Справочник Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Э.Т. Романычева (560567), страница 36
Текст из файла (страница 36)
2ТЗЗЗЕ, КТЗ59А ... КТ3598 (а); упрощенное иэображение в плане (б) Таблица 8.12 (к рнс. 8.16) размеры, мам, не менее Выводы Ган С В Н 0,75 0,75 !80 0,34 Э К! 200 0,0!О 0,75 0,34 80 Э К! 0,75 200 0,0!О 292 2ТЗЗЗЕ КТЗ59А .. КТ359В Габаритные раз меры, мм, не более 350 200 350 200 а ы Я а их о хио и о '" " о х о и "л е но о лн х о о о ээнэи эн ии и»и 'р о э 2 и е л со ОЭ М Фэ, Ю 66 с'л И Б х~ ОО ООО Ф ,ФЛ и 'ол и' ХФ- Ф о эх хол и Ф.
еэ "о л «» !Еол е ;, Фе о о. э'о х о» ~ Ээеор эн л 'ее*Ох ннаонелэЛ ли»иоан о о л о н о о н и Р нэнни эн *юе 'ееоаха еднлеп елээи ОИ еэ»ибо» ло э|лино»лэнд и О о х ик о О к Р ио хи Ф Р ох и оо и и е о оо »и и оо ФФ х хс =о х о в. х во х х ои о х в'э о в си эанаи *н 'хх ! й:- и * э с ос х хи ос х о и— х эд в.| с х сэ— х си с эх в 'х в~ с~ хс3 х ~ и св в' О О хсэ хх с х( 3 . х с. вэ ( х -Я ~сэ с с вх хэй[ = — М эс ааиор аи э в»авив ниионввэХ *нвиовн сваи ан ии ' Новхв вриавн ивэхв ос вэвпоои ао аннновээво июв 'р Я х х о х в х. х,х о о оо х х хо о э и Ф О о к с о й О.
Ю о М ~й о о и а о ж ж Ф ц>а о ~Ъ Ю й О '" Ф Е М ы~ о" ~ й о д й М М й $" п а х О В й О". 'ин ' оЮ вэ т~ ~о Бо хи ко зз к к о но к е о' о ~о О- кй% з1 о "о к к кок с о с со осз к 3' кс.З о оС~ % к к о. а -зз О о,' ~ сз з ос~ оз С. оз оз ззноо зн з 'еэзнн1 ~ нмзонеззз знзнбзн нк "о» н зоо н юк оо и о о н к оо но о н оо а~ з н н ° оо зз Ф аг Рпс. 8,21. Изображение и установка диодов КД102А, КД102Б, 2Д!02А, 2Д102Б, КД!ОЗА, КД!ОЗБ, 2Д103А !о); упрощенное изображение в плане (б) Таблица 8.!7 1к рис. 8.21) Габарнтные размеры, мм пе более Варнант уетаноеки Мааса, г.
не более г, мм, пе менее 2,0' 2,7 0,1 3,2 10,0 2,8 2Д103А Прк пайке к металлической детали площадью не менее 7 ммд КД! 02А КД102Б 2Д102А 2Д102Б КД103А КЛ10ЗБ Расстокане от корпуса до места изгиба вывода, мм, не менее аанон ан 'д 'васе~В ннеонвван аненвев во с со си с во в с ос» нос с с» Ф с с во с и с е» О о. навои ан 'ии 'евовив вонзен вааавв он еавнвон во аннноаааев ини 'Р в в о о о в с в о.
о э в С в —: ООО сОВ С. с. в и вв . О в с во в д„вв св в. с~ О. и Й.'о 'в о в с а в' ив -и с в н о и о и о с в. о о и аанэи ан 'ии '~ о о о ис о о о о о о с вв оо с Во ар Таблица 839 (к рис. 8.231 Размеры, мм, не менее Габаритные размеры. мм, не более Масса, г. не более Вариант устанонкн тно с и ~ о ( 0,0008 3,6 О,З 0.35 0.35 С2-!2 0,8 0,0016 0,5 !г! 2,6 ) О,З 0,0004 0.80 3.6 , ОА5 1,2 1,0 5,2 ~ 0,5 0,0015 1.00 ! 6.2 / Зал А й ж Рнс. 8.24. Изображение и установка конлснсаторов К!0-9, К!0-17-1В, К22.2А„ КЗ(К-2А, КААК-ЗА (а]; упроше,п;ое изображение в плане (б) 299 Рис. 8.23. Изображение и установка резисторов С2-12, СЗ-3 (а); упрошенное изображение в плане (б) габаритное раз- меры,мм, не более а о Тнп автоматианрованной пайкой" В! и: 1О 1! 1,2 1,5 0,8 2,7 0,2 1,0 1,6 2,2 О,З 150 0,8 К! 0-9 1Х 500 600 800 1,0 4,4 0,5 200 1,6 0,8 7,0 1,0 1,0 1,6 З,О 10,0 1,4 0,2 2,0 2,5 0,8 1,9 3,2 0,4 800 !Х К10-17-1и 40 08 4,7 1,2 6,2 0,5 1,0 2,0 8,9 6,8 К22-2А 6,2 2, 1, КМК-2А 6,0 5,2 КМК-ЗА 2,0 3,0 1,2 1,5 2,0 З,О о 1,5 2,0 1, 1, 2, 1, 1, 2, В тонкопленочной технологии.
В тонко и толстоалеиочной технологии. Та б л и и а 8.20 (и рис. 8.241 размер контактной площадки ка плате, мкм, ие менее прн монтаже компонентов сваркой' пайкой": Рис. 8.25. Изображение и установка конденсаторов К(0-27 двух- и трех- секционных (а); упро. щенное изображение в плане (б) Рис.
8.26. Изображение и установка конденсаторов К !0-27 пятисекционных (а); упрощенное изображение в плане (б) 301 Таблица 8.21 (к рис. 8.25, 8.26) размер контактной пло- щадки иа плате, мкм, не менее Габаритные размерм, мм, не более с и х Ф о н м прн монтаже хомпояентоа ткс автоматнзнросваркой' пайкой'* ванной пайной** п ~ пз и пз 0,10 1,0 К10-27 двух- и трехсекциоиные (рис, 8.25), вариант А 4,5 1,2 0.15 1,0 6,0 0,20 1,2 0,8 200 250 300 400 600 оОО 40 "! 0,30 6,0 1,0 0,20 7.0 7,0 6,0 Пятисекционные 1рпс. 8.26), вариант А 1,2 0,30 7,0 В сонкопаеносной технолотнн В ~окко- н толстаплеиосной технолатнн Глава 9. Чертежи полупроводниковых интегральных микросхем 9.1.
Понятие о конструкции нонтнроводнимовык интетрввьнык нинроскны Разработка и оформление чертежей на полупроводникову10 микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверх. ности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показа. иа последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы иа бцполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают: 1) полпрование и очистку кремниевой пластины р-типа — основы будущей интегральной схемы (рис.
9.1, а); 2) диффузию примеси для получения скрытого слоя транзисторов (рис. Г.!, б); 302 1(гноолая ллоглуно нрютя г нрьггоьгй глод алан)онгиаоьяьгй олой ьуолленлгораая оолао ль Ро.Релолгельяоя оологгоь гз Жазоггая о лаол Змилнлелнил оолаопь хуохлеенгполнгнй нонглонгп и п пз лу таллозиройанньгй про гтоггнин и' Дион Региглгор Трлн зиггпор Рис. 9д. Последовательность технологических оперений изготовления типичной интегральной полупроводниковой микросхемы (для упрогдения рисунка слой оксида ие показан) 3) наращивание эпитаксиального слоя ( слоя кремния и-типа проводимости) (рис. 9.1, в); 4) наращивание поверх эпитаксиального слоя пленки диоксида кремния (510з) — изоляционного слоя, выполняющего две задачи: защиту поверхности полупроводника и термостойкое маскирование при диффузии (для упрощения рисунка- слой оксида не показан); 5) создание разделительной диффузии для получения изолированных локальных областей (рис.
9.1, г); 6) диффузию примеси для получения базовых областей транзисторов, анодных областей диодов и диффузионных резисторов (рис. 9.1, д); 7) диффузию примеси для получения эмиттерных областей транзисторов, конденсаторов и участков для создания контактов к коллекторным областям (рис. 9.1, е); 303 8) вытравливание окон в поверхностном слое для проведения операций диффузии и соединения тонких металлических пленок с контактами; 9) нанесение слоя металлизации для получения тонкопленочных металлических соединений между элементами схемы (рис.
9.1, яг); !О) пассивацию кристалла с освобождением от оксида мест для резки его скрайбированием (для упрощения рисунка слой оксида не показан). При этом используются методы диффузии и фотолитографии С помощью диффузии создаются объемные структуры э4ементов. Фотолитография позволяет получать необходимую конфигурацию этих структур в плоскости. На рис. 9.2 показано, как формируртся маска требуемой конфигурации, сквозь окна которой примеси дйффундируют в полупроводник для создания соответствующих областей будущих элементов )резисторов, транзисторов и др.). На поверхность маскирующей пленки, покйывающей 1юлупроводипк, наносят слой фоторезиста, который обладает кпслотостойкостыо и чувствительностью и излучениям.
Через специальный стеклянный негатив (фотошаблои) с изображением рисунка соответствующих областей элементов (рис. 9.3) фоторезнст засвечивается. Незакрытые фото- шаблоном участки фоторезиста изменяют свои свойства под действием излучения. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют. В ретультате создается маска, повторяющая рисунок фотошаблона и позволяющая снять маскирующий слой с открытых участков поверхности полупроводника. Для полного технологического цикла обработки пластины требуется несколько фотошаблоиов. Из-за очень малых размеров полупроводниковой микросхемы !иногда порядка ! ммн) на одной крем- суд> птбоптеппнпто едоо аппо сдол30~3е' оепзо бо ~юпуппододоою, Желоаено Рис.
9ХЬ Процесс фотолитографии: н — ткспаниранннин: 6 — после абрнааткн фатаразнстн Рнс. 9,3. Фотошабнон 304 Крпгтолл рпннеро. б25 «рпгогоилод 7'7 Рнс. 9пь Зависимость количества кристаллов на одной пластине от ик размеров яргг толп рон еоон ООО р г рнлод 725 7,77 нргггталл рогяерон 275 нротоаллод 75 45 и оттетт дннттерпт 2 одпагтн нонп гтт и. яя ятп77неп Нз нтнп дамдол одлагпт даполгг7 нтнпаят ,р', л Г .'.зя р, нонн ентароноя облаем Нагого а ргы лателнноя пропето бнрнгтагй гота Рнс. 9,5 Поперечное сечение типового транзистора (для упрощения рисунка слой оксида не показагй рояле трясло ноля тт Ронделотелппля Яолленнтрная 7 зтгг тернао балабол обрагто ' обнпгтн , р и+ р' р' р ня'нтт - г-те о Ддбонгад НРЕН7ГОП Нренноо' р-тело и нрн той гоаб Не лаппо томдонтт гградобнг но Рис.
9.6. Структура и геометрия типового транзистора ниевой пластине диаметром 40 ...80 мм изготовляется одновременно несколько сотен (групповой метод изготовления) одинаковых микро. схем (рис. 9.4). Поэтому фотошаблон готовят для всей площади кремниевой пластины. Повторение рисунков на ием осуществляется мультиплицированием.
Все элементы полупроводниковой микросхемы создаются на транзисторной структуре. В транзисторе используются все области: кол- зва ааэодад облагаю Раплентар гддакгид зретгип Раздепителоноп и логто долпептоопьгй нантант нрениай и-тапа нр 'тгии р-тип» епюплидиродоннээе лрадэд мги ,Щонсзд гэо лоя Ра Иепотелзнол обпаг по дпзпдоп пбпигтп гэ Крезтод л-тило Налленпдрнал одтгли Рреннии ритино Металлизирпд тие лрпдазггинп Рис. 9.8. Структура и геометрия резистора ~Ьитприноп одэ огиз к нреннит п-типа дбнпабнп з анд."изотопа Раздели яелонол аблаева Иетоллизиродо нт лрпдтднитг 306 дбюигенд наиоепгатпро здфадгид нде гнтг Рис. 9.7.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
