Справочник Разработка и оформление конструкторской документации РЭА Э.Т. Романычева (560567), страница 37
Текст из файла (страница 37)
Структура геометрия диода Рнс. 9.9. СтРУктУРз геометрия диффуаионного конденсатора !эпс. 930. Сгрукээра и гсомстрия коихсисагора с аиаасктриком лекторная, базовая, эмиттерная. На рис. 9.5, 9.6 показаны поперечное сечение типового транзистора, его структура и геометрия в плане. На рис. 9.7 — 9.10 изображены структура и геометрия возможных вариантов диода, резистора, конденсаторов. вес%о адяаааа ээдаа ага' ае аая На а яя адаяадаа Нааяеээээееээа э я адяагаэ — ...э1еэааээдадеааданннд ядалдададяа Е.?. Топологические чертегни полупроноднинонык интегрананык микроскем.
Сборочный чертоги миироскемы н корпусе При изготовлении фотошаблона для каждой области необходим чергеж топологии на определенный слой. На рпс. 9.11 представлен чертеж совмещенной топологии с изображением всех слоев одновременно. Разработка тако~о чертежа предыгествует выполнению чертежей отдельных слоев. Его вьгполняют на первом листе документа, на последуюгцих показывают слои; на листе 2 — скрытый слой, на листе 3 — разделительный, на листе 4 — базовый, на листе 5 — эмнттерный, на листе 6 — контактные окна, на листе 7 — слой металлизации (проводники), на листе 8 — слой пассивации.
На чертеже совмещенной топологии изображают все элементы и их соединения в соответствии с электрической принципиальной схемой с учетом технологических возможностей изготовления микросхемы. Элементы схемы предварительно рассчитывают, а затем вычерчивают выбранную геометрическою форму элементов на миллиметровой бумаге в крупном масштабе (400:1). Затем их располагают на чертеже (выполненном в таком же масштабе), отделяя друг от друга разделительным слоем, и соединяют в единую функциональную схему с помощью металлизированных проводников, которые соответствуют линиям связи на электрической принципиальной схеме На рис, 9.!2 и 9.13 даны расположение и размеры разделительного слоя и металлизированных проводников относительно элементов схемы (указанные здесь размеры могут быть непсэсредственпо использованы в учебных целях; при оформлении производственных чертежей размеры должны быть откорректированы с учетом технологических возможностей предприятия-изготовителя).
На плате по периметру расположены контактные площадки 1,2,5, ..., предназначенные для злектрическойсвязи с выводами корпуса микросхемы. Для обеспечения совмещения фотошаблона с кремниевой пластиной по краю кристалла вычерчивают фигуры совмещения (К вЂ” на рис. 9.11). На общем виде топологии изображают фигуры совмещения для всех слоев и размещают в любом месте по периметру 307 кристалла, направляя сверху вниз и слева направо. Эти фигуры могут иметь различнууо форму и размеры (иа рис. 9.14 показаны форма и расположение фигур совмещения, которые могут быть использованы в учебных целях), На рис. 9.11 можно видеть, что указаны также: позиционные обозначения К!, К2 резисторов и других элементов микросхемы согласно принципиальной электрической схеме: номера 1,2, 5, ...
контактных площадок, обозначения эмиттера (Э), коллектора (К), базы (Б) транзисторов; полярность диодов; координаты по осям Х, у; габаритные размеры кристалла (размеры кристаллов подчинены еле. дугощей закономерности: в пределах до 1 мм — сторона кратна О,О5 мм, от! до 2 мм — сторона кратна 0,1 мм, свыше 2 мм — согласно нормаль Рис. 9.! !. Чертеж общего вида топологии кристалла Рис 9.!2.
Расположение и размеры метпллнзирбизнных яроводннкои к резисторам и разделительного слои, указаны минимзльиые ризыеры з никроыетрзх: з= !2,5; Ь=20; с= !О; д=б! с=25; 1=.25. ! — мстпллнзнрпвзнныс праппдннкн; 7 ~рвннцп и!гнв в акснде пад пблпсть рзз цспитсльнпи диффузии! 3 - - грв пнцы ы н. 1зктньгь пкпн в пксндс к области рспп" тора Рнс. 9.!3. Рзсполол ение и рззыеры иетзллизирозипных ирпиодникои к транзисторам и разделительного слоя, укзззиы инннызльные рззмеры е микрометрах: з= !2,5; Ь=20; с=- !О; б=б; е=б. ! грвепцз кпнтвктнагп окна з скспдг сбввстн змгптсрв; 3 грзкнцз кснтзьгнсгп пквз в пкснде к аблвстн базы; .т— !.рпкицв скрытпгп слав; 4 — грвнпцз пкп. в пьсипз пап сбвзсть бвзы; З вЂ” гры!нц, ы нв в пксвдс нпл пблзсть зппттсрв.
П ~рвннц пкнз в аксидс ппд сблзсть ьсв лсктарз: 7 — грвгшцз окна в пьсндс ппд блзсть рзздслнтзвьппя диффузии; 8 кстзллвзирпвзнныв прпвпдииьк; у — гр.!- нцз пкпн в пкснлс ппп кпнтзьтнуы пт, лзсгь кпллсктпрз, гб пыппиз кпнтвьт наго пкнз з сксвдг ь пбззгтп ьпллсктср, Рис. 9.14. Размеры и оасволожеиис фигур соввгевтения (раз»еры в микрометрах(: à — граница кристалла. покрытогп окспдо». у †. павертност кристал.
ла бе оксила. 3 - граница крн. стелле. З - . Фнв ура для скрытого слоя; у — Фигура~ злв топология разделительного слоя: а — фигуры зля топологии базового слоя: 7— Фнг>ры для топодогин з»иттервого слои. В -. Фигуры длв токологна с коптвктнына окнамн; р -. фигур для толедо~ни на слон неталлизв~ии ному ряду (та40 по ГОСТ 6636 — 69 (СТ СЭВ 514 — 77): 2,0; 2,1; 2,2; 2,4; 2,5; 2,6; 2,8: 3,0 и т. д.; шероховатость поверхностей; структура кристалла с таблипей характеристик: технические требования. Топологические чертежи иа отдельные слои выполняют по чертежу общего вида топологии. Рисунок 9.15 содержит пример оформления топологического чертежа на отдельный слой, а на рис. 9.16 — 9.21 показаны остальные слои применительно к совмещенной топологии (рис.
9.11). Каждый из приведенных чертежей на отдельный слой должен содержать: одну проекцию кристалла, показывающую форму и расположение окон или фигур данного слоя; у левого нижнего угла каждого многоугольника стоят порядковые номера вершин, с которых начинают нумерацию остальных вершин и продолжают по часовой стрелке. К следующему многоугольнику переходят по направлению снизу вверх и слева направо; 310 й о й О. э.
о О с з~~ а Рис. 9.17. Кристалл, разделительный слой, лист 3 Рис. 9.16. Кристалл, скрытый слой, лист 2 Рис. 9.18. Кристалл, зыиттерный слой, лист 6 Рис. 9.19. Кристалл, контактные ок- на„лист 6 габаритные размеры кристалла; координаты по оснм х, у; основнукз надпись„содержащуго то же обозначение, что и чертеж совмещенной топологии (АБВГ. ХХХХХХ.ХХХ), и номер листа 12,3, ...); 912 Рис. 9.20. Кристалл, слой иеталлиаа- иии, лист 7 Рис.
9.21. Кристалл, слой кассиаакик. лист 8 технические требования; 1. аразмеры для справок. 2. Конструктивное исполнение по чертежу АБВГ. ХХХХХ Х. Х Х Х лист 1; таблицу координат, измеренных на чертеже для всех вершин многоугольников в миллиметрах, а также действительные величины коор динат в микрометрах. Обычно таблицу помещают на отдельном листе с основной надписью, оформленной аналогично рис.
8.6. В таком случае обозначение будет АБВГ. ХХХХХХ. ХХХТБ. Особенности отдельных чертежей: на рис. 9.15 нанесены границы окон в оксиде под область базы траязисторов и анодных областей диодов, а также резисторов; на рис. 9.16 изображены границы окон скрытого слоя транзисторов; на рис. 9.17 показаны границы окон в оксиде под область разделительной диффузии; на рис. 9.18 начерчены границы окон в оксиде под область эмиттера транзисторов, границы окон для области коллекторного контакта и катодов диодов; на рнс.
9.!9 показаны границы контактных окоп ко всем области, ~ элементов; на рнс. 9.20 нанесены все металлизированные проводники и контактные площадки; на рис. 9.21. показана граница пассивации. Типы корпусов микросхем содержатся в ГОСТ 17467 — ?9. На рис. 9.22, 9.23 представлен пример оформления сборочного чертежа мик. росхемы в корпусе и соответствующей спецификации. з1з А ббГ ХХХХХХ. 01000 лат мыл матшт.
та. а Микросхема Н227т ТГ1 ьдаранный трпеис зг 017 Ласт Льгтыт 1 Разаа тиан 1 ~и хопрегсобать маттросхему пресс-материалом лоз. 2 гогласио РОТ,... ~т 2.0друдиу пластины злеиеито лроипбести после олрессобни микросхемы. т з. Размеры юьратбатость лоберхностей для спрабом.
Ь Ь. Смецеиие оаеа' быбодоб олт иоиииальиозо раслалохтения не далее 0,7мм Тдолуск забисимыиХ б. Недказаииьте предельные отклонения размераб: охбуатьтбоюцих по Н72, охбатьтбаеттьтх ла п72, проних '- —. ТТ12 2 б. радиусы снруглений опресгобаниых поберхностлей минрасхемы отбмм тзх, 1 1Шерахабатогть опрессобанных пабсрхиастейиикаосхеиы ./ 8.АУорииаобать тоборныи знои предприятия методом прессзбанил. Допускается нанесение табориозо знака предприятия краской блгт йслыб. у. Марниробать номер голрободтттельнага листа, лоряднобый номер миирога е мы. Шрифт 2 ло НО. 070.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
