Справочник Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Э.Т. Романычева (560567), страница 33
Текст из файла (страница 33)
Большая интегральная микросхема (БИС) — интегральная микросхема, содержащая: 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии; !000 н более элементов, изготовленных по МДГ1-технологии (МДП вЂ” металл — диэлектрпк — полупроводник). Пленочная интегральная микросхема — интегральная мпкросхема, все элементы и межзлемеитпые соединения которой выполнены в виде пленок.
Частными случаямн являются тонкопленочные интегральные микросхемы, пассивные электрораднозлементы которых изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) пленок, и толстопленочные толщиной 10 ...15 мкм. Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и (нли) кристаллы. Подложка интегральной микросхемы — заготовка, предназначенная для нанесения иа нее элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межзлементных и (нлн) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок. Плата интегральной микросхемы — часть подложки (подложка) гибридной (пленочной) интегральной микросхемы, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения и контактные площадки. Полупроводниковая пластина — заготовка пз полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы.
Кристалл интегральной микросхемы — часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы,межэлемеитиые соединения и контактные площадки. Согласно ОСТ 11 073З15 — 80 интегральные микросхемы подразделяются по коиструктпвно-технологическому исполнению на трн группы, которым присваивают следующие обозначения; !,5,5,7 — полупроводниковые; 2,4,8 — гибридные; 3 — прочие (плеиочные, вакуумные, керамические и т. д.). По функциональному назначенюо микросхемы подразделяются на подгруппы и виды с буквенными обозначениями подгру'ппы (Л,Ф, В, ...) и вида (ЛИ, ЛН, ...), например: Подгруппа Логические элементы; эле- 266 мент И вЂ” ЛИ: элемент НŠ— ЛН; элемент ИЛИ вЂ” ЛЛ.
Подгруппа Фильтры: верхних частот — ФВ; нижних частот — ФН. Подгруппа Ехемы вычислительных средств: микроЭВМ вЂ” ВЕ; микропроцессоры — ВМ; микрокалькуляторы — ВХ. Обозначение микросхемы состоит из следующих элементов; первый элемент — цифра, обозначающая группу микросхемы; второй элемент — три цифры (от 000 до 999) или две цифры (от 00 до 99), обозначаюгцпе ~юрядковый номер разработки серии микросхем; третий элемент — две буквы, обозначающие подгруппу и впд микросхемы; четвертый элемент — условный номер разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии.
Два первых элемента обозначают серию микросхемы. Пример условного обозначения полупроводниковой микросхемы — логического элемента И вЂ” НЕ с порядковым номером разработки серии 33, порядковым номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 1: !33ЛА|. г(ля микросхем, используемых в устройствах широкого применения. в начале обозначения добавляк~т букву К, например К!500. Для бескорпусных микросхем после обозначения порядкового номера разрагютки микросхемы (или дополнительного буквенного обозначения, характеризующего микросхему по электрическим характеристикам) через дефис указывают цифру, характеризующую модификацию конструктивного исполнения в соответствии с таблицей.
Перед цифровым обозначением серии добавляют букву Б, например: Б106ЛБ1-1— микросхема серии Б|06-1 в бескорпусном исполнении с гибкими выводами. Обозначения модификаций конструктивного исполнения микро схем; 1 — с гибкими выводами (проволочнымн, диаметром не более 0,25 мм); 2 — с ленточными (с толщиной ленты не более 0,3 мм) выводами (в том числе на полнамидной пленке); 3 — с жесткими выводами (например, шариковыми и столбиковыми с диаметром до 0,5 мм); 4 — на общей пластине (неразделенные); 5 — на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку). Для характеристики материала и типа корпуса перед цифровым обозначением серии добавляют буквы, например: Š— для метачлополимерного корпуса типа 2, А — для пластмассового корпуса типа 4, и т.
д. Присвоение обозначений микросхемам производит головная организация по стандартизации в централизованном порядке. Микросборка — микроэлектронное изделие, выполняющее определеин)по фукцию обработки, хранения и передачи сигнала, проектируемое для конкретной РЭА с целью улучшения показателей ее миниатюризации, состоящее из элементов и компонентов, размещенных на общем конструктивном элементе — подложке или кристалле (ОСТ 4 ГО. 070.210 <хМикросборки. Термины и определениях).
Элемент микро- звв сборки — ее часть, реализующая функцию какого-либо электрорадиоили другого функционального элемента, которая выполнена нераздельно от кристалла илп подложки н не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Сборочные чертежи микросборок выполняют как базовые, содержащие; изображение микросборки; размеры и предельные отклонения; методы крепления платы к основаникк методы герметизации микро- сборки и ноказатепь герметичности; данные о маркировке, месте и способе нанесения; ссылку на базовые технические условии (при необходимости). Чертеж исполнения микросборкн в корпусе должен содержать: изображение платы с монтажом компонентов, где указывают обозначениее элементов и компонентов в соответствии с электрической принципиальной схемой, обозначение выводов микросборки, позиции составных частей; сведения о размерах; метод установки компонентов на ила. ту и требование к монтажу их выводов или ссылку иа ОСТ 4 ГО.010, 220 с указанием вариантов; ссылку на ТУ микросборки (нри необходимости) .
Допускается показывать упрощенное изображение платы н не наносить на чертеже номера позиций составных частей, если их позиционные ооозначения указаны в спецификации как чпрочие изделия». Классификацию и условные обозначения микросборок, предназначенных для использования в РЭА, устанавливает ОСТ 4! О. 005.210— 85. Микросборки классифицируют по функциональному назначению с соответствующим буквенным обозначением, например: генератор гармонических сигналов — ГС; детектор амплитудный — ДА; логический элемент И вЂ” ЛИ; логический элемент И вЂ” ИЛИ вЂ” ЛС; преобразователь сигналов частоты — ПС; триггер счетный (типа Т) — ТГ; усилитель высокой частоты — УВ; фильтр верхних частот — ФВ и т.
д. Обозначение микросборок должно состоять из следующих элементов: первый элемент — две буквы, обозначающие функциональное назначение микросборки; второй элемент — порядковый регистрационный номер (от 000 до 999) разработки микросборки данного функционального назначения. Структура обозначения: ХХ ХХХ ) порядковый регистрационный номер разработки мнкросборки Т функциональное назначение микросборкн Рнс. 8.1. Многослойнай керпмпиескан плата: С 6 е ои платы, и .
плен ~иые ир ы линки: л кй итактик~е и и толы; юимакт Таблииа 8.1 Материалы ноллоигек н инат интегральнмх гибридных микросхем 09СТ 11 0711.002-7Га1 парило ио.~екн ~егина документ Норманна т тн нескин локтмена ила~ар ал Керамический алюмооксидный материал ВК94-1 1 Керамииесннй корундгмтый матери. , ал еПолнкор» ОСТ 11 027.010— 78 С текло тлгктрона куумное С41-1, С48-8 Снталл СТБ0-1, СТ38. 1 Глллури Г900-1 ТУ 11 — 78 аЯО 027,000ТУ ОСТ 11 ПО.094. 022 --72 ЩИО.027.000ТУ Пример условного обозначения аналоговой микросборки усилителя высокой частоты с порядковым регистрационным номером разработки данного функционального назначения 035: УВ035. При необходимости после обозначения порядкового репютрационного номера микро- сборки дополнительно указывают буквенное обозначение, характеризующее отличие одной микросборки конкретного типа по электрическим параметрам.
В начале условного оГюзиачения микро- сборок, предназначенных для использования в устройствах широког а применения, добавляется буква К, например КУВ035. Многослойные керамические платы получают путем спекання слоев из пластпфицированной керамической ленты СД-1. Элементы электрической схемы многослойной керамической микросхемы проектируют в виде пленочных элементов, расположенных в несколькпл слоях керамической платы, Связи между элементами схемы осуществляются посредством пленочных проводников, расположенных па внутренних слоях керамической платы, соединенных контактными переходами.
Пленочные элементы (резисторы, конденсаторы и контактные площадки под компоненты) располага1отв верхнем слое Компоненты прнсоединиюг к контактным площадкам пайкой, сваркой или другими способами. Матсрг1ал керамической платы — еПоликор» ТУ 11 — 78 аЯО.927.002ТУ. Вариант конструкции многослойной керамической платы представлен на рис, 8.).
Виутрислойные пленочные проводники изготовляют методом сеткографни из молибденовых паст, межслойные кон. гактиые переходы — из молибденовой лепты. Материалы подложек и плат интегральных гибридных микросхем даны в табл. 8.!. Проводящие элементы, резисторы, контактные площадки, диэлектрики и межслойная изоляция выполняются в виде паст методом сеткографии. В качесте компонентов в многослойных керамических микросхемах и гибридных микросхемах применяют бескорпусные диоды н диодные матрицы, бескорпусные транзисторы и транзисторные матрицы, корпусные транзисторы и диоды в миниатюрном исполнении, бескорпусные полупроводниковые микросхемы, конденсаторы, трансформаторы с гибкими и жесткими выводами. Компоненты устанавливают иа плату методом приклейкн или пайки. Располагать компоненты рекомендуется рядами, параллельными сторонам платы.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
