Диссертация (1150801), страница 16
Текст из файла (страница 16)
21.41. Jadczak J., Bryja L., Ryczko K., Kubisa M., Wójs A., Potemski M., Liu F.,Yakovlev D. R., Bayer M., Nicoll C. A., Farrer I., Ritchie D. A. High magneticfield studies of charged exciton localization in GaAs/Ga1−x Alx As quantumwells // Applied Physics Letters. — 2014. — Vol. 105, no. 11.42. Potemski M., Via L., Bauer G. E. W., Maan J. C., Ploog K., Weimann G.Magnetoexcitons in narrow GaAs/Ga1−x Alx As quantum wells // Phys. Rev.B. — 1991. Jun. — Vol. 43. — P. 14707–14710.43.
Jadczak J., Kubisa M., Ryczko K., Bryja L., Potemski M. High magneticfield spin splitting of excitons in asymmetric GaAs quantum wells // Phys.Rev. B. — 2012. Dec. — Vol. 86. — p. 245401.44. Yasui T., Segawa Y., Aoyagi Y., Iimura Y., Bauer G. E. W., Mogi I., Kido G.Exciton states in two-dimensional systems of GaAs/AlAs multi-quantumwell structures under high magnetic fields // Phys.
Rev. B. — 1995. Apr. —Vol. 51. — P. 9813–9819.9845. Тимофеев В.Б., Байер М., Форхел А., Потемский М. Смешивание экситонных состояний с легкими и тяжелыми дырками в GaAs/AlGaAsодиночной квантовой яме в магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. — 1996.— Т. 64. — с. 52.46. Yugova I. A., Greilich A., Zhukov E. A., Yakovlev D.
R., Bayer M., Reuter D.,Wieck A. D. Exciton fine structure in InGaAs/GaAs quantum dots revisitedby pump-probe Faraday rotation // Phys. Rev. B. — 2007. May. — Vol. 75.— p. 195325.47. Iimura Y., Segawa Y., Bauer G. E. W., Lin M. M., Aoyagi Y., Namba S.Exciton mixing in a wide GaAs/AlAs quantum well in weak and intermediatemagnetic fields // Phys. Rev. B. — 1990. Jul. — Vol. 42. — P. 1478–1481.48.
Bauer G. E. W., Ando T. Exciton mixing in quantum wells // Phys. Rev.B. — 1988. Sep. — Vol. 38. — P. 6015–6030.49. Durnev M., Glazov M., Ivchenko E. Giant Zeeman splitting of light holes inGaAs/AlGaAs quantum wells // Physica E: Low-dimensional Systems andNanostructures. — 2012. — Vol. 44, no. 4. — P. 797 – 802.50. Дурнев М.В. Зеемановское расщепление состояний легкой дырки в квантовых ямах: сопоставление теории и эксперимента // ФТТ.
— 2014. —Т. 56, № 7. — С. 1364–1371.51. Семина М.А., Сурис Р. А. Локализованные в наноструктурах дырки вовнешнем магнитном поле: g-фактор и смешивание состояний // ФТП.— 2015. — Т. 49, № 6. — с. 817.52. Kusano Jun-ichi, Bauer Gerrit E. W., Aoyagi Yoshinobu. Two-dimensionalversus three-dimensional excitons in wide GaAs quantum wells // Journalof Applied Physics. — 1994.
— Т. 75, № 1.53. Davies J. J., Wolverson D., Kochereshko V. P., Platonov A. V., Cox R. T.,Cibert J., Mariette H., Bodin C., Gourgon C., Ubyivovk E. V., Efimov Y. P.,Eliseev S. A. Motional Enhancement of Exciton Magnetic Moments in Zinc-99Blende Semiconductors // Phys. Rev. Lett. — 2006. Nov. — Vol. 97. —p. 187403.54. Smith L.
C., Davies J. J., Wolverson D., Crampin S., Cox R. T., Cibert J.,Mariette H., Kochereshko V. P., Wiater M., Karczewski G., Wojtowicz T.Motion-dependent magnetic properties of excitons in CdTe // Phys. Rev. B.— 2008. Aug. — Vol. 78. — p. 085204.55. Davies J. J., Smith L. C., Wolverson D., Gust A., Kruse C., Hommel D.,Kochereshko V. P.
Motion-enhanced magnetic moments of excitons inZnSe // Phys. Rev. B. — 2010. Feb. — Vol. 81. — p. 085208.56. Smith L. C., Davies J. J., Wolverson D., Boukari H., Mariette H.,Kochereshko V. P., Phillips R. T. Wave-vector dependence of magnetic properties of excitons in ZnTe // Phys. Rev.
B. — 2011. Apr. — Vol. 83. —p. 155206.57. Киселев А.А., Л.В. Моисеев. Зеемановское расщепление состояний тяжелой дырки в гетероструктурах A3B5 и A2B6 // ФТТ. — 1996. — Т. 38,№ 5. — С. 1574–1586.58. Ivchenko E. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures. —Springer-Verlag, 2004.59. Knox R. Theory of excitons. — Academic Press, 1963.60. Рашба Е.
И., Гургенишвили Г. Е. // ФТТ. — 1962. — Т. 4. — с. 1029.61. Kavokin A. V. Exciton oscillator strength in quantum wells: From localizedto free resonant states // Phys. Rev. B. — 1994. Sep. — Vol. 50. — P. 8000–8003.62. Prineas J. P., Ell C., Lee E. S., Khitrova G., Gibbs H. M., Koch S. W.Exciton-polariton eigenmodes in light-coupled In0.04 Ga0.96 As/GaAs semiconductor multiple-quantum-well periodic structures // Phys.
Rev. B. —2000. May. — Vol. 61. — P. 13863–13872.10063. Kavokin A., Malpuech G., Glazov M. Optical Spin Hall Effect // Phys. Rev.Lett. — 2005. Sep. — Vol. 95. — p. 136601.64. Gibbs H. M., Khitrova G., Koch S. W. Exciton-polariton light-semiconductorcoupling effects // Nature Photonics. — 2011. — Vol. 5. — p.
273.65. Andreani L. C., Pasquarello A. Accurate theory of excitons in GaAsGa1−x Alx As quantum wells // Phys. Rev. B. — 1990. Nov. — Vol. 42.— P. 8928–8938.66. Andreani L. C., Tassone F., Bassani F. Radiative lifetime of free excitons inquantum wells // Solid State Communications. — 1991. — Vol.
77, no. 9. —P. 641 – 645.67. Citrin D. S. Radiative lifetimes of excitons in quantum wells: Localizationand phase-coherence effects // Phys. Rev. B. — 1993. Feb. — Vol. 47. —P. 3832–3841.68. Andreani L., Iotti R., Schwabe R., Pietag F., Gottschalch V., Bitz A.,Staehli J.-L. Minimum of oscillator strength of excitons in ultra-narrowGaAs/AlGaAs quantum wells:: Theory and experiment // Physica E: Lowdimensional Systems and Nanostructures. — 1998. — Vol. 2, no. 1–4. —P. 151 – 155.69. Iotti R. C., Andreani L.
C. Crossover from strong to weak confinement forexcitons in shallow or narrow quantum wells // Phys. Rev. B. — 1997. Aug.— Vol. 56. — P. 3922–3932.70. D’Andrea A., Tomassini N., Ferrari L., Righini M., Selci S., Bruni M. R.,SchiumariniD.,SimeoneM.G.OpticalpropertiesofsteppedIn Ga1− As/GaAs quantum wells // Journal of Applied Physics. —1998. — Т. 83, № 12.71.
Deveaud B., Clérot F., Roy N., Satzke K., Sermage B., Katzer D. S. Enhanced radiative recombination of free excitons in GaAs quantum wells //Phys. Rev. Lett. — 1991. Oct. — Vol. 67. — P. 2355–2358.10172. Zhang B., Kano S. S., Shiraki Y., Ito R. Reflectance study of the oscillatorstrength of excitons in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. —1994.
Sep. — Vol. 50. — P. 7499–7508.73. Voliotis V., Grousson R., Lavallard P., Planel R. Binding energies and oscillator strengths of excitons in thin GaAs/Ga0.7 Al0.3 As quantum wells //Phys. Rev. B. — 1995. Oct. — Vol. 52. — P. 10725–10728.74. Deveaud B., Kappei L., Berney J., Morier-Genoud F., Portella-Oberli M.,Szczytko J., Piermarocchi C. Excitonic effects in the luminescence of quantum wells // Chemical Physics. — 2005.
— Vol. 318, no. 1–2. — P. 104 –117. — Molecular NanoscienceIn honour of Daniel S. Chemla on his 65thbirthday.75. Полтавцев С. В., Строганов Б. В. Экспериментальное исследование силы осциллятора экситонного перехода в одиночных квантовых ямахGaAs // ФТТ. — 2010. — Т. 52. — с. 1769.76. Poltavtsev S., Efimov Y., Dolgikh Y., Eliseev S., Petrov V., Ovsyankin V.Extremely low inhomogeneous broadening of exciton lines in shallow(In,Ga)As/GaAs quantum wells // Solid State Communications.
— 2014. —Vol. 199. — P. 47 – 51.77. Trifonov A. V., Korotan S. N., Kurdyubov A. S., Gerlovin I. Y., Ignatiev I. V., Efimov Y. P., Eliseev S. A., Petrov V. V., Dolgikh Y. K.,Ovsyankin V. V., Kavokin A. V. Nontrivial relaxation dynamics of excitonsin high-quality InGaAs/GaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 2015. Mar.— Vol. 91. — p. 115307.78. Belykh V. V., Kochiev M. V. Heating by exciton and biexciton recombinationin GaAs/AlGaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 2015.
Jul. — Vol. 92.— p. 045307.79. Ivchenko E. L., Kavokin A. V., Kochereshko V. P., Posina G. R., Uraltsev I. N., Yakovlev D. R., Bicknell-Tassius R. N., Waag A., Landwehr G.Exciton oscillator strength in magnetic-field-induced spin superlatticesCdTe/(Cd,Mn)Te // Phys. Rev. B. — 1992. Sep. — Vol. 46. — P. 7713–7722.10280. Sugawara M. Magnetic-field-induced enhancement of exciton oscillatorstrength in In0.53 Ga0.47 As/InP quantum wells // Phys. Rev.
B. — 1992.May. — Vol. 45. — P. 11423–11425.81. Sugawara M., Okazaki N., Fujii T., Yamazaki S. Diamagnetic shift andoscillator strength of two-dimensional excitons under a magnetic field inIn0.53 Ga0.47 As/InP quantum wells // Phys. Rev. B. — 1993. Sep. — Vol. 48.— P. 8848–8856.82. Кавокин А.В., Несвижский А.И., Сейсян Р.П. Экситон в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле // ФТП. — 1993. —Т. 27. — с.
977.83. Berger J. D., Lyngnes O., Gibbs H. M., Khitrova G., Nelson T. R., Lindmark E. K., Kavokin A. V., Kaliteevski M. A., Zapasskii V. V. Magnetic-fieldenhancement of the exciton-polariton splitting in a semiconductor quantumwell microcavity: The strong coupling threshold // Phys. Rev. B. — 1996.Jul. — Vol. 54. — P. 1975–1981.84.
Stȩpnicki P., Piȩtka B., Morier-Genoud F. m. c., Deveaud B., Matuszewski M. Analytical method for determining quantum well exciton properties ina magnetic field // Phys. Rev. B. — 2015. May. — Vol. 91. — p. 195302.85. Ивченко Е. Л. Экситонные поляритоны в периодических структурах сквантовыми ямами // ФТТ. — 1991. — Т. 33. — с. 2388.86. Tassone F., Bassani F., Andreani L. C. Quantum-well reflectivity andexciton-polariton dispersion // Phys. Rev. B. — 1992.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
