэивного элемента ао края платы Миянмальнос расстоянн. от луженого пленочного элеэенэа ло краи компонента Миинмаэщное расстояние от кран активного злементз ло контактной площадки, к которой припанвается вывод этого элемента Максимальная длина гибкого вывода активного элемента до точки коитактирования без лополнитсльного креплении Минимальное расстояние меэкду контактной площадкой компонента-конденсатора и активным элементом Расположение гехнологических знаков для определения места приклейки компонента с гибкими выводами Окончание табл, о.2 зрй'и'гггхзйак Тагана й ; а к.'/7 Таты ааа Рис.
8.7. Топологический чертеж тонкопленочной гибридной интегральной иикро- скеиы тов в пределах слоя — с нижнего левого элемента с переходом к следующему ближнему по направлению снизу вверх и слева направо. На рис. 8.4 каждому элементу присвоено буквенное обозначение. Левый нижний угол пленочного элемента обозначен 1, остальные углы нумеруются по часовой стрелке с обозначением некоторых промежуточных углов (при необходимостт1). На первом листе топологического чертежа помещают таблицу с расшифровкой штриховки, применяемой для обозначения соответствующих слоев (табл.
! на рис. 8.2 и 8,7); таблицы с электрическими характеристиками и данньии по изготовлению отй76 У лоп- нор гдп мане- пег Напиенпдпипе глт ипат*- копание мпанп 0( (аппп Р( 9710 ЕЛ ЦД ерш гоп ии шк тонар ьппмь ьп ПППП '1рп Поп конга . .го чадна тонины ~ ьа нижняя пднпптт нпнденг. 0'„:;глш нагаре Ькп'91 У г гонор ГУ11-76 . 'и' трои гн' кпньйи , Ппг Л99 бго-79 ергняп пдплад а нпндеиг. иод-пх ь опттппгг губ-1ь- иегпгпонн пышны гл.а Фопьо— ьрптпп Г'Роьмеры дп1 гпрадон.
7 йпеменп1ы д глотг дьипппня по га иоплгьттьм. продев денным 4 тполааои на гоптдеть тдуюпбнг лп тон. Нппрдпнтпеи доиь1 0 маги(тоде пеьп1етт У.дпоо(одь напыления оплота Одина, топо(пна напыления 0п... 0 дмкн. О Юешипп" дпд платы далтон гпатдетгтдодать тредодпнаям пнгтрунцап АбдГХХХХХ.Г.,ЮУ. 5Харпнтерпгтпип о(оде,пьньгг ггпедп 6. делппань еииогтед нонднигаптло0 до дпдтпо донным, укаоониыге 0 табл 5. 7Номгра контактною плон(кдаи и поори покараны углодна и гоотдетгтдуют г кпй прань(пппольноп" А00ГХХХХХХ.
ддгг дельных слоев ~табл. 2 на рис. 8.2 н табл. 2,3 на рис. 8.7); размеры таблиц не оговариваются„допускается введение в таблицу дополнительиыл граф. На топологнческих чертежах (см. рис. 8.2, 8.7) записывают технические требования следующего содержания: специальные требования к изготовлению подложки; указания о материалах-заменителях; требования к выполнению параметров элементов, в том числе ссыл. ка на соответствую~дне. таблицы координат, указание точности выпол. кения размеров элементов и т. и., ,зр дммдмм ФВ ВВ ВВ /Л7 т Рнс. 8Л. Размеры нодлолгек нлн 1.б- ранной ннтегрнзнной мннргн хеггн1 Рнг.
8.9. Размеры нхат нлн гнйрнд- ной ннтегралнной микросхемы данные о площади нанесения драгоценных мета,алов; требования к внешнему виду; характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев или элементов, которые должны быть сведены в таблицу; данные и указания по проверке параметров элементов; указание о том, что обозначение контактных площадок и элементов является условным. Рекомендуемые отраслевыми стандартами размеры подложек и плат для пленочных ИС даны на рнс. 8.8 и 8.9. Разработке топологических чертежей предшествует выполнение эскиза топологии на миллиметровой бумаге в масштабах 5:1; 1О:1; 20:1; 50:! и других, кратных 10. При разработке эскиза топологии необходимо соблюдать технологические требования н ограничения, рассмотренные в дальнейшем. 8.3. Толологннеснне мертемгм толстолленонмын микросхем В .табл. 8.2 даны основные конструкторские и технологические ограничения, которые следует учитывать ири разработке и оформлении гопологических чертежей толстапленочпых микросхем, изготовленных методом сеткографии 1ггоследовательным нанесением на подложку различных по составу паст с их последующей термической обработкой).
Пример топологического чертежа толстопленочной микросхемы показг!и на рнс 8.2. .па $.4. топонегинесиие чертежи тонкопленочных микросхем В табл, 8.3 даны основные конструкторские требования и техноло. гические ограничения, которые должны быть учтены нри разработке и оформлении топологических чертежей тонкопленочных микросхем, изготовленных следующими методами вакуумного напыления: масочным (М), фотолитографическим (Ф), совмещенным масочным и фотолитографическим (МФ), основанным на тантале, и электронно-ионным (ЗИ). Пример тополопгчсскггго чертежа тонкопленочной микросхемы нрнведен на рис.
8.7. Таблица кЗ Основные конструкторские требования и технологические ограни'гения изготоиленнн тонкопленочных гибридных интегральных микросхем Рввмер.нки Способы о в о трвбонввве ввв грвнннвгн г Рвстяон ор в 400 200 500 200 500 Минимальное расстояние от пленочных элементов до края платы Яб 100 50 200 100 300 Минимальное рвс- стояние между влево гпымн влс- ментами, располо- жсниымп в одном слое Минимальная шп. рина пленочныт проводников 50 100 50 Ь 100 100 Минимальные раз меры резпсторо«. спирина длина 100 100 150 300 в 100 1 300 !00 :300 50 100 в !500 150 50 100 Мииималыюе рас.
стояние между ре- .внстииными учлет. камн Максимальнаи длиаа резистив. ных участкои 10 Размер, м«н Способы трсбсааняг нл« Ограни >сш:с Рас>«« «> с х 200 1ОО 200 300 200 100 100 600 350 г Ь 1 с б 2,5 1ОООХ400 400 Х Х 400 лаки и Ли«или и>шли«- или>и> ши>7 Ь ь Згрыии и>сил ьиы и гиии Сов пшшение р перов пленоянык конденсаторов (приведены миня мально допуст»- мыс размеры) Соотношения рсмеров коптактн, " площадок для прнпайкн комп.>- нентов с шар> «о. вымя н столба .свымн выводамн и их расположения относительно пле.
ночныл эломеьттн (приведены минимальные размеры) Шаг распело>не. ш>я н миннмал; ные размеры и, рнфернйныз контакт ныл плошал» Соотношения р' змеров изоляцп~, разделяющей пс. ресекающиеся про. волннки (приведены минимальные размеры) 3коняание табл. 5.3 025 ~ 1250; 2500 и кратный ЗОО х ЗОО 200х200 50 (по периметру) аав Оформление сборочных чертовая тнбрнднык ннтетрапънык мнкроскем, содержащ::х бескорпусные апентрораднотпементы На рис. 8.10 и 8.11 приведены чертеж гибридной микросхемы без корпуса и спецификация к нему. Кроме пленочных элементов микросхема содержит электрорадпоэлсыепты (ЭРЭ), имеющие самостоятельное конструктивное оформление (транзисторы Ч! ...
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
