Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1150480), страница 18

Файл №1150480 Диссертация (Электронная структура нанокомпозитных материалов на основе графена) 18 страницаДиссертация (1150480) страница 182019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 18)

Rev. B. — 2009. — Vol. 79. —P. 195425.72. M.H. Kang, S.C. Jung, J.W. Park. Density functional study of the Au-in­tercalated graphene/Ni(111) surface // Phys. Rev. B. — 2010. — Vol. 82. —P. 085409.73. S.G.Kwon,M.H.Kang.EffectsofCuintercalationonthegraphene/Ni(111) surface: Density-functional calculations // J. KoreanPhys. Soc. — 2012. — Vol.

61. — P. 589.74. A.M. Shikin, G.V. Prudnikova, V.K. Adamchuk, F. Moresco, K.-H. Rieder.Surface intercalation of gold underneath a graphite monolayer on Ni(111)studied by angle-resolved photoemission and high-resolution electron-ener­gy-loss spectroscopy // Phys. Rev. B. — 2000. — Vol. 62. — P. 13202.11575. A. Varykhalov, J. Sánchez-Barriga, A.M. Shikin, C. Biswas, E. Vescovo,A.

Rybkin, D. Marchenko, O. Rader. Electronic and magnetic propertiesof quasifreestanding graphene on Ni // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol.101. — P. 157601.76. D. Haberer, D.V. Vyalikh, S. Taioli, B. Dora, M. Farjam, J. Fink,D. Marchenko, T. Pichler, K. Ziegler, S. Simonucci, M.S. Dresselhaus,M. Knupfer, B. Büchner, A.

Grüneis. Tunable band gap in hydrogenatedquasi-free-standing graphene // Nano Lett. — 2010. — Vol. 10. — P. 3360.77. D. Haberer, C.E. Giusca, Y. Wang, H. Sachdev, A.V. Fedorov, M. Farjam,S.A. Jafari, D.V. Vyalikh, D. Usachov, X. Liu, U. Treske, M. Grobosch,O. Vilkov, V.K. Adamchuk, S. Irle, S.R.P. Silva, M. Knupfer, B. Büchner,A. Grüneis. Evidence for a new two-dimensional C4 H-type polymer basedon hydrogenated graphene // Adv. Mater. — 2011. — Vol. 23.

— P. 4497.78. E.N. Voloshina, A. Generalov, M. Weser, S. Böttcher, K. Horn, Yu.S.Dedkov. Structural and electronic properties of the graphene/Al/Ni(111)intercalation system // New J. Phys. — 2011. — Vol. 13. — P. 113028.79. L. Meng, R. Wu, H. Zhou, G. Li, Y. Zhang, L. Li, Y. Wang, H.-J. Gao.Silicon intercalation at the interface of graphene and Ir(111) // Appl. Phys.Lett. — 2012.

— Vol. 100. — P. 083101.80. J. Mao, L. Huang, Y. Pan, M. Gao, J. He, H. Zhou, H. Guo, Yu. Tian,Q. Zou, L. Zhang, H. Zhang, Y. Wang, S. Du, X. Zhou, A.H. CastroNeto, H.J. Gao. Silicon layer intercalation of centimeter - scale, epitaxiallygrown monolayer graphene on Ru(0001) // Appl. Phys. Lett. — 2012. —Vol. 100. — P. 093101.81. Y. Cui, J.

Gao, L. Jin, J. Zhao, D. Tan, Q. Fu, X. Bao. An exchange in­tercalation mechanism for the formation of a two-dimensional Si structureunderneath graphene // Nano Res. — 2012. — Vol. 5. — P. 352.82. A.L. Vázquez de Parga, F. Calleja, B. Borca, M.C.G. Passeggi, J.J. Hinare­jos, F. Guinea, R. Miranda. Periodically rippled graphene: Growth and116spatially resolved electronic structure // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Vol.100. — P. 056807.83. M.P.

Levendorf, C.S. Ruiz-Vargas, S. Garg, J. Park. Transfer-free batchfabrication of single layer graphene transistors // Nano Lett. — 2009. —Vol. 9. — P. 4479.84. K.S. Kim, Yu. Zhao, H. Jang, S.Y. Lee, J.M. Kim, K.S. Kim, J.-H. Ahn,P. Kim, J.-Y. Choi, B.H. Hong. Large-scale pattern growth of graphenefilms for stretchable transparent electrodes // Nature. — 2009. — Vol.457. — P. 706.85. J.

Hofrichter, B.N. Szafranek, M. Otto, T.J. Echtermeyer, M. Baus, A. Ma­jerus, V. Geringer, M. Ramsteiner, H. Kurz. Synthesis of graphene on sil­icon dioxide by a solid carbon source // Nano Lett. — 2010. — Vol. 10. —P. 36.86. P.J. Wessely, F. Wessely, E. Birinci, U. Schwalke, B. Riedinger. Trans­fer-free fabrication of graphene transistors // J. Vac. Sci. Technol.

B. —2012. — Vol. 30. — P. 03D114.87. A. Zenasni, A. Delamoreanu, C. Rabot. Free-suspended graphene synthesisvia carbon diffusion through platinum-based metal // Appl. Phys. Lett. —2012. — Vol. 100. — P. 151907.88. C. Lavoie, F.M. d’Heurle, C. Detavernier, C. Cabral Jr. Towards implemen­tation of a nickel silicide process for CMOS technologies // Microelectron.Eng. — 2003.

— Vol. 70. — P. 144.89. J.A. Kittl, K. Opsomer, C. Torregiani, C. Demeurisse, S. Mertens, D.P.Brunco, M.J.H. Van Dal, A. Lauwers. Silicides and germanides for nanoCMOS applications // Mater. Sci. Eng. B. — 2008. — Vol. 154–155. —P. 144.90. M. Bhaskaran, S. Sriram, L.W. Sim.

Nickel silicide thin films as mask­ing and structural layers for silicon bulk micro-machining by potassiumhydroxide wet etching // J. Micromech. Microeng. — 2008. — Vol. 18. —117P. 095002.91. S. Senthilarasu, R. Sathyamoorthy, S. Lalitha. Synthesis and characteri­zation of -FeSi2 grown by thermal annealing of Fe/Si bilayers for pho­tovoltaic applications // Sol.

Energ. Mat. Sol. C. — 2004. — Vol. 82. —P. 299.92. J. Kim, W.A. Anderson. Metal silicide-mediated microcrystalline siliconthin-film growth for photovoltaics // Sol. Energ. Mat. Sol. C. — 2007. —Vol. 91. — P. 534.93. F. Zhou, J. Szczech, M.T. Pettes, A.L. Moore, S. Jin, Li Shi. Determina­tion of transport properties in chromium disilicide nanowires via combinedthermoelectric and structural characterizations // Nano Lett.

— 2007. —Vol. 7. — P. 1649.94. X. Chen, X. Wang, J. Xiu, C.T. Williams, C. Liang. Synthesis and charac­terization of ferromagnetic nickel-cobalt silicide catalysts with good sulfurtolerance in hydrodesulfurization of dibenzothiophene // J. Phys. Chem.C. — 2012. — Vol.

116. — P. 24968.95. F.-H. Ko, Z.-H. Yeh, C.-C. Chen, T.-F. Liu. Self-aligned platinum-silicidenanowires for biomolecule sensing // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2005. —Vol. 23. — P. 3000.96. Yu.-C. Lin, Yu Chen, Yu Huang. The growth and applications of silicidesfor nanoscale devices // Nanoscale. — 2012.

— Vol. 4. — P. 1412.97. A.L. Schmitt, J.M. Higgins, J.R. Szczech, S. Jin. Synthesis and applica­tions of metal silicide nanowires // J. Mater. Chem. — 2010. — Vol. 20. —P. 223.98. J.A. Kittl, A. Lauwers, A. Veloso, T. Hoffmann, S. Kubicek, M. Niwa,M.J.H. van Dal, M.A. Pawlak, S. Brus, C. Demeurisse, C. Vrancken,P. Absil, S. Biesemans. CMOS integration of dual work function phase-con­trolled Ni fully silicided gates (NMOS: NiSi, PMOS: Ni2 Si, and Ni31 Si12 )on HfSiON // IEEE, Electr.

Device L. — 2006. — Vol. 27. — P. 966.11899. J.A. Kittl, M.A. Pawlak, C. Torregiani, A. Lauwers, C. Demeurisse,C. Vrancken, P.P. Absil, S. Biesemans, C. Detavernier, J. Jordan-Sweet,C. Lavoie. Kinetics of Ni3 Si2 formation in the Ni2 Si-NiSi thin film reac­tion from in situ measurements // Appl. Phys.

Lett. — 2007. — Vol. 91. —P. 232102.100. N.P. Dasgupta, S. Xu, H.J. Jung, A. Iancu, R. Fasching, R. Sinclair,F.B. Prinz. Nickel silicide nanowire arrays for anti-reflective electrodes inphotovoltaics // Adv. Funct. Mater. — 2012. — Vol. 22. — P. 3650.101. X. Fan, H. Zhang, N. Du, D. Yang. Phase-controlled synthesis of nickelsilicide nanostructures // Mater. Res. Bull. — 2012. — Vol. 47.

— P. 3797.102. K. Seo, K.S.K. Varadwaj, P. Mohanty, S. Lee, Y. Jo, M.-H. Jung, J. Kim,B. Kim. Magnetic properties of single-crystalline CoSi nanowires // NanoLett. — 2007. — Vol. 7. — P. 1240.103. Y. Qu, J. Bai, L. Liao, R. Cheng, Y.-C. Lin, Yu Huang, T. Guo, X. Duan.Synthesis and electric properties of dicobalt silicide nanobelts // Chem.Commun. — 2011.

— Vol. 47. — P. 1255.104. R. Girlanda, E. Piparo, A. Balzarotti. Band structure and electronic prop­erties of FeSi and -FeSi2 // J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 76. — P. 2837.105. M.C. Bost, J.E. Mahan. Optical properties of semiconducting iron disilicidethin films // J. Appl. Phys. — 1985. — Vol.

58. — P. 2696.106. I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, D.V. Vyalikh, Yu.S. Dedkov,S.L. Molodtsov. Magnetic ordering of the Fe/Si interface and its initialformation // J. Appl. Phys. — 2008. — Vol. 104. — P. 104914.107. S. Izumi, M. Shaban, N. Promros, K. Nomoto, T. Yoshitake. Near-infraredphotodetection of -FeSi2 /Si heterojunction photodiodes at low tempera­tures // Appl. Phys. Lett. — 2013. — Vol. 102. — P. 032107.108.

K. Lenz, E. Kosubek, K. Baberschke, H. Wende, J. Herfort, H.-P.Schönherr, K.H. Ploog. Magnetic properties of Fe3 Si/GaAs(001) hybridstructures // Phys. Rev. B. — 2005. — Vol. 72. — P. 144411.119109. J. Hafner, D. Spišák. Structure and stability of the low-index surfacesof Fe3 Si: Ab initio density functional investigations // Phys. Rev. B.

—2007. — Vol. 75. — P. 195411.110. Q. Tang, Z. Zhou, Z. Chen. Graphene-related nanomaterials: tuning prop­erties by functionalization // Nanoscale. — 2013. — Vol. 5. — P. 4541.111. M.F. Craciun, I. Khrapach, M.D. Barnes, S. Russo. Properties and applica­tions of chemically functionalized graphene // J. Phys. Condens. Matter. —2013. — Vol.

25. — P. 423201.112. M.H. Rümmeli, C.G. Rocha, F. Ortmann, I. Ibrahim, H. Sevincli,F. Börrnert, J. Kunstmann, A. Bachmatiuk, M. Pötschke, M. Shiraishi,M. Meyyappan, B. Büchner, S. Roche, G. Cuniberti. Graphene: Piecing ittogether // Adv. Mater. — 2011. — Vol. 23. — P. 4471.113. C. Soldano, A. Mahmood, E. Dujardin.

Production, properties and potentialof graphene // Carbon. — 2010. — Vol. 48. — P. 2127.114. D. Wei, Y. Liu. Controllable synthesis of graphene and its applications //Adv. Mater. — 2010. — Vol. 22. — P. 3225.115. K.S. Novoselov, V.I. Fal’ko, L. Colombo, P.R. Gellert, M.G. Schwab,K.

Kim. A roadmap for graphene // Nature. — 2012. — Vol. 490. — P. 192.116. L.S. Panchakarla, K.S. Subrahmanyam, S.K. Saha, A. Govindaraj, H.R.Krishnamurthy, U.V. Waghmare, C.N.R. Rao. Synthesis, structure, andproperties of boron- and nitrogen-doped graphene // Adv. Mater. — 2009. —Vol. 21. — P. 4726.117. D. Wei, Y. Liu, Y. Wang, H. Zhang, L. Huang, G. Yu. Synthesis of N-dopedgraphene by chemical vapor deposition and its electrical properties // NanoLett.

— 2009. — Vol. 9. — P. 1752.118. C. Attaccalite, L. Wirtz, M. Lazzeri, F. Mauri, A. Rubio. Doped grapheneas tunable electron-phonon coupling material // Nano Lett. — 2010. —Vol. 10. — P. 1172.120119. S. Yu, W. Zheng, C. Wang, Q. Jiang. Nitrogen/boron doping positiondependence of the electronic properties of a triangular graphene // ACSNano. — 2010.

Характеристики

Список файлов диссертации

Электронная структура нанокомпозитных материалов на основе графена
Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6418
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее