Справочник Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Э.Т. Романычева (560567), страница 35
Текст из файла (страница 35)
Ч4) и устанавливаемые на микросхему по сборов.ому чертежу. При оформлении сборочного чертежа следует руководствоваться стандартами ЕСКД, а также материалами настоящего параграфа и ТУ на ЭРЭ. Согласно ОСТ 4 ГО.070.004 к ЭРЭ относятся конструктивно-завершенные и изготовляемые в производственных условиях изделия электронной техники и электротехники, функции которых могут реализоваться только в электрических цепях различных устройств. Имеются в виду ЭРЭ, разрабатываемые на базе комплексной миниатюризации. Отраслевой стаидар" содержит требования к их конструкции.
Формы ЭРЭ (в плане), устанавливаемые совместно с микросхемами на ПП, имеют прямоугольную, квадратную или круглую форму, а их размеры должны соотп гстновать размерам корпусов микросхем по ГОСТ 1?467 — ?9. Прсдпо.|нтельныс высоты корпусов ЭРЭ: 2,5; 5; 7,5 мм. Расстояния между оьгводамп ЭРЭ должны соответствовать шагу координатной сет; и по ГОСТ 10317 — 79 Диаметр штыревых выводов от 0,3 до 0,5 мм. Сечения штыревых прямоугольных и квадратных выводов должны быть в пределах Описанной окружности диаметром от 0,4 до 0,6 мм. Размеры г,лоских планариых выводов: ширина — 0,3... ...0,5 мм; толщина 0,1 ...
0,2 мм. Все ЭРЭ должны иметь конструктивные элементы (кл1 чи), исключающие ВозмОжность неправильной их установки. Визуальнткс ключи должны располагаться в зоне первого вывода или иа первом вьшодс. Нумеруют пх слева направо или по часовой стрелке со стороны плоскости расположения выводов.
Конструкция ключей не регламентируется. Кроме визуальных ключей при необходимости используют установочные ключи в виде штыря, выступа корпуса, несимметрично расположенных вьшодов и т. п. Особое внимание уделяется установке ЭРЭ на коммутационные платы.
В табл. 8.4 приведены варианты установки ЭРЭ на платы и их упрощгнныг изображения на чертежах; в табл. 8.5 — методы присоединения ЭРЭ в зависимости от вида их выводов. Электрорадиоэлементы с гибкими выводами приклеивают, располагая их защитным покрытием вверх, ЭРЭ с жесткими выводами дополнительно ие крепят, так как креплением служит присоединение выводов. В табл. 8.6 даны основные конструкторские требования и технологические ограничения установки бескорпусных ЭРЭ па платы.
Для каждого вьшода (гибкого н жесткого) должна быть предусмотрена контактная площадка. Если к одной контактной площадке присоединяется 2 — 3 вывода, ее размеры увеличивают в соответствии с данными табл. 8.2. Каждая плата микросхемы должна иметь ключ. Ключом могут являться нижняя левая контактная площадка по большей стороне платы, знак в виде треугольника или другом виде. 281 Таблица бд Креплением присоединение бескорпусных ЭРЭ иа платы, изготовленные по тонко- или толстоплеиочиой технологии (наиболее употребительные варианты) Варпаат установки Вариант уста- вовки Конструктивное исполнение н установка бескорпусных ЭРЭ Конструктивное пополнение н установка бескорпусные ЭРЭ ГГ~ рр ГХ Таблица бй ййетоды мрисоедииеиип бесиорпуснык ЭРЭ Напменонапае ЭРЬ Метод прпсо«анисина Транзистор, диод, диод- Гибкий, ьчесткий чан матрица, микроске.
ма Сварка )пайка) Резистор, конденсатор Гибкий Жесткик Луксенан контактная по- нертность % (обозначение ц . ) Сварка ~чайка~ ! трансформатор Гнбкпк апт Ж'К Сварка [пайказ Пайка Пайка нлн коптактольнос соединение Рнс, 8.) С Спецификация элемента (микросхема беэ корпуса) ! требоиаиие или ограничение Обозна- чение Рисунок Размер, мкм Минимальное расстояние между двумя со. седиимн контактными площадками Минимальное расстояние между двумя ЭРЭ с гибкими выводами лезатлаыеол леаФаоли *18- Таблица 86 Основные конструкторские требования и огравииения установки бескорпусных ЗРЭ на коммутационные платы Окончание табл. 8.5 Обозна- чееве Требовевие влв огрвиичевве Рчсурол Ревмер мчм Таблица 8.7 Нормативно-техннческне документы па ЭРЭ Технические условия Тевввчесвие условии Нввмевовврве ЗРЗ Нввменоввмве ЗРЗ Транзнсторы КТ354А; КТЗ54Б 2ТЗ54А; 2Т354Б КТ359А ..КТ359В 2ТЗООА...2ТЗООВ КТ369А...КТ369Г КТ364А..КТ364В аА0.336.019ТУ СБО.
336 038 ТУ 1ЦИ3.365 008ТУ ШТ3.365 059ТУ Я 53 369 ОООТУ ШТЗ-365 060ТУ Диоды, днодныа матрицы н сборки, светодяощм ТТ3.362.082ТУ ТТЗ.З62.06ОТУ УЖО.336.063ТУ ШИ3.360.008ТУ КД103А, КД!ОЗБ 2Д1ОЗА АЛ301А", АЛ3015 2ДС408А ! 2ДС408Б-1 286 КТ ! 20А... КТ12 0 В 2 П20 ! А...2П 201 Л КТ202А...КТ202Г 2Т205А КТЗ07А.. КТ307Г 2Т3075...2Т307Г КТ317А...КТ317В 2Т317А...2ТЗ17В 2Т318А...2Т318Е КТ324А...КТ324Е ЗТ324А„,2Т324Е КТ331А...КТ331Г 2ТЗЗ1А...2ТЗЗ! Г КТ332А...КТ332Д 2Т332А...2Т332Д 2ТЗЗЗА...2ТЗЗЗЕ Минимальное расстояние от данного ЭРЭ с гябкнмн выводами до контактной площадки для выводов другнх ЭРЭ Мннимальное расстояние между ЭРЭ с гибкими выводамн 0,3 мм Минимально допустимое расстояние между двумя соседннмн ЭРЭ со столбаконымн (шариковыми) выводами Ж КЗ.
365.235ТУ ТФ3.365.006ТУ ЮФ3.365.020ТУ ЩИ3.365.010ТУ СБ0.336.016ТУ СБ0336026ТУ Ге3,365.0! !ТУ Ге3.365.002ТУ ШИЗ.З65.002ТУ СБ0.336.03! ТУ СБ0.336 02! ТУ ХМО.ЗЗО.ОООТУ ХМО.ЗЗО.ООЗТ2 ХМО.336.00!ТУ ХМ0.336.004ТУ ШИ0.336.006ТУ з 0,5Н, где Н вЂ”- высота ЭРЭ а 1000 для ЭРЭ с размерамн )1,85Х1,85 мм; 2000 для ЭРЭ с размерами (1,85)<1,85 мм Окониангг гиисг г. 8.7 тсииисссиие усиовии Наимииоввиис Эрз тсииииссиис усис сии гыимеиоваюг Эра ТТО.3З6.00 ! ТУ ТТ3362.104ТУ ТТ3.362.13ЗТУ ЭРЗ.ЗГг2 01ЗТУ ШИЗ.ЗБО.ОООТУ ГДИ0.336.009ТУ ЭРЗ.362.036ТУ КД901А ..КД901Г КД904А ..КД904Е ЗД904А...2Д904Е КД907Б; КД907Г 28910А...2Д910В 2Д911А; 2Д911Б 2Д9185-1; ЗД918Г-1 ОЖ0.460.068ТУ ОЖ0.460.107ТУ ОЖО.
464.060ТУ ОЖО.460.01уОТУ ОЖ0.460.114ТЗ ОЖ0.467 055'1В ! )/КО 457 031г'! ! 6.4. БескоРпусные эпентрорвдмоэпементы В табл. 8.7 приведен перечень электрорадноэлементов, наиболее употребительных в РЭА. На рис. 8.!2 — 8.26 и в табл. 8.8 — 8.2! к ним приведены сведения об ЭРЭ, необходимые при разработке и оформлении чертежей гибридных микросхем. Ланы: изображение (в том числе упрощенное); размеры ЭРЭ; варианты установки на коммутационной плате; некоторые конструкторские и технологические ограничения и др.
Рис. 8.! 2 Изображение и установка траизисто. ров КТ120А .„КТ120В, 2П201А ... 2П201Л, КТ202А ... КТ202Г, КТ307А ... КТ307Г, 2ТЗ07А ... 2ТЗ07Г. КТЗ17А ... КТ317В, 2Т317А ... 2Т317В, 2Т318А ... 2Т318Е. КТ324А ... КТЗ24Е, 2Т324А ... 2Т324Е. К ГЗЗ1А...КТЗЗ1 Г. 2733!А . 2Т331 Г КТ332А ... КТ332Д. КТ354А, КТ354Б. 2Т354А, 2Т354Б, 2Т36ОА ... 2Т360В, КТ369А ... КТЗ69Г !а): спргуигенггое изображение в иване (б! и Конденсаторы ! К10-9 К!0-17 — ! в К22-2А КМК-2А, КМК-ЗА К10-27 резисторы )( С2-!2 ,(сз з ьс .а сесса9 еи 'с е««е«с« имеаиеыс снеийец а ха» а »х ьх с ооо о о о си о ь с« с« са « их » ь ииа и и х 'с и и»и и» ь »К» 2» о о Ю с« с« а х с« о с'« э«сии н 'ии '« ~ ь хь.
2х ььха юйх 8 "а.х 8»с»» аьаах»»» х „ » ь а.х ь 32 ха ь ха ах сх ьЬ хх Ка с с« с««с 'Л М о '„О с«ь«с«и« с«с'«саа'«с«ь с«сь сьа ь«~ с«са "~~ < ~с '. -С ~с -~ -'с" сс,'ь с о си "«сь "«сь'ь и«о ь«,„сь «с«,,«с« а«и« асс " с-.сс«ис «ис с»ос«ос -'с-сьь«.с сеаесь ось с«сч сь с««сь ~ "и ~ д ~ «« Х сс М М ь« 'х ьс се М сс 288 $ 2 2 К 2 2 с', 2' Х 2' К 2' 21 й оассссссооосесса«сьс«ь«о с«о счо оо Ооооос»о о о сс ооооооооооооооо о о о ос«о о оооо о оооооо о о о ь«с'«с'«с«с'«с'ь\ ! ~ ~о ~ ~ ~оооооо ~ оо Ы с «с«« ~ М с««сс« ~ ~ Ы сь и«сй л м ~ Ы Ж о о оса«си«а« 'л ос«3 с««с««с««и«»и а«и« ооооооооооооооо о сь о ь с с ~ «' с с' с «с с 'ь с" с' с сь оос-а«са — осасааась а аса сь а о -оооо — —,-оо оооо о о о— ооо аооооо ьооооо о о о оссоосась:«ойосссесхсссх сс сх о»с а ооооооооо;ьооооо о о о осеосасасьсьооосесчсчсчо сс ас о — — — о — с'с а> Рис.
8.13. Изображение н установиа транзистора 2Т205А 1а); упрощенное изоб- ражение в иване тб) т а б д и и а 8.<э (и рис. 8.83) Габаритиые рааиеры, ыы, ие более Выводы Тии 2Т205Л 0,003 1О Зак. 1386 .и ( кз ! ~о ) к ( э к 1 к ( и ы а и о и а, Ю. 'о Сэ С3 Оэ о и 33 О3 ео Сэ 3О йо" 3 В Е ;ио 3 Н "Иев о 3 и е о о и н о о М и о и и 3 Сэ С3 \' сэ Оэ еь ео С3 СЧ о и 33 и нанни ан 'ии 'еновяв «ранен евэаи ор воинов эо эннвоэээвд но 3 с и 3 о и но 33 о 33 3О о э,— 3 3 о ь » иь3 И э и ф СО 3Н 5~ и Х 9~3 3 ''М о. р 3 о ,жй ео о.
,о О о и аи и о ~и ов о Фф 3 2 3 о и е 3Э ээеор эн 'з 'вээе39 ннванеээВ енендвд аавэи эн 'ии '3 н Е о и о и и 3' и,и ои ое ин о 33 О и йы "о и ае йе во ни и и '0 Ю 33 о хи хо '„и х со ' а-" о о х аннан ан 'ии 'ееоаих еонаен еаом ои еайноо ~ ао аннноааае 1 и о х ими 'р о о ни н их,~ о с са о и~ х са х = с о й~ и хан . со х оа о х "~ О е ~в х на с~ сх о кЫ ь ос и е о. о о ,% е х Ф Б '= ой о- х о" и о хн о нанон ан 'а 'еааеее ннеонеа»я аненоеи аанаи ан 'ии '~ Рис. 8.16. Изображение н установка транзисторов 2ТЗЗЗА ...
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
