Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149284), страница 22

Файл №1149284 Диссертация (Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния) 22 страницаДиссертация (1149284) страница 222019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

2000. Т. 12. № 49.— C. 10021-10027.26.Blumenau A.T., Jones R., Oberg S., Briddon P.R., Frauenheim T. Dislocation relatedphotoluminescence in silicon // Physical Review Letters. 2001. Т. 87. № 18.27.Kveder V., Kittler M., Schröter W. Recombination activity of contaminated dislocations insilicon:A model describing electron-beam-induced current contrast behavior // PhysicalReview B. 2001. Т. 63.

№ 11.28.Kveder V., Sekiguchi T., Sumino K. Electronic States Associated with Dislocations in PType Silicon Studied by Means of Electric-Dipole Spin-Resonance and Deep-LevelTransient Spectroscopy // Physical Review B. 1995. Т. 51. № 23. — C. 16721-16727.29.Loshachenko A.S., Vyvenko O.F., Shek E.I., Sobolev N.A. The electrically active centers inoxygen-implanted silicon // Semiconductors. 2013.

Т. 47. № 2. — C. 285-288.30.Kimerling L.C., Patel J.R. Defect states associated with dislocations in silicon // APPLIEDPHYSICS LETTERS. 1979. Т. 34. № 1. — C. 73.31.Kveder V.V., Osipyan Y.A., Schroter W., Zoth G. On the Energy-Spectrum of Dislocationsin Silicon // Physica Status Solidi a-Applied Research. 1982. Т. 72. № 2. — C.

701-713.32.Omling P., Weber E.R., Montelius L., Alexander H., Michel J. Electrical-Properties ofDislocations and Point-Defects in Plastically Deformed Silicon // Physical Review B. 1985.Т. 32. № 10. — C. 6571-6581.33.Kisielowski C., Weber E. Inhomogeneities in plastically deformed silicon single crystals. II.Deep-level transient spectroscopy investigations of p- and n-doped silicon // PhysicalReview B. 1991. Т. 44. № 4. — C. 1600-1612.34.Castaldini A., Cavalcoli D., Cavallini A., Binetti S., Pizzini S.

Electronic transitions at defectstates in Cz p-type silicon // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. Т. 86. № 16. — C.162109.35.McHedlidze T., Wilhelm T., Arguirov T., Trushin M., Reiche M., Kittler M. Correlation ofelectrical and luminescence properties of a dislocation network with its microscopicstructure // physica status solidi (c). 2009. Т. 6. № 8. — C. 1817-1822.36.Kittler M., Seifert W., Knobloch K. Influence of contamination on the electrical activity ofcrystal defects in silicon // Microelectronic Engineering. 2003. Т. 66.

№ 1-4. — C. 281-288.13137.Brown A.R., Claybourn M., Murray R., Nandhra P.S., Newman R.C., Tucker J.H. EnhancedThermal Donor Formation in Silicon Exposed to a Hydrogen Plasma // SemiconductorScience and Technology. 1988. Т. 3. № 6. — C. 591-593.38.Sauer R., Weber J., Stolz J., Weber E.R., Kusters K.H., Alexander H. Dislocation-RelatedPhotoluminescence in Silicon // Applied Physics a-Materials Science & Processing.

1985. Т.36. № 1. — C. 1-13.39.Bastien P., Azou P. Influence De Lecrouissage Sur Le Frottement Interieur Du Fer Et DeLacier, Charges Ou Non En Hydrogene // Comptes Rendus Hebdomadaires Des Seances DeL Academie Des Sciences. 1951. Т. 232. № 20. — C. 1845-1848.40.Miueller W.M., Blackledge J.P., Libowitz G.G. Metallic Hydrides // 1968.41.Louthan M.R., Donovan J.A., Dexter A.H. Effect of Microvoids on Hydrogen Diffusion //Journal of the Iron and Steel Institute. 1972. Т. 210. № Jan.

— C. 57-&.42.Louthan M.R., Rawl D.E., Caskey G.R., Donovan J.A. Hydrogen Embrittlement of Metals //Materials Science and Engineering. 1972. Т. 10. № 6. — C. 357-&.43.Гельд П.П., Рябов Р.А. Водород в металлах. — М. : «Металлургия», 1974.44.Tien J.K., Thompson A.W., Bernstein I.M., Richards R.J. Hydrogen Transport byDislocations // Metallurgical Transactions a-Physical Metallurgy and Materials Science.1976. Т. 7. № 6. — C. 821-829.45.Becker G.E., Gobeli G.W.

Surface Studies by Spectral Analysis of Internally ReflectedInfrared Radiation - Hydrogen on Silicon // Journal of Chemical Physics. 1963. Т. 38. № 12.— C. 2942-&.46.Beckmann K.H. Investigation of Chemical Properties of Stain Films on Silicon by Means ofInfrared Spectroscopy // Surface Science. 1965. Т. 3. № 4. — C. 314-&.47.Ibach H., Rowe J.E. Hydrogen Adsorption and Surface-Structures of Silicon // SurfaceScience. 1974. Т. 43. № 2. — C.

481-492.48.Brodsky M.H. Plasma Preparations of Amorphous Silicon Films // Thin Solid Films. 1978.Т. 50. № May. — C. 57-67.49.Sol N., Kaplan D., Dieumegard D., Dubreuil D. Post-Hydrogenation of Cvd Deposited a-SiFilms // Journal of Non-Crystalline Solids. 1980. Т.

35-6. № Jan-. — C. 291-296.13250.Zellama K., Germain P., Squelard S., Bourdon B., Fontenille J., Danielou R. Possibleconfigurational model for hydrogen in amorphous Si:H. An exodiffusion study // PhysicalReview B. 1981. Т. 23. № 12. — C.

6648-6667.51.Seager C.H., Ginley D.S. Passivation of Grain-Boundaries in Polycrystalline Silicon //APPLIED PHYSICS LETTERS. 1979. Т. 34. № 5. — C. 337-340.52.Johnson N.M., Biegelsen D.K., Moyer M.D. Deuterium Passivation of Grain-BoundaryDangling Bonds in Silicon Thin-Films // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1982. Т. 40. №10. — C. 882-884.53.Dubé C., Hanoka J.I. Hydrogen passivation of dislocations in silicon // APPLIED PHYSICSLETTERS. 1984. Т. 45. № 10.

— C. 1135.54.Benton J.L., Doherty C.J., Ferris S.D., Flamm D.L., Kimerling L.C., Leamy H.J. HydrogenPassivation of Point-Defects in Silicon // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1980. Т. 36. № 8.— C. 670-671.55.Pohoryles B. Hydrogen Passivation of Defects in Deformed Silicon // Physica Status Solidia-Applied Research. 1981.

Т. 67. № 1. — C. K75-K80.56.Pearton S.J. Hydrogen Passivation of Gamma-Induced Point-Defects in Silicon // PhysicaStatus Solidi a-Applied Research. 1982. Т. 72. № 1. — C. K73-K75.57.Sah C.-T. Deactivation of the boron acceptor in silicon by hydrogen // APPLIED PHYSICSLETTERS. 1983. Т. 43. № 2. — C. 204.58.Pankove J., Carlson D., Berkeyheiser J., Wance R. Neutralization of Shallow AcceptorLevels in Silicon by Atomic Hydrogen // Physical Review Letters. 1983. Т. 51. № 24. — C.2224-2225.59.Johnson N.M., Herring C., Chadi D.J. Interstitial Hydrogen and Neutralization of ShallowDonor Impurities in Single-Crystal Silicon // Physical Review Letters.

1986. Т. 56. № 7. —C. 769-772.60.Pankove J.I., Lampert M.A., Tarng M.L. Hydrogenation and Dehydrogenation ofAmorphous and Crystalline Silicon // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1978. Т. 32. № 7. —C. 439-441.61.Kaplan D., Sol N., Velasco G., Thomas P.A. Hydrogenation of Evaporated AmorphousSilicon Films by Plasma Treatment // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1978. Т.

33. № 5. —C. 440-442.13362.Kveder V.V., Labusch R., Ossipyan Y.A. The Exodiffusion of Hydrogen in DislocatedCrystalline Silicon // Physica Status Solidi a-Applied Research. 1984. Т. 84. № 1. — C. 149156.63.Johnson N. Mechanism for hydrogen compensation of shallow-acceptor impurities in singlecrystal silicon // Physical Review B. 1985. Т. 31. № 8. — C.

5525-5528.64.Johnson N., Ponce F., Street R., Nemanich R. Defects in single-crystal silicon induced byhydrogenation // Physical Review B. 1987. Т. 35. № 8. — C. 4166-4169.65.van Wieringen A., Warmoltz N. On the Permeation of Hydrogen and Helium in SingleCrystal Silicon and Germanium at Elevated Temperatures // Physica. 1956. Т. 22.

№ 10. —C. 849-865.66.Ichimiya T., Furuichi A. On the Solubility and Diffusion Coefficient of Tritium in SingleCrystals of Silicon // International Journal of Applied Radiation and Isotopes. 1968. Т. 19.— C. 573-578.67.Shi T.S., Bai G.R., Qi M.W., Zhou J. In Studies of the Electron-Irradiated Silicon CrystalGrown in Hydrogen Atmosphere // Materials Science Forum. 1986. Т.

10-12. — C. 597-602.68.Schwartz B., Robbins H. Chemical Etching of Silicon .4. Etching Technology // Journal ofthe Electrochemical Society. 1976. Т. 123. № 12. — C. 1903-1909.69.Tavendale A.J., Williams A.A., Pearton S.J. Hydrogen injection and neutralization of boronacceptors in silicon boiled in water // APPLIED PHYSICS LETTERS. 1986. Т. 48. № 9. —C. 590.70.Yarykin N., Sachse J.U., Lemke H., Weber J. Silver-hydrogen interactions in crystallinesilicon // Physical Review B. 1999. Т. 59. № 8. — C. 5551-5560.71.Weber J., Knack S., Feklisova O.V., Yarykin N.A., Yakimov E.B.

Hydrogen penetrationinto silicon during wet-chemical etching // Microelectronic Engineering. 2003. Т. 66. № 1-4.— C. 320-326.72.Sveinbjornsson E.O., Andersson G.I., Engstrom O. Hydrogen Passivation of Gold in P-TypeSilicon Involving Hydrogen-Gold-Related Deep Levels // Physical Review B. 1994. Т. 49.№ 11. — C. 7801-7804.73.Feklisova O.V., Yakimov E.B., Yarykin N.A., Weber J. Low temperature hydrogenation ofdislocated Si // Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for AdvancedTechnology.

1999. Т. 58. № 1-2. — C. 60-63.13474.Mukashev B.N., Fukuoka N., Saito H. Studies of Radiation Defects in Hydrogen ImplantedSilicon by Deep Level Transient Spectroscopy // Radiation Effects and Defects in Solids.1982. Т. 61. № 3-4. — C. 159-163.75.Picraux S., Vook F. Structure of hydrogen center in D-implanted Si // Physical Review B.1978. Т. 18. № 5. — C.

2066-2077.76.Irmscher K., Klose H., Maass K. Hydrogen-Related Deep Levels in Proton-BombardedSilicon // Journal of Physics C-Solid State Physics. 1984. Т. 17. № 35. — C. 6317-6329.77.Maleville C., Mazure C. Smart-Cut (R) technology: from 300 mm ultrathin SOI productionto advanced engineered substrates // Solid-State Electronics. 2004.

Т. 48. № 6. — C. 10551063.78.Srivastava P.C., Singh U.P. Hydrogen in semiconductors // Bulletin of Materials Science.1996. Т. 19. № 1. — C. 51-60.79.Leich D.A., Tombrello T.A. A Technique for Measuring Hydrogen Concentration VersusDepth in Solid Samples // Nuclear instruments & Methods 1973. Т. 108. — C. 67-71.80.Lanford W.A., Trautvetter H.P., Ziegler J.F., Keller J. New precision technique formeasuring the concentration versus depth of hydrogen in solids // APPLIED PHYSICSLETTERS.

1976. Т. 28. № 9. — C. 566.81.Amsel G., Lanford W.A. Nuclear-Reaction Techniques in Materials Analysis // AnnualReview of Nuclear and Particle Science. 1984. Т. 34. — C. 435-460.82.Oguz S., Collins R.W., Paesler M.A., Paul W. Effects of Partial Evolution of H from a-Si-Hon the Infrared Vibrational-Spectra and the Photo-Luminescence // Journal of NonCrystalline Solids.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6934
Авторов
на СтудИзбе
266
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее